ICP—MS测定食品模拟物中的铅、砷、镉、镍、钴、锌

建立了电感耦合等离子质谱（ICP-MS）测定食品模拟物中铅、砷、镉、镍、钴、锌的方法。分别用水、3％（v／v）乙酸水溶液、10％（v／v）乙醇水溶液、95％（v／v）乙醇水溶液在40℃下浸泡涂有内涂层的金属饮料罐两片罐和三片罐240h,得到食品模拟物样品。对于水、3％（v／v）乙酸水溶液、10％（v／v）乙醇水溶液三种食品模拟物样品,用电热板将样品蒸发至近干,用10％硝酸定容,上机检测。对于95％（v／v）乙醇模拟物样品,用电热板将样品蒸发至近干,剩余液体过滤后用10％（v／v）硝酸定容,上机测试。方法的检出限在0．5ng／mL到15ng／mL之间,线性良好,相关系数均邳．999;在两个浓度水平进行添加实验,大部分回收率在9213％,108％之间,相对标准偏差在0．3％～13．3％之间。方法准确度高,操作简单,是检测食品模拟物中铅、砷、镉、镍、钴、锌的有效方法。     

建设施工招标商务回标分析

建设工程施工招标商务标回标分析是施工招标的一个十分重要的工作环节,回标分析由招标人(或招标代理)组织开展,由招标工程师或造价工程师负责起草供经济专家进行评审,现针对回标分析中以下几个方面进行探讨。     

独立学院管理学教学模式趋于体验式教学改革的思考

体验式教学重视学习主题的直接经验,具有独特的教学效果.本文结合独立学院开设的"管理学"课程及体验式教学的特点,分析了管理学教学模式趋于体验式教学改革的必要性,并提出了如何在管理学教学上运用体验式教学以实现教学模式成功改革的基本思路.本文突出了通过体验式教学的实施以提高学生素质和增强学生未来适应性的特点,强调学生培养从理论知识本位转到能力本位等方面的必要性,提出了符合独立学院特色的管理学教学模式.     

以合成桔霉素的关键基因为靶标的PCR检测方法与UPLC法检测红曲中桔霉素含量的一致性分析

为了解菌株中桔霉素生物合成基因与其发酵产品红曲中桔霉素含量的相关性,本实验以25株不同来源的红曲菌为研究对象,以桔霉素合成的关键基因为标靶,设计6对引物进行PCR扩增;同时采用传统生产工艺制备红曲,采用免疫亲和柱纯化与UPLC结合的方法测定红曲中桔霉素的含量。对比PCR扩增结果与UPLC检测结果表明,PCR方法得到的结果与UPLC检测结果具有高度一致性,即PCR扩增桔霉素合成关键基因为阳性的菌株,其发酵制备的红曲中桔霉素含量超过了QB/T 2847-2007功能性红曲米(粉)的桔霉素限量标准50 μg/kg,而PCR结果中桔霉素合成关键基因为阴性的,桔霉素含量均低于仪器检测限15.92 μg/kg,远低于QB/T 2847-2007功能性红曲米(粉)的桔霉素限量标准。结果表明,本研究采用的PCR方法可以作为判断传统工艺条件下生产的红曲产品中桔霉素是否超标的依据,也为了解菌株分泌桔霉素的能力提供了基本信息。     

竹浆纤维羊绒混纺针织物生物抛光整理工艺

采用酸性酵素LH(纤维素酶)对竹浆纤维、羊绒、羊毛3种纤维混纺平针织物进行抛光整理.介绍了此混纺织物的柔软处理和生物抛光整理的工艺配方和条件.分析并阐述了酶用量、温度、时间和浴比等工艺参数对生物抛光整理效果的影响,测试并比较了处理前后织物的抗起毛起球性能.得出生物抛光整理的最佳工艺:酶用量为1～2 g/L,浴比为1:5～1:15,处理温度为45～55℃,处理时间为40～60 min,而具体酶用量还须视织物组织比例、厚度、紧密度和克质量等参数而定.生物抛光整理后的织物抗起毛起球性能得到改善.均在4级或4级以上.     

铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究

本文通过直流反应磁控溅射,采用Al N共掺的方法在N2O-O2气氛下制备p型ZnO薄膜.结果表明,衬底温度为500 ℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高,并且比单独掺氮时高近3个数量级.本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响,当衬底温度为500 ℃时,在纯N2O气氛下制备的p型ZnO的空穴浓度最高,为7.56×1017 cm-3,同时薄膜的电阻率和载流子的迁移率分别为94.3 Ω*cm和0.09 cm2V-1s-1.     

FPGA的结构原理及在交流伺服电机中的应用

现场可编程门阵列 (FPGA—FieldProgrammableGateArray)是新型的大规模集成逻辑器件。它采用高级计算机辅助设计技术进行器件的开发与设计 ,其优越性大大超过普通TTL集成门。重点介绍了FPGA的基本组成原理及在交流伺服电机中的应用。     

交流接触器温度场的仿真计算

通过对接触器热稳定状态的热学分析,建立了交流接触器的温度场模型,应用三维有限元法对处于热稳态的交流接触器的温度场进行了仿真计算,并通过实验进行了验证.     

衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响

目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.