基于FPGA的集成电路测试系统设计

随着电路设计技术的不断发展,集成电路的测试对保证电路可靠性的作用日益增加。集成电路的测试不仅对确保电路的可靠性有重要作用,而且可以降低电路与系统的制造成本。本文是基于集成电路的逻辑功能测试理论,通过测试集成电路的逻辑功能是否正常来判断电路功能是否正常。实验结果表明,该系统测试便捷,准确,对于芯片的生产商和使用者都具有较重要的意义。     

干海参外源性总糖的测定方法

建立市场中掺糖干海参(糖干海参)的检测方法。对提取出的外源性总糖进行测定,从而判定干海参在加工过程中是否添加了糖类物质。比较提取溶剂、乙醇体积分数、提取温度、提取时间和料液比对提取条件的影响。最终确定最佳的干海参总糖提取条件为:称取1g样品,加入50mL 80%的乙醇溶液,40℃水浴振荡提取1h。利用苯酚-硫酸法进行测定。该外源性总糖的检测方法线性范围为0～80mg/L;测试液在1h以内稳定性良好;方法精密度满足实验需求,相对标准偏差在2%以内;以淡干和盐干海参为本底,样品加标回收率在82.97%～98.68%之间,相对标准偏差为1.38%～3.45%。本方法操作简单、快速、稳定性好且准确度高,可保留参体结构性多糖。应用于市售样品进行测定,可以有效甄别出掺糖干海参。     

砷化镓量子点太阳电池及材料的研究现状

介绍了目前砷化镓量子点太阳电池的研究现状,主要包括:量子点太阳电池理论分析、量子点结构材料生长与性能表征、量子点太阳电池器件结构设计与制备技术三方面。此外,在对目前研究中所存在的难点问题进行分析后,认为制备高质量的量子点结构材料以及优化量子点太阳电池结构设计是目前获得高性能量子点电池的关键。     

基于属性约简及支持向量机的医疗诊断决策研究

把基于粗集的属性约简方法与支持向量机分类器的基本理论相结合,以提高决策分类的综合性能。将所提方法应用于医疗诊断决策,并对属性约简前后的决策性能进行了比较分析。试验结果表明,利用约简后的数据集,计算复杂性降低,内存需求减少,同时仍能保持较高的决策准确率。     

颗粒增强高铬铸铁基复合材料界面及摩擦学特性

以机械破碎的废弃钨钴钛类硬质合金为增强颗粒,采用负压铸渗工艺制备颗粒增强高铬铸铁基复合材料,通过金相显微镜和X射线衍射仪分析材料的显微结构和物相组成,利用销-盘式两体磨料磨损试验机研究该复合材料的耐磨性能,并将其与工程中常用的热处理态Cr20高铬铸铁材料进行对比.结果表明:由于在铸渗过程中增强颗粒的部分熔解以及W、C、Ti、Co、Fe、Cr等元素的互扩散,在界面处形成了含Fe、W、Co等元素的多种化合物,确保界面的冶金结合;该复合材料的耐磨性比热处理态Cr20高铬铸铁材料有显著提高,且当加载载荷从0.4 kg增大到2 kg时,复合材料的耐磨性表现得更为突出,相对耐磨性是热处理态高铬铸铁的3.5倍以上.     

多通道生物磁感应断层成像硬件系统

分析了生物磁感应电阻抗断层成像的关键技术。根据其成像原理,找到一种适用于磁感应成像的高精度鉴相方法。设计并实现了稳定的程控激励源和弱信号检测电路,完成了一个16通道的磁感应断层成像硬件系统。进行了初步的均匀电导率物理模型成像实验,应用磁感应断层成像重建算法得到了初步的成像结果。实验结果表明：对于电导率接近生物组织的被测目标,可以用磁感应方法进行非接触的成像。在硬件方面,鉴相精度和系统的稳定性是决定成像质量的重要因素。     

刚性卵形弹丸对半无限厚铝合金靶的穿深方程

基于圆柱形空腔膨胀模型,将靶板变形所做的塑性功等效为刚性弹在整个侵彻过程所消耗的动能,对用于计算刚性卵形弹侵彻半无限厚铝合金靶板的侵深公式进行了推导.利用MTS万能试验机对2A12T4、6061T6、7075T6共3种铝合金材料进行了室温下的静态力学性能实验,得到了它们的真实应力-应变曲线,并将各参数代入侵深方程进行计...     

界面约束作用下Ti/Al多层复合材料的力学性能和冲压成形性能

采用热压+热轧复合法在500 ℃制备了3层、5层和7层配置的Ti/Al多层复合材料（LMCs）,研究了拉伸和埃里克森杯突试验过程中复合板的裂纹萌生和扩展行为,分析了界面约束效应对复合板力学性能和冲压成形性能的影响机理。结果表明,复合板界面具有微米级厚度的金属间相,导致其具有较强的界面结合。随复合板层数的增加,其屈服强度（YS）和极限抗拉强度（UTS）增加,延伸率（EL）和韧性降低,且由于热轧形成了强基面织构,复合板力学性能的各向异性明显增加。同时,复合板的加工硬化指数（n）和塑性应变比（r）均降低,屈强比（σ_s/σ_b）增大,这些均导致了复合板的冲压成形性能变差。对于层数较少的复合板,在断裂过程中界面脱粘起了主要作用。由于界面结合不佳,界面易发生分层,通过抑制裂纹萌生、促进裂纹偏转和钝化、降低裂纹扩展的驱动力,有效地延缓了复合板的断裂失效。     

光催化氧化对GaN材料腐蚀电化学及化学机械抛光的影响

考察了氮化镓(GaN)晶片在不同质量分数和pH的溴酸钾(KBrO3)溶液中的腐蚀电化学行为.结果显示,GaN在溴酸钾质量分数为1％时腐蚀电位最低.在此基础上使用光催化氧化法能够显著降低腐蚀电位,使GaN材料的腐蚀速率进一步提高.CMP实验结果显示:紫外光(UV)的加入使GaN在1％KBrO3溶液(pH=4)中的抛光速率...