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高新科学技术与21世纪中国有色金属工业中南工业大学杨建红一、引言当前,世界政治、经济、科技发生着巨大的变化,改革的浪潮遍及世界各地。无论是发达国家还是发展中国家均在调整各自的产业、经济、科技政策和战略,特别在高新技术及其产业的研究和发展方面展开了激烈... 相似文献
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利用直接数字频率合成和单片机控制技术,并综合应用宽带运放和双D/A稳幅设计,设计出能输出两路具有一定相位差的波形驱动控制系统。通过功率放大驱动超声波电动机,该驱动控制系统可以输出正弦波、方波、三角波,并且满足相位步进为1°,电压步进为0.1V,频率步进为1Hz。实验表明该驱动控制系统驱动效果好,通用性强。 相似文献
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通过对两种共沉法制备掺杂氧化锌压敏电阻的研究 ,证明包膜共沉法比混合离子共沉法更易恒定组成 ,并且具有更好的压敏性能。通过对包膜共沉条件包括温度、分散剂、搅拌强度等的进一步研究 ,确定了包膜共沉的最佳条件。用此法制得的压敏电阻 ,其主要电性能指标达到 :泄漏电流 5 0 μA ,击穿电压 180V/mm ,最大非线性系数 44。 相似文献
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化学复合镀制备高活性节能NiCo2O4电极 总被引:1,自引:0,他引:1
在贱金属铁基表面化学镀Ni-Co-P,然后通过化学复合镀制得Ni-Co-P-A12O3底层,复合镀层用NaOH溶液浸出,可制得新型Ni-Co-P微孔活性中间导参中间导地涂覆匹配性较好的NiCo2O4表面活性层,该表面活性层由一定浓度配比的Ni(NO3)2和Co(NO3)2通过高温热解而成。 射结果表明表面活性层是由NiCo2O4组成,不存在NiO和Co3O4的独立相。这种新型表面活性层用于碱性水电 相似文献
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传统方法在分析p-n结理论时仅仅关注了过剩少子的扩散电流,但是随着其浓度梯度的降低,扩散电流趋于零,则电流的连续性将难以理解。另外,如果仅仅考虑过剩少子的注入,则无法理解"中性区"的电中性(即电中性条件将被破坏)。针对以上矛盾,以基本的器件物理为基础,分析并得到过剩多子必然存在于中性区,且其分布和数量与过剩少子相同,因而过剩多子的扩散电流也参与p-n结的电流输运。在充分考虑过剩多子的基础上,对p-n结的工作机理可以有更好、更深刻的理解。理想二极管方程在一些假设下仅仅考虑了空间电荷区两边过剩少子的扩散电流,提供了一个很巧妙地计算总电流的方法。 相似文献
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为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器。在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;并设计了一种无二极管无电阻的参考电平产生电路。基于0.18μm标准CMOS工艺实现了该解调器,其芯片面积为0.010 mm2,满足第2代第1类UHF RFID通讯协议(EPC C1G2)的要求。测试结果表明,当载波频率为900 MHz、调制深度为80%~100%、数据率为26.7~128 kbit/s时,解调器能够解调信号的能量强度范围为-16~+20 dBm。在工作电压为0.8 V时,其功耗仅为0.56μW。 相似文献
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太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优化改进器件性能的措施。阐述并比较了各种太赫兹二极管的特点以及同一种结构不同材料的太赫兹二极管特性,通过对比得出各自的优缺点及适用范围。分类总结了四种不同类型太赫兹二极管的研究进展和它们相应的应用。基于器件结构和先进的半导体材料特性,指出了不同类型太赫兹二极管的未来发展方向,描述了不同类型太赫兹二极管的应用和前景。 相似文献