羧甲基壳聚糖的生物特性及其在医药领域的应用

羧甲基壳聚糖是壳聚糖经羧甲基化而得的一种水溶性多糖,与壳聚糖相比,羧甲基壳聚糖的水溶性提高,具有比壳聚糖更广泛的应用范围.本文综述了羧甲基壳聚糖的抑菌、抗氧化、止血、抑制肿瘤细胞生长等生理活性,并对其在药物载体、医用材料等医药领域应用的研究进展做一综述.     

改变VO_2薄膜光学性能的低注量电子辐照方法

利用能量为 0 8MeV ,注量为 10 12 /cm2 的低注量电子束辐照VO2 薄膜 ,发现低注量电子辐照显著提高VO2 光学性能的温度响应速度 ,并引起薄膜相变过程中的热滞回线宽度变窄 ,但没有对相变温度点造成明显影响 ;通过对比辐照前后样品 370～ 90 0nm的吸收和透射性能 ,表明辐照后吸光度下降、透射率增加 ,在相变过程中四方相附近出现透射、吸收特性的非稳变化现象 ;利用X射线衍射 (XRD)及拉曼光谱对辐照前后样品进行分析 ,显示低注量电子辐照引起薄膜结构的变化 ,并且引起拉曼振动峰位的改变     

制备过程中对VO2薄膜热致相变光电性能的控制

本文利用真空还原Ｖ２Ｏ５的方法制备出优质对ＶＯ２薄膜;研究了不同真空还原时间ＶＯ２薄膜热致相变过程中光电性能的影响;利用ＸＰＳ、ＸＲＤ对薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究。制备的薄膜高／低 电阻变化最大达到三个数量级,９００ｎｍ处的光学透过率在相变前后改变了４０％左右,热致相变性能优良。讨论了不同的真空还原时间下ＶＯ２薄膜热滞回线的宽度、相变温度点以及高低温光透射性能。最后给出了最佳真空还原时间。     

制备过程中对VO_2薄膜热致相变光电性能的控制

本文利用真空还原V2 O5的方法制备出优质对VO2 薄膜 ;研究了不同真空还原时间VO2 薄膜热致相变过程中光电性能的影响 ;利用XPS、XRD对薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究。制备的薄膜高 /低温电阻变化最大达到三个数量级 ,90 0nm处的光学透过率在相变前后改变了 40 %左右 ,热致相变性能优良。讨论了不同的真空还原时间下VO2 薄膜热滞回线的宽度、相变温度点以及高低温光透射性能。最后给出了最佳真空还原时间。     

铜锌改性活性炭的制备及对水中余氯的去除效果

用电沉积铜锌的方法制得改性活性炭。对改性活性炭进行了表征,并研究了其去除水中余氯的情况。结果表明,铜锌均匀分布在活性炭中,改性后的活性炭,对水中余氯的去除率远高于原活性炭。     

大厚度压力壳自动埋弧焊控制系统的PID调节

对大厚度压力壳自动埋弧焊高度跟踪系统,应用计算机实现了ＰＩＤ控制算法和参数整定;采用数据滤波的方法,对离散数据进行平滑处理,消除随机干扰对系统的影响。试验表明,控制系统具有较高的跟踪精度。     

弧形管板空间曲线焊缝的自动焊接

弧形管板自动焊机是用于焊接弧形板与管子相交所形成的曲线焊缝的专用焊接设备。采用国家专利技术,由计算机控制。通过工艺试验确定了合适的工艺参数范围,焊枪姿态以及焊枪起弧及收弧的大致范围等。     

面向边缘计算的制造资源感知接入与智能网关技术研究

针对云端智能制造与智慧服务系统应用中面临的大量异构制造设备资源感知接入困难、数据分析时延大等问题,分析探讨了面向边缘计算的制造资源感知接入特点、应用场景及接入模型构建方法;研究开发了边缘智能网关软件系统,设计了云边协同服务架构,实现了多种通信协议支持、数据采集分发、应用管理与安全防护等功能。分析了云边协同服务模式下边缘节点智能网关的重要作用与任务,结合复杂装备智能制造样板间生产线与虚拟工厂应用系统,实现了制造资源感知接入技术、边缘智能网关功能验证与应用示范。     

高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

报道了分别采用剂量为1×1016,1×1017,5×1017和1×1018cm-2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在SiO2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc-Ge);非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1×1017cm-2,离子注入直接形成的nc-Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc-Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的Ge离子把动能传递给膜中的非晶态Ge原子,使其部分析出并团聚形成能量最低且最稳定的Ge纳米晶态.     

新形势下做好高校教务管理工作初探

高校教务管理工作的优劣关系到办学的经济和社会效益,决定着学校教学工作能否顺利有效的运转.要做好新形势下高校教务管理工作,必须转变管理理念,充分利用信息技术手段,加强教务管理队伍建设,不断推进教务管理工作改革与创新.