适用于零中频802.11a/b/g无线局域网以及蓝牙系统的工作在8.64-11.62GHz的压控振荡器和分频器

本文提出了工作在1.2V电压下用0.13um工艺实现的全集成压控振荡器和分频器。压控振荡器的工作频段是8.64GHz到11.62GHz,可以通过2分频产生适用于802.11a无线局域网（5.8GHz频段）的正交本振信号,通过4分频产生适用于802.11b/g无线局域网和蓝牙协议（2.4GHz频段）的正交本振信号。6位开关电容阵列用来调整所需要的工作频段。测试结果显示压控振荡器2分频后在距离5.5G载波1M频偏处的相位噪声是-113dBc,压控振荡器消耗了3.72mW的功耗,FOMT 是-192.6dBc/Hz。     

一种适用于多带OFDM超宽带系统中的快速跳频3子带CMOS频率综合器

A fast-hopping 3-band （mode 1） multi-band orthogonal frequency division multiplexing ultra-wideband frequency synthesizer is presented. This synthesizer uses two phase-locked loops for generating steady frequencies and one quadrature single-sideband mixer for frequency shifting and quadrature frequency generation. The generated carriers can hop among 3432 MHz, 3960 MHz, and 4488 MHz. Implemented in a 0.13 μm CMOS process, this fully integrated synthesizer consumes 27 mA current from a 1.2 V supply. Measurement shows that the out-of-band spurious tones are below -50 dBc, while the in-band spurious tones are below -34 dBc. The measured hopping time is below 2 ns. The core die area is 1.0 ×1.8 mm^2.     

CMOS低功耗3-5GHz超宽带接收机射频前端

本文介绍了一种新的低功耗射频接收机前端, 适用于3-5GHz的超宽带系统. 基于0.13µm CMOS工艺实现, 该直接转换式接收机由宽带噪声抵消结构的跨导输入级, 正交无源混频器和跨阻负载放大器组成. 测试结果显示该接收机在整个3.1-4.7GHz 频带范围内的输入反射系数小于-8.5dB, 转换增益27dB, 噪声系数4dB, 输入三阶交调点-11.5dBm, 输入二阶交调点33dBm. 工作在1.2V电源电压下, 整个接收机共消耗18mA电流, 其中包括10mA用于片上正交本振信号产生和缓冲电路.芯片面积为1.1mm×1.5mm.     

保护膜厚度对磁光记录薄膜磁特性的影响

本文利用射频磁控溅射方法制备出AIN／TbFeCo／基片磁光薄膜，在磁光记录薄膜上覆盖一层AIN介质薄膜不仅可以防止磁光记录薄膜的氧化而且可以增强磁光克尔效应。在实验中发现AIN薄膜厚度的变化也会影响磁光记录薄膜的磁特性。当AIN厚度从0开始增加时，薄膜的矫顽力随着AIN膜厚的增加而增加，在一定AIN厚度时达到最大值。然后随着AIN膜厚的增加，矫顽力逐渐减小。垂直各向异性常数随AIN膜厚的变化有着同样的规律。研究清楚这一现象对制备实用化磁光盘有着重要的意义，应用应力机制对此现象作出了圆满的解释     

A low power 3-5 GHz CMOS UWB receiver front-end

A novel low power RF receiver front-end for 3-5 GHz UWB is presented. Designed in the 0.13μm CMOS process, the direct conversion receiver features a wideband balun-coupled noise cancelling transconductance input stage, followed by quadrature passive mixers and transimpedance loading amplifiers. Measurement results show that the receiver achieves an input return loss below -8.5 dB across the 3.1-4.7 GHz frequency range, maximum voltage conversion gain of 27 dB, minimum noise figure of 4 dB, IIP3 of -11.5 dBm, and IIP2 of 33 dBm. Working under 1.2 V supply voltage, the receiver consumes total current of 18 mA including 10 mA by on-chip quadrature LO signal generation and buffer circuits. The chip area with pads is 1.1 × 1.5 mm^2.     

应用于802.11b无线局域网的低噪声高线性度的CMOS射频接收机

实现了一个单片集成、直接转换结构的2.4GHz CMOS接收机. 这个正交接收机作为低成本方案应用于802.11b无线局域网系统,所处理的数据传输率为该系统的最大速率--11Mbps. 基于系统设计以及低噪声高线性度考虑,设计了低噪声放大器、直接转换混频器、增益可变放大器、低通滤波器、直流失调抵消电路及其他辅助电路. 该芯片采用中芯国际0.18μm 1p6m RF CMOS工艺流片,所测的接收机性能如下：噪声系数为4.1dB,高增益设置下低噪声放大器与混频器的输入三阶交调点为-7.5dBm,整个接收机的输入三阶交调点为-14dBm,相邻信道干扰抑制能力在距中心频率30MHz处达到53dBc,输出直流失调电压小于5mV. 该接收机采用1.8V电源电压,I, Q两路消耗的总电流为44mA.     

基于RLS算法的OFDM CFO与STO联合估计方法

针对OFDM载波频偏与采样时偏的联合估计问题,提出了一种基于递推最小二乘(RLS)算法的新方法.该估计方法采用递推计算方式,能方便实时地更新偏差量的估计值.仿真结果表明,这一方法与现有的同类方法相比,在相同的信道条件下具有更优的估计性能.     

2.4GHz CMOS高线性功率放大器

采用A类与B类并联的结构,设计了一种2.4GHz高线性功率放大器.输入信号较小时,A类放大器起主要作用;随着输入信号的增大,B类放大器起的作用越来越明显,来补偿A类的压缩,由此显著提高了放大器的线性度.电路主体为共栅管采用自偏置方法的共源共栅结构,提升了功放大信号工作时的可靠性.电路采用中芯国际0.13 μmCMOS工...     

一个6GHz宽带低相位噪声CMOS LC VCO

用SMIC 0.13 μm CMOS工艺实现了一个低相位噪声的6 GHz压控振荡器(VCO).在对其相位噪声分析的基础上,通过改进和优化传统的调谐单元和噪声滤波电路以及加入源极负反馈电阻实现了一个宽带、低增益、低相位噪声VCO.测试结果显示,在中心频率频偏1 MHz处的相位噪声为-119 dBc/Hz,频率调谐范围为6...     

一种超低功耗IR-UWB接收机射频前端

为满足无线体域网接收机超低功耗的要求,设计了一种3~5 GHz超低功耗非相关脉冲超宽带接收机射频前端电路,包括低噪声放大器(LNA)、有源巴伦和平方器。为了降低功耗,采用电流复用技术设计LNA和有源巴伦；同时设计了一种工作在亚阈值区域的全差分平方器,将基于吉尔伯特乘法器的平方器的功耗从mW级降低到μW级。此外,采用电容交叉耦合技术,提高了平方器的转换增益。基于SMIC 0.13 μm CMOS工艺的仿真结果显示,接收机射频前端在开关键控调制1 Mb/s脉冲速率下,其灵敏度达 -81 dBm,能量效率达0.42 nJ/pulse。