美国高清晰度电视的发展与现状

本文作者根据对美国高清晰度电视（ＨＤＴＶ）现状考察的情况，详细系统地介绍了美国大联盟（ＧＡ）系统的形成及关键技术的确定，使用极化方式进行ＨＤＴＶ的频率规划，普通电视采用数字压缩技术的发展状况，以及美国目前正在讨论和实验的数字显频业务。     

高纯锗探测器的快定时性能及其应用

为了将高纯锗（ＨＰＧｅ）探测器用于快定时的物理实验中，本实验研究厂影响高纯锗探测器定时谱仪时间性能的各种因素，找出了获得谱仪最小时间分辨的各种最佳参数。并建立了分辨时间为４．１９ｎｓ，能量分辨率为２０ｋｅＶ，微分非线性好于±２．０％，计效率可承受１２０×１０￣３ｓ￣（－１）的时间微分扰动角关联谱仪。利用此谱仪，以￣（２０４）Ｂｉ为探针核，研究了Ｂｉ系高温超导的微观机理，取得了较好的结果。     

铁电致冷材料及其应用

利用铁电材料的电热效应（即逆热释电效应）可以制作新型致冷器。近年的研究进展表明，铁电致冷有可能发展成为一种新型的室温致冷技术。本文扼要介绍了铁电致冷的基本原理、可行性，以及铁电致冷材料和相关技术的发展，并展望了铁电致冷材料的发展前景。     

同轴型光电器件的研究开发

本文简要地介绍了武汉电信器件公司正在研究开发的同轴型光电器件，新的器件的工艺与结构特点以及主要技术指标、使用前景。     

攀钢转炉炼钢用碳化硅提温的试验研究

低品位碳化硅是转炉炼钢的有效提高温剂。工业性试验结果表明，碳化硅加入８．０ｋｇ／ｔ钢水提温４０．３－７０．３℃（平均４８．４℃）；渣中ＴＦｅ降低１．３％；加提温剂有利于转炉内造渣脱硫和碱少炉渣对耐火砖的侵蚀。文中还给出了攀钢转炉半钢冶炼铸用钢不水时加与不加碳化硅的ｔλ，［Ｃ］λ区域。     

自蔓延高温合成表面涂层技术进展

介绍了自蔓延高温合成技术用于表面涂层的SHS熔铸涂层、SHS气相传输涂层、SHS铸渗涂层、SHS烧结涂层、SHS喷射沉积涂层和自反应涂层技术的原理、应用和发展 ,并指出了存在的问题     

小型波导传感器单元技术研究

本文提出用梯度有效折射率平面波导形成小型波导传感器的方案 ,对关键单元技术进行了分析和实验 ,给出了结构参数测量结果     

氨氮与亚硝酸盐比对推流式ANAMMOX反应器影响研究

进水基质中NH3-N与NO2--N比例是影响推流式ANAMMOX反应器性能的重要参数。该比例与NH3-N、NO2--N、TN的去除率以及NH3-N与NO2--N的反应比例等参数呈良好的相关性。在同一进水TN负荷条件下,存在一个最佳的进水比例,使TN去除率达到最大。NH3-N和NO2--N的反应比例随着进水基质比例的变化而变化。在反应器中发生的ANAMMOX反应可能有多种含氮的产物形式(不仅是N2一种)。进水基质比例的变化可能会导致ANAMMOX反应复杂化,多种反应途径同时并存。     

硅晶片双面超精密化学机械抛光

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.     

Structural trends and dielectric properties of Bi-based pyrochlores

The crystal structure and dielectric properties of Bi-based pyrochlore ceramics with formula Bi_1.5ZnM_1.5O₇ (M=Nb, Ta or Sb) were investigated. The three composition ceramics crystallize in the same pyrochlore structure, but the lattice parameters decrease with decreasing B-site ionic radius. Raman spectra analyses were performed to look for short-range structural differences and indicate that the Ta and Sb incorporation into B-site induce the A-site cations array to be more disordered. Ta or Sb replacing Nb lead to smaller dielectric constant and higher temperature coefficient values. The common characteristics for the three compositions are that they have rather low dielectric loss and high resistivity. The dielectric behavior with temperature for BZS and BZT samples were more flat than that of the BZN ceramics. Dielectric abnormal behavior at high temperature for all samples is typically associated with losses by conduction.