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1.
2.
采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26%﹑刻蚀功率为400 W和刻蚀压力为13.3 Pa时,刻蚀速度达到126 nm/min,TST薄膜刻蚀图形侧壁平整而且垂直度好(接近90°)﹑刻蚀表面平整(RMS为0.82 nm)以及刻蚀的片内均匀性等都非常好。 相似文献
3.
Chemical mechanical planarization(CMP) of amorphous Ge2Sb2Te5(a-GST) is investigated using two typical soft pads(politex REG and AT) in acidic slurry.After CMP,it is found that the removal rate(RR) of a-GST increases with an increase of runs number for both pads.However,it achieves the higher RR and better surface quality of a-GST for an AT pad.The in-situ sheet resistance(Rs) measure shows the higher Rs of a-GST polishing can be gained after CMP using both pads and the high Rs is beneficial to lower the reset current for the PCM cells. In order to find the root cause of the different RR of a-GST polishing with different pads,the surface morphology and characteristics of both new and used pads are analyzed,it shows that the AT pad has smaller porosity size and more pore counts than that of the REG pad,and thus the AT pad can transport more fresh slurry to the reaction interface between the pad and a-GST,which results in the high RR of a-GST due to enhanced chemical reaction. 相似文献
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6.
纳米相变存储技术研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
相变存储技术是纳电子器件发展的主流技术之一,利用其电脉冲操作下的纳秒级的可逆相变过程制备的相变存储器(PCRAM),在嵌入式与大容量存储方面有巨大的商用价值与应用前景,已成为国际大公司开发的热点,PCRAM芯片容量与技术以超常规的速度发展,同时,针对纳米尺度的可逆相变机理、纳米尺度可逆相变的有效控制、低功耗的器件结构、已成为国际上科研界的研究热点,本文对上述情况进行综述,进一步给出我国的PCRAM的研究现状、工业基础、合作状况与展望. 相似文献
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9.
从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性. 采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描. 开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为;而抛光液的pH值为11时,开始向活化转变;当pH值为12时,薄膜处于活化状态. 在动电位扫描过程中,不同的pH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状相似,表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理. 自制碱性抛光液,对Ge2Sb2Te5薄膜进行化学机械抛光,用SEM和EDS对抛光后的结构进行分析. 结果表明,通过CMP实现了Ge2Sb2Te5填充结构. 相似文献
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为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度. 相似文献