AlN陶瓷中的晶界第二相

晶界第二相是ＡＩＮ陶瓷显微结构的重要组成部分，对ＡＩＮ陶瓷的热导率有重大的影响。本工作研究了以Ｙ＿２Ｏ＿３为烧结助剂的无压烧结ＡＩＮ陶瓷中，晶界第二相的组成、含量及其分布，结果表明：晶界第二相的组成主要取决于配料中的Ｙ＿２Ｏ＿３／Ａｌ＿２Ｏ＿３比值，同时也受工艺因素影响；随着Ｙ＿２Ｏ＿３加入量增多，晶界第二相含量呈线性增加，其分布也变成从三个晶粒连接处延伸到所有晶界。还讨论了晶界第二相对热导率的影响。认为只要ＡＩＮ晶格完整无缺，ＡＩＮ相保持连通，即使存在少量的Ｙ＿４Ａｌ＿２Ｏ＿９和／或Ｙ＿２Ｏ＿３第二相材料，预期仍可获得高的热导率。     

AIN-SiC复相材料的制备及其微波衰减性能

以氮化铝、碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,1900～2000℃、氮气氛下,制备了AlN-SiC复相材料。运用XRD,高分辨率透射电子显微镜、网络分析仪等测试手段,研究了微波衰减剂碳化硅含量及AlN-SiC部分固溶体的形成对材料微波衰减性能的影响,结果表明:AlN-SiC复相材料的频谱特性随衰减剂碳化硅含量的变化而呈现出选频衰减、宽频衰减等特性。当衰减剂SiC质量分数少于40％时,AlN-SiC复合材料具有选频衰减特性,SiC含量为40％～60％时,复合材料具有宽频衰减特性。AlN-SiC部分固溶体的形成有助于改善材料的宽频衰减特性。     

Effect of annealing on microstructure and properties of Si_3N_4-AlN composite ceramics

Aiming at developing novel microwave-transparent ceramics with low dielectric loss,high thermal conductivity and high strength,Si3N4-AlN(30%,mass fraction) composite ceramics with La2O3 as sintering additive were prepared by hot-pressing at 1 800 °C and subsequently annealed at 1 450 °C and 1 850 °C for 2 h and 4 h,respectively.The materials were characterized by XRD and SEM.The effect of annealing process on the phase composition,sintering performance,microstructure,bending strength,dielectric loss and the...     

喷射-共沉淀法合成纳米晶CoFe2O4及磁性能

用喷射-共沉淀法成功地制备了纳米晶CoFe2O4铁氧体粉料.研究了不同合成温度对产物晶体结构、微观形貌和磁性能影响.结果表明:喷射-共沉淀法制备的粉料颗粒细小均匀、形状完整.600℃下煅烧1.5h,样品晶粒尺寸为29nm左右,平均颗粒尺寸小于100nm.室温下,样品比饱和磁化强度随煅烧温度增加而增大.850℃煅烧1.5 h时,其比饱和磁化强度Ms为88.6A·m2·kg-1.当晶粒大小为29nm时,纳米晶CoFe2O4铁氧体矫顽力达到最大值64.5kA·m-1,随后又随晶粒尺寸增大而减小.这可能归因于纳米磁性材料存在强烈的晶粒尺寸效应.     

添加剂Y_2O_3对Mg-PSZ显微结构及力学性能的影响

研究了添加Ｙ２Ｏ３对ＭｇＰＳＺ显微结构及力学性能的影响。结果表明,ＭｇＰＳＺ中引入Ｙ２Ｏ３有利于降低烧结温度,促进立方化完全,但烧结体的力学性能有所降低。在１４００℃下热处理,（Ｍｇ,Ｙ）ＰＳＺ材料与ＭｇＰＳＺ一样发生ｃＺｒＯ２→ｔＺｒＯ２的析出过程,析出纺锤状四方ＺｒＯ２晶体。１４００℃热处理１０ｈ获得最大抗弯强度达６４８ＭＰａ,断裂韧性Ｋ１ｃ为８．３ＭＰａ·ｍ１／２。Ｙ２Ｏ３的加入使获得优异力学性能的热处理范围变宽,因而工艺上容易控制。但Ｙ２Ｏ３加入过多使析出困难。最佳加入量为１．０％（摩尔百分数）。Ｙ２Ｏ３的加入还使材料的Ｗｅｉｂｕｌ模数增高至１８．４６,表明（Ｍｇ,Ｙ）ＰＳＺ经热处理后能消除内部缺陷,使材料可靠性提高。     

细晶Al_2O_3-TiN复合物的高温蠕变

研究了Ａｌ２Ｏ３ＴｉＮ复合物在１２５０１４００℃、１０５０ＭＰａ应力范围的压缩蠕变特性。结果表明Ａｌ２Ｏ３中加入ＴｉＮ粒子应变速率有所提高,其最大值在ＴｉＮ的体积分数２０％３０％附近,进一步提高ＴｉＮ体积分数应变速率有所下降。该材料的应力指数约为２１,温度变化对其影响不大,表观活化能为５００６００ｋＪ·ｍｏｌ－１。应变速率的提高可能与Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＮ的界面化学组成有关。     

硬质合金表面Ni-P/纳米Ti(C,N)化学复合镀研究

研究了硬质合金表面Ni-P/纳米Ti(C,N)化学复合镀工艺以及热处理对复合镀层性能影响的规律.结果表明:1) 施镀工艺中各因素对镀速影响的显著性顺序是:温度→pH值→纳米Ti(C,N)加入量→χ(Ni2 /H2PO2-);2) 较好的施镀工艺为:28g/L氯化镍、25.76g/L次亚磷酸钠,50g/L氯化铵、45g/L柠檬酸钠,0.001g/L PbCl2,6g/L纳米Ti(C,N),pH＝10,温度为80℃.3) Ni-P/纳米Ti(C,N)复合镀层较优的热处理工艺为:在400℃保温150min.采用所推荐的施镀和热处理工艺,获得了硬度是硬质合金基体硬度的2.16倍的Ni-P/纳米Ti(C,N)复合镀层.并对以上结果产生的原因进行了简单讨论.     

水基注凝成型技术的研究进展

注凝成型是一种近净尺寸陶瓷成型技术,为制备高性能复杂形状的陶瓷制品提供了一条有效的技术途径.对陶瓷水基注凝成型技术中的悬浮体的制备、凝胶体系的选择、悬浮体的真空处理和固化、坯体和烧结体的性能特点等方面的研究进行了综述,并简要介绍了该技术的国内外应用情况,同时展望了该技术的发展趋势.     

Microwave dielectric properties of Ba6-3xLa8+2x(Ti1-zZrz)18O54(x=2/3)ceramics

Zr substitution for Ti was investigated to modify the dielectric properties of Ba6-3xLa8+2xTi18O54(x=2/3) ceramics.A single-phase solid solution with tungstenbronze-like structure was formed in the range of 0     

Bi掺杂对Ba_(6-3x)La_(8+2x)(Ti_(0.95)Zr_(0.05))_(18)O_(54)(x=2/3)陶瓷的烧结性能和介电性能的影响

采用传统固相反应法制备Ba6-3x(La1-mBim)8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)微波介质陶瓷,研究Bi掺杂对Ba6-3xLa8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)陶瓷的烧结性能、微观结构以及介电性能的影响。结果表明:当0m0.4时,Bi3+取代A1位的La3+生成单相类钨青铜型固溶体;当Bi3+的掺杂量超过这个范围时,La0.176Bi0.824O1.5作为第二相出现在固溶体中;Bi3+的掺入使Ba6-3xLa8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)陶瓷的烧结温度从1400℃降低到1300℃,同时,其介电常数大幅度提高,谐振频率温度系数减小,但品质因数急剧减小;当m=0.05时,1350℃下保温2h烧结获得的陶瓷具有微波介电性能,εr=88.63,Q·f=4395GHz,τf=6.25×10-6/℃。