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制备了与蚕体内相近浓度的再生丝素蛋白水溶液并模仿其腺体内不同部位的pH值(从6.9~5.2)对溶液进行了调节,研究了不同pH下丝素蛋白水溶液的流变性能,并对溶液进行了静电纺丝的尝试.研究结果表明,随着pH值的下降,体系的表观粘度增大,对剪切的敏感性提高;利用静电纺丝技术成功获得了平均直径在700nm的丝纤维,通过拉曼光谱、X衍射、DSC对再生丝素蛋白纤维的结构进行了表征,发现再生丝素蛋白纤维主要是无规卷曲或silk Ⅰ结构,pH值的降低,有利于静电纺丝纤维从无规卷曲或silk Ⅰ结构向silk Ⅱ结构转变. 相似文献
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仿生制备的再生丝素蛋白水溶液的静电纺丝(Ⅰ)——工艺参数及结构特性 总被引:1,自引:0,他引:1
制备出了与蚕腺体内纺丝液浓度和后部丝腺pH值相近的再生丝素蛋白水溶液,利用静电纺丝技术模仿蚕在空气中吐丝的过程得到了再生丝素蛋白纤维.所得纤维的直径在350~4200nm之间,平均直径1700nm.通过正交实验方法考察了各种因素对纤维形态、直径及直径分布的影响,结果表明:所施电压对纤维的形态影响最大;溶液浓度对纤维的直径影响最大;喷头与接受板间距离对纤维直径的分布影响最大.实验得出了一个较好的静电纺丝条件为浓度30%,电压40kV,喷头与接受板间距离20cm.采用拉曼光谱、X衍射、DSC对再生丝素蛋白纤维进行了表征,发现再生丝素蛋白纤维中含有少量的Silk I结晶结构,主要以无定形结构为主,这与天然蚕丝的半结晶结构相比尚有差异. 相似文献
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集成电路制造也称芯片制造,在整个工业产业链中越来越重要,而电化学沉积(电镀)等表面技术起到非常关键的作用。介绍芯片制造中用到的电化学沉积、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、抛光等表面技术的基本情况和特点, 探讨铜互连电镀、化学机械抛光(CMP)、硅通孔(TSV)垂直互连电镀铜填充、芯片表面再布线(RDL)电镀铜工艺、键合凸点(Bump)电镀铜/锡工艺、集成电路引线框架/封装基板的电化学蚀刻工艺等,通过总结电化学沉积等表面技术的发展, 深入分析传统电镀技术在集成电路制造中的新特点,推动集成电路制造技术的进步。 相似文献
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以酚醛树脂材料为原料,采用二次炭化法制备碳分子筛.对影响碳分子筛性能的主要因素进行了探究,得出制备碳分子筛的最佳工艺条件:一次炭化温度为750℃,一次炭化时间为100 min,升温速率为10℃/min,二次炭化温度为850℃,二次炭化时间为2.5 h,活化剂浓度为50%. 相似文献
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用十二烷基苯磺酸钠替换拉开粉后,在其他工艺条件不变的情况下,考察了调节剂丁的用量及加入方式对热法丁腈橡胶( NBR) 合成及性能的影响。结果表明,调节剂丁1 次加入时,随着调节剂丁用量的增加,聚合时间延长,NBR 的凝胶含量、门尼黏度及数均分子量逐渐降低,分子结构未发生明显变化;当调节剂丁分3 次加入时,NBR 的门尼黏度、凝胶含量及数均分子量相对于1 次加入均有所降低,并且随着调节剂丁用量的增加,NBR 硫化胶的拉伸强度和300%定伸应力下降,扯断伸长率提高; 调节剂丁适宜总用量为0. 34 ~ 0. 36 份。 相似文献
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研究了羧基丁腈橡胶合成过程中凝胶形成的因素,考察了相对分子质量调节剂叔十二碳硫醇、聚合温度、反应速率及最终的转化率对凝胶形成的影响规律。结果表明,相对分子质量调节剂的用量对凝胶生成的控制起重要作用,在其他条件不变的情况下,叔十二碳硫醇用量越大则凝胶含量越低; 聚合温度太低或过高都会使凝胶含量增加,于5~8℃下聚合时的凝胶含量较低; 将聚合的反应速率控制在4~5%/h时产生的凝胶相对较少,太快或太慢都易使凝胶生成; 凝胶含量随转化率的升高而逐渐增大,转化率达到一临界值后凝胶含量随转化率的继续增加而急剧上升。 相似文献
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