管内在役检测技术及管道安全性评估

管道内部的在役检测主要分为漏磁检测和超声波检测两种,其历史可追溯到20世纪70年代。经过几十年的发展,对管壁腐蚀减薄状况及管壁其它减薄状况的在役检测技术已日臻成熟。近年来,管道检测的重点已转到对应力腐蚀裂缝（SCC）、氢致裂缝（HIC）、硫化物应力腐蚀裂缝（SSCC）和管壁涂层的在役检测上。超声波检测主要是通过测量超声波信号往返于缺陷的时间差,来确定缺陷和管壁表面之间的距离;测量反射回波信号的幅值和超声波探头的发射位置,来确定缺陷的大小和方位。     

用三点弯方法研究微氮硅单晶机械强度

通过三点弯方法研究普通和微氮硅单晶在室温下的机械强度 ,以及它们的高温抗弯强度 .实验发现 ,由于氮的掺入 ,硅片室温下的机械强度有明显的改善 ,同时证实了高温下氮对位错的钉扎作用 ;研究还指出 ,硅片表面状态和晶向对室温时机械强度也存在影响 .对室温下氮杂质增强机械强度的可能机理进行了探讨     

用三点弯方法研究微氮硅单晶机械强度

通过三点弯方法研究普通和微氮硅单晶在室温下的机械强度,以及它们的高温抗弯强度．实验发现,由于氮的掺入,硅片室温下的机械强度有明显的改善,同时证实了高温下氮对位错的钉扎作用;研究还指出,硅片表面状态和晶向对室温时机械强度也存在影响．对室温下氮杂质增强机械强度的可能机理进行了探讨     

带筋钛合金型材电热耦合仿真与温度场行为分析

对钛合金带筋U型型材开展了电热耦合有限元仿真试验.首先建立具有不同厚度加强筋的U型型材有限元模型,计算并赋予加热过程中不同温度下(20～750℃)的对流换热系数.对型材施加电流,以产生的焦耳热作为内热源,同时考虑型材与环境的辐射换热和自然对流换热,进行电热耦合瞬态仿真计算.通过将带筋型材试验结果与等截面型材进行对比,发...     

城市河道清淤技术应用研究

河道在城市发展进程中起着至关重要的作用,随着工业化的快速发展及城市化进度的不断加快,城市河道水体黑臭问题不断凸显出来,其严重影响城市形象及居民身心健康,所以城市河道清淤工程重要性不言而喻。文章介绍了城市河道常用清淤方式方法,并通过工程实例为清淤技术应用研究提供参考。     

双曲度覆盖件拉延回弹研究

研究了双曲扁壳覆盖件的成形机理及回弹特点，分析了双曲度拉延回弹机理。回弹与曲面部分的变形量有关，拉伸变形量增大，回弹量降低。同时，讨论分析了压边力、板材性能参数等因素对双曲度回弹的影响。     

水系统的节能与技术改造

水资源的枯竭和取用水成本的增加已日益成为制约企业发展的障碍。本文介绍了我公司水系统节能改造的主要内容和取得的效益。     

Co对Fe-Cr二元合金性能的影响

Fe-Cr-Co永磁合金中元素Co一直作为基体元素来处理的.但随着低Co合金研究工作的进展.Co含量已降低到1～5％,Co完全可以作为合金元素来处理.本文主要研究: 1.经磁性、X-射线结构分析等试验得出.在Fe-(25～32)Cr二元合金中,分别加入1～5％Co.合金的相结构仍为a相,Fe-Cr-Co系合金中的γ、σ等复杂的合金相未出现.Co加入提高了合金的饱和磁化强度、Tc和Spinodal分解温度.可使合金磁场处理温度提高,时间缩短. 2.W、Mo、V、Ti、Nb、Zr、Si、Al等扩大a相区的元素对含Co量高的合金(如Fe-23Cr-15Co)表现出有益作用然而对于具有a相结构的低Co合金(≤5％Co)则没有显示出有益作用,相反,由于非磁性元素加入而使磁性下降. 3.本文提出一种分级磁场处理新工艺.既可缩短时间,又能提高合金的磁性,尤其Hc值如Fe-32Cr-4Co合金,其Br=12.0KG,Hc=670Oe,(BH)_(max)=5.9MGOe,又如Fe-32Cr-3Co合金,其Br=12.0KG.Hc=540Oe,(BH)_(max)=4.7MGOe.     

杂质对单晶硅材料硬度的作用

室温下使用维氏硬度计研究了硅单晶表面的接触损伤及硅单晶中杂质对表面损伤的影响 .实验发现 ,硅单晶的硬度不仅与晶体的本身特性——晶向有关 ,还与所掺入杂质的种类和浓度有关 .损伤造成的裂纹倾向于沿着〈1 1 0〉晶向扩展 ,而且 { 1 1 1 }面上的硬度要大于 { 1 0 0 }面 .重掺 n型单晶由于能带结构的变化而使硬度下降 ;相反 ,重掺 p型和掺氮单晶的硬度则由于掺入原子对位错的钉扎作用加强而有所提高     

直拉硅单晶中位错的光致发光

利用低温光致发光谱研究了直拉硅单晶中位错的光致发光.实验发现普通直拉硅单晶在晶体生长过程中引入的位错密度高于107cm-2时,位错的发光光谱出现了典型的位错D1～D4发光峰;而位错密度较低时,光谱中没有出现D1发光峰.而对于掺氮直拉硅单晶中的位错,其发光光谱在0.75～0.85eV范围内均出现了与低位错密度普通直拉硅单晶相同的较宽的谱峰.而且当含氮直拉硅单晶中位错密度高于107cm-2时,在0.75～0.85eV范围内则出现了明显的与原生氧沉淀相关的发光峰.可以认为硅单晶生长过程中引入的位错的发光特性是与位错生成过程中加速了氧沉淀的生成速度以及氮杂质的存在促进氧沉淀生成相关.