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71.
本文介绍了数控直流电流源的设计,该系统采用MCS-51系列的8031单片机为核心,通过稳流模块、控制摸块、显示模块实现了电流的可预置、可步进调整、输出的电流信号可数字显示功能,采用稳定性强的CW338三端可调正稳压器和高分辨率的14位A/D转换器ICL7135来实现设计的精度要求。 相似文献
72.
阐述了数据库技术和虚拟现实技术在斑铜工艺品创新平台中的具体应用,说明了各种技术具体应用的特点和优势,为研究和管理工程设计数据库提供了一种新的方法和思路。 相似文献
73.
74.
本文结合工程实例,阐述了智能张拉系统在公路小箱梁中的应用,全面介绍了预应力智能张拉的原理和工艺,总结了施工过程的管理要求,希望能为智能张拉工艺的推广积累经验。 相似文献
75.
76.
介绍了一种S波段功率SiC MESFET芯片的研制技术。针对SiC材料的特点,对4H-SiC外延材料进行了设计和仿真,同时对Al记忆效应进行了研究,优化了4H-SiC外延生长技术。研究了栅长与沟道厚度纵横比(Lg/a)对短沟道效应和漏极势垒降低效应的影响。采用了凹槽栅结构和体标记电子束直写技术以及热氧化SiO2和SiNx复合钝化层设计等新制备工艺,实现了栅、漏泄漏电流的减小和源、漏击穿电压的提高。测试结果表明,功率SiC MESFET芯片在3.4 GHz频率下脉冲输出功率大于45 W,功率增益8.5 dB,漏极效率40%。测试条件为漏极工作电压48 V,脉宽100μs,占空比10%。 相似文献
77.
78.
S波段脉冲大功率SiC MESFET 总被引:3,自引:3,他引:0
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。 相似文献
79.
据佛山一家登记注册的服务机构的数据显示,今年一季度,在佛山登记注册的建陶商标(品牌标识)只有30多个。与2010年同期80个新品牌注册商标的数据相比,数量明显下降,减少了63%。其中,绝大多数为陶瓷企业,且以抛光砖、仿古砖为主。注册陶企以广西、江西、湖南等地居多,占比达注册商标总数的50%以上。 相似文献
80.
用VBA扩展Microsoft Office 2000功能 总被引:2,自引:0,他引:2
通过一个实例介绍利用VBA扩展Office 2000内置功能的方法。 相似文献