腔体压力对纳米碳管结构的影响

在镍催化剂的催化作用下，利用微波等离子体化学气相沉积法合成了纳米碳管，分析了不同腔体压：匀对所合成的碳材料结构的影响．研究表明，当腔体压力增大时，基片温度上升，有利于纳米碳管管状结构的形成，提高纳米碳管的石墨化程度．     

高取向金刚石薄膜的制备

目的研究不同甲烷体积分数、不同氮气流量分别对金刚石(111)面、(100)面生长的影响,实现在最佳工艺下制备高取向金刚石薄膜。方法采用微波等离子体增强化学气相沉积法制备高取向(111)面、(100)面金刚石薄膜,实验前一组(1~#—3~#)以CH_4/H_2为气源,后一组(4~#—5~#)以CH_4/H_2/N_2为气源,通过采用SEM、XRD分析不同甲烷体积分数下(111)面和不同氮气流量下(100)面的生长形貌、晶粒尺寸以及金刚石晶面特征峰强弱,同时还使用Raman测试两组分别改变甲烷体积分数、氮气流量工艺下金刚石特征峰、石墨峰的变化趋势。结果前一组随着甲烷体积分数的增加,金刚石(111)面逐渐清晰可见,低甲烷体积分数为2%时,H等离子体对金刚石表面刻蚀严重,形成少量表面粗糙的(111)面,当甲烷体积分数升到4.5%时,(111)面生长非常均匀,金刚石质量较高,继续提高甲烷体积分数,薄膜中非金刚石的含量增加,金刚石质量下降。后一组随着氮气流量的增加,金刚石(100)面的生长非常整齐平滑,在氮气流量为5 cm~3/min时,(100)面比较粗糙,由于有含氮基团的加入,其生长速率加快,进一步升高氮气流量到10 cm~3/min时,含氮基团的择优生长促进(100)面占据整个界面,同时削弱了其他晶面的生长。结论前一组甲烷体积分数为4.5%时,(111)面占据整个生长面,生长非常均匀,同时XRD测试金刚石(111)面特征峰也达到最强。后一组氮气流量为10 cm~3/min时,(100)面表面光洁度和平整度达到最佳。     

Numerical Analysis of Plasma Initiated Polymerization

Plasma initiated polymerization is a kind of well-known radical polymerization mechanism, but it has the ＇living＇ polymerization feature and produces ultra-high molecular weight polymer. In order to explain such phenomena, we calculate the basic data of plasma initiated polymerization of methylmethacrylate （MMA） according to the principle of polymer physics and chemistry. It results in that the radical concentration ranges from 10^-12mol/L to 10^-16mol/L corresponding to the radical life in 10^4s to 10^8s, which means the radicals have a long lifetime. Moreover because of the long lifetime radicals it causes a unique feature rather than the common radical polymerization, and also shows no ＂living polymerization＂. It is noticed in experiments that there are two key factors playing important roles. One is the effective radical amount produced during the plasma discharging while the another is the diffusion factor.     

射频溅射法生长ZnO薄膜的参数研究

以ZnO陶瓷为溅射靶材,通入纯氩气,使用射频溅射法在玻璃基片上制备ZnO薄膜,研究了气体压强、基片温度、溅射功率等对薄膜性质的影响。通过XRD及原子力显微镜(AFM)等检测得出制备C轴(002)ZAO薄膜的最佳工艺条件为:溅射压强0.4Pa;溅射功率200W;基片温度300℃。     

平衡盘间隙流动分析及最佳刚度计算

根据平衡盘问隙流动的特点，对粘性流体N-S方程进行了简化，求得平衡盘问隙流动速度、压力、泄漏量和平衡力等参数，并探讨了平衡盘最佳刚度与其结构参数、轴向间隙的关系，得出了灵敏度的取值范围。     

真空波导磁场控制型ECR溅射法的实验研究

微波电子回旋共振（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ，ＥＣＲ）等离子体溅射法是能在低温下制备高质量薄膜的最高镀膜技术。在该技术中，微波输入窗口易受金属粒子污染，导致微波在窗口反射，从而影响装置的正常工作。本文初步探讨了在ＥＣＲ溅射装置中，采用真空波导与共振腔连成一体，在连接处配置磁轭（纯铁），通过改变共振腔与波导连接处的磁场分布，能有效地避免微波窗口污染的技术途径，并较细致的     

氢气流量对大面积金刚石膜沉积的影响

为了实现大面积金刚石膜的高速均匀沉积,在新型多模微波等离子体装置中,利用微波等离子体(Microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)技术,对大面积金刚石膜沉积过程中气体流场、电子密度和温度、基团分布及金刚石膜质量进行研究。流场模拟结果表明,多模MPCVD装置在高气体流量下依旧保持良好的流场稳定性。等离子体光谱结果表明,随着氢气流量的上升活性基团的强度上升。氢气流量在400 cm~3/min以内时,活性基团可在基底表面对称均匀分布。电子密度和电子温度随着氢气流量的上升先上升后下降,在500 cm3/min达到最大,分别为2.3×1019/m~3和1.65 eV。在氢气流量为300 cm~3/min时可在直径为100 mm的钼基底上实现大面积金刚石膜的均匀沉积,金刚石膜中心和边缘处拉曼光谱FWHM值为4.39 cm~(-1)和4.51 cm~(-1),生长速率为5.8μm/h。     

甲烷与氢气的流量比在高功率下对金刚石膜生长的影响

目的 在实验室自制的10 kW微波等离子体化学气相沉积装置中,系统分析甲烷与氢气的流量比在高功率微波等离子体环境中对金刚石膜生长的影响。方法 利用等离子体发射光谱诊断分析高功率微波等离子体放电环境的特征,同时利用SEM及Raman光谱对不同沉积条件下获得的金刚石膜的形貌及质量进行表征,以确定高功率微波馈入情况下甲烷流量的调控原则。结果 微波功率的提高可以有效地增加等离子体中的电子密度,产生更多活性H原子以及CH和C2等有利于金刚石膜生长的含碳气团。在保持微波功率为5000 W、氢气流量为300 mL/min、腔体气压为13 kPa和基片温度为(950±20) ℃的实验条件下,当Q(CH4)/Q(H2)<1.0%时,金刚石膜中二次形核现象明显,晶粒尺寸较小;当1.0%≤Q(CH4)/Q(H2)≤2.0%时,可获得晶粒完整且质量较高的金刚石膜;当Q(CH4)/Q(H2)>2.0%,金刚石膜可获得较大的晶粒,但易产生孪晶。结论 提高微波功率利于活性氢原子的产生,可更充分地活化含碳大分子气体。在本实验条件下,当1.0%≤Q(CH4)/Q(H2)≤ 2.0%时,所制备的金刚石膜具有较高的质量。     

时钟同步技术的发展前景

介绍了钟源技术和锁相环技术,分析了现有的几种时间同步技术,展望了同步技术的发展趋势。     

大功率微波电源的制备研究

研制并测试一种新型的基于CK-619型连续波磁控管、以ATmega 16L单片机为控制核心的大功率微波电源.与以前的微波电源相比,该电源产生的微波能量主要来自于耦合的大功率微波电场所产生的高压直流电能,由此产生的高功率、高密度的等离子体形状基本可以满足通过化学气相沉积大面积高质量金刚石厚膜的实验和工业要求.通过大量时间...