锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]     

用灰色灾变预测理论进行采煤工作面顶板来压预报

论述了利用灰色预测理论进行采面来压预报的可行性，着重应用灰色灾变预测理论研究回采工作面周期来压预测预报；并编制了相应的微机计算程序，利用该程序分析现场实例证明预报精度较高。     

Ti─17合金高温变形机理研究EI

用热模拟压缩试验研究了Ｔｉ－１７合金高温变形特点，通过金相组织和ＴＥＭ观察发现，β区变形是以扩散回复型变形机制占主导地位；高应变速率下只发生动态回复；低应变速率下发生连续再结晶。（α＋β）区变形是界面滑移，高应变速率下易发生动态再结晶。试验还确定了变形激活能Ｑ和应变速率敏感因子ｍ值，β和（α＋β）区中分别为１６１ｋＪ／ｍｏｌ、４３７ｋＪ／ｍｏｌ和０．３２、０．２５。     

高层建筑剪力墙结构阻尼优化控制的解析法

本文采用连续化方法提出了一种剪力墙结构振动控制的优化设计方法。     

第二讲 中文Windows 95的常用操作(下)

初次与中文Windows 95打交道,往往会被它美观舒适的应用环境所吸引,与此同时又会为不知如何使用、如何用好中文Windows 95而倍感焦急。正因如此,这一讲较详细地阐述了中文Windows 95的常用操作方法,包括桌面、菜单、窗口、滚动条、工具栏、对话框、帮助信息等内容。本期登出第二讲的下半部分。