Study on Epitaxial YBa_2Cu_3O_（7－x） Thin Film Deposited on （1120） Sapphire with YSZ Buffer Layer

ＳｔｕｄｙｏｎＥｐｉｔａｘｉａｌＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－ｘ）ＴｈｉｎＦｉｌｍＤｅｐｏｓｉｔｅｄｏｎ（１１2０）ＳａｐｐｈｉｒｅｗｉｔｈＹＳＺＢｕｆｆｅｒＬａｙｅｒＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ（刘安生），ＳｈａｏＢｅｉｌｉｎｇ（邵贝羚），ＣｈｅｎＬａｎｆｅｎｇ...     

快速凝固偏晶合金的显微结构

采用雾化快速凝固技术制备了ＡｌＰｂ二元偏晶合金。对合金的显微结构分析结果表明，在快速凝固条件下，偏晶合金中的第二相形态从带条状转变为颗粒状。随冷速的增加，第二相在基体中的分布更趋均匀、细化；随冷速的降低和第二相含量的增加，第二相趋于分布于材料的表面。本文从凝固过程的凝固速度和固／液界面对第二相液滴的界面排斥对上述现象进行了解释。     

Al-Cu-Li合金的阳极氧化特性(Ⅰ)

本文研究了不同热处理状态下的一种Al-Cu-Li合金在H_2SO_4中阳极氧化时,温度、溶液浓度和电流密度对膜生长的影响。发现在常规阳极氧化制度下生成的膜,具有强烈的化学溶解倾向,样品失重,膜比较薄且松软。降低温度和酸浓度有利于生成厚膜。挤压、热轧状态易于膜生成,经固溶处理后膜生长速率减慢。在阳极氧化过程中伴随着铜在阴极析出。分析了含锂铝合金的阳极氧化机理。     

高温超导材料制备工艺的进展

论述了各种形状高温超导体（膜材、块材、线材和带材）的主要制备方法、特点及其进展情况，还着重介绍了提高临界电流密度Ｊｃ的制备技术及发展。     

磁控溅射法在立方织构镍基底上制备CeO2缓冲层

论述了具有立方织构的金属镍基底上 ,采用射频磁控溅射的方法制备CeO2 缓冲层。以Ar/H2 混合气体作为溅射气体 ,有效地抑制了NiO的形成 ,获得纯c轴取向的CeO2 薄膜。X射线 φ扫描、ω扫描和极图的测试分析表明 ,CeO2 薄膜在平面内和垂直于膜面方向晶粒都是有序排列的 ,具有良好的立方织构。     

高温SQUID磁强计无损检测装置及其在无损检测中的应用研究

介绍了一种新的高TcSQUID无损检测装置和它的应用。SQUID位于金属杜瓦真空夹层中 ,既保护了SQUID ,又减小了被测物体与探头之间的距离 ,同时提高了系统的分辨率。本文利用涡流技术和该装置可以探测到板厚为 2mm的无磁多层铝锂合金板中 40mm× 4mm× 2mm的模拟缺陷 ,这远远大于常规涡流无损检测的深度。     

制备立方织构Ni片的研究

用轧制－再结晶方法制备立方织构镍片,研究了不同的轧制工艺对立方织构形成的影响,用极图和三维取向分布分布函数（ＯＤＦ）对织构进行了测量,分析表明对纯镍,在大变形量下,轧制过程中取向空间的β线是最终稳定线,最终轧制织构中主要织构分量为Ｃ｛１１２｝〈１１２〉、Ｓ｛１２３｝〈６３４〉、Ｂ｛１１０｝〈１１２〉,并分析了这三种织构对丙结晶立方织构的影响,再结晶织构主要为立方织构｛１００｝〈００１〉和少量Ｒ织构