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用改进分析型嵌入原子模型(MAEAM)计算了Mo-Pd二元合金在2个典型温度的边际固溶度。在淬火温度为1473K时,Pd在Mo(a相区)中的边际固溶度为0.6%(原子分数,下同):Mo在Pd(声相区)中的边际固溶度为26.8%;在包晶温度2028K附近,Pd在Mo(a相区)中的边际固溶度为1.1%;Mo在Pd(声相区)中的边际固溶度为29.5%。计算结果与已有理论和实验结果大体上是吻合的。 相似文献
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研究了原子尺寸因数和电子因素对准晶形成的影响。利用原子尺寸因数和电子因素构成键参数坐标系统,对稀土族13个金属(La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Yb,Ln)基,已有实验结果的55个准晶进行了系统的研究。研究结果表明:在键参数图中,准晶合金形成区与非形成区明显区分开,准确率为92.73%,并且区分边界可用一条椭圆函数曲线描述,椭圆曲线方程为:(x-m)^2/c^2+(y-n)^2/d^2=1,椭圆曲线参数m,n,c,d可由基体元素的相关参数确定,同时对可能存在的新的二元准晶进行了预测。该方法为定性研究及寻找新型稀土金属基准晶合金开辟了一条新的途径,在材料研究领域具有理论指导意义。 相似文献
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氧化物固溶体晶格常数的变化是影响材料制备和应用的一个重要因素,从理论上预测氧化物固溶体晶格常数的变化规律是材料学家常用的从理论上研究物性参数的方法之一。我们推导出立方相氧化铝系纳米固溶体晶格常数与组成固溶体的氧化物的成分的关系,并用于Al2O3—MgO、Al2O3—Y2O3和Al2O3-MgO-Y2O3系纳米固溶体晶格常数的计算,发现和用湿化学方法制备的立方相氧化铝系纳米固溶体晶格常数实测的结果基本一致,误差分别不大于3.35%、1.25%和1.22%。 相似文献
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高k栅极电介质材料与Si纳米晶体管 总被引:2,自引:0,他引:2
Si MOS晶体管进入nm尺度后,原来通用的栅极介电材料SiO2已不能适应纳米晶体管继续小型化的需要,必须用高k栅极电介质材料取而代之。对Si纳米晶体管为什么要采用高k栅极电介质材料、此类材料的物理性能和电学性能、与Si之间的相容性以及材料中缺陷对其性能和器件的影响等一系列问题进行了论述,并且讨论了高k栅极电介质材料的进一步发展。 相似文献
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