非晶态纳米Fe—W—B合金粉末的制备及结构

用ＫＢＨ４化学还原ＦｅＳＯ４和Ｎａ２ＷＯ４制备了ＦｅＷＢ合金粉末。研究了改变溶液中的金属盐比例及ＫＢＨ４浓度对制备的影响。Ｘ射线衍射及电镜分析表明，合金粉末为３０～１００ｎｍ球形粉末，结构为非晶态。实验表明，有些粉末中有明显的非晶氧化物存在。     

纳米钛合金成分聚集的改进Miedema模型

考虑表面效应,利用改进Miedema模型推导得到纳米二元合金形成焓的计算公式,并将它用于二元Ti-M (M＝Si, Fe, Zn, Tc, Cd, Re, Os, Pb, Bi)纳米合金形成焓的研究。结果表明,对于同一成分的纳米合金来说,随着晶粒粒径的减小,形成焓增加,合金稳定性降低。晶粒尺寸在10 nm以下时,成分聚集现象十分明显,合金的聚集方向和聚集程度由聚集驱动能控制。     

高k栅极电介质材料与Si纳米晶体管(续)

从上述讨论可以看出，世界上许多的研究组直到眼下都在系统地研究高k的电荷捕获和由捕获所产生的特性，特别是在高电应力和高温条件下的测定，并且利用这些捕获的空间和能级分布来进行解释。这大大地加深了对于高k介电体电荷捕获问题的理解，但显然问题并没有完全解决，仍然需要继续工作。     

纳米晶体管研究进展

纳米晶体管是尺寸小于100nm的晶体管。纳米晶体管大大提高了晶体管、集成电路、计算机以及其他电子器件的性能。Intel公司正在进行50nm以下Si晶体管的研制,他们研制的THzCMOS平面晶体管克服了小尺度给纳米晶体管制作所带来的诸如栅极漏电流、关闭状态下的漏电流、电阻增加以及开通电压升高等一系列困难。目前,Si纳米晶体管的小型化并没有停止的趋势,除此以外,碳纳米管晶体管、Mott转变纳米晶体管以及有机纳米晶体管都在受到大力关注和正在研制之中。     

纳米技术与“超级士兵”计划

新世纪伊始,当时的美国总统克林顿在加州工学院(CIT)公开宣布了国家纳米技术创新计划(NNI)。2003年1月16日,参议院通过了“21世纪纳米技术研究和发展法案”,将纳米技术作为美国的科技国策。美国对纳米科技进行大力投资,当年政府的投资2.7亿美元,2005年增加到10.81亿美元,5年内翻了4番。实际上注入到纳米科技的总资金还要高得多。美国如此起劲地率先在世界上搞NNI,大力进行投资,其目的就在于继续维持其科技霸主地位,在政治、军事和经济方面捞取最大利益。有资料表明,到2008年纳米技术市场金额将达到300亿美元。其利润之丰厚可想而知,难怪…     

用非晶态合金层使金属材料表面改性

论述利用新发展起来的激光束,电子束和离子束技术,以及化学溶液镀层技术,使金属材料表面获得非晶态合金层,这种非晶合金层使金属材料的表面性能大大得到改善,扩大了非晶态合金的应用。并对上述非晶表面层形成的机理和规律等问题进行了探讨。     

化学镀Fe-Mo-W-B合金镀层及其耐蚀特性

采用化学镀技术，以KBH4为还原剂，施加Cu-Al金属偶，在Cu基片上首次制备了Fe－Mo－W－B合金镀层。研究了镀液中不同Na2MoO4·2H2O和KBH4浓度时镀层的沉积速率、镀态时的表面形貌和结构。利用静态浸泡法研究了合金镀层的耐蚀特性。     

未来数据储存技术与硬盘的发展(续)

<正>4全息储存技术中的几个重要问题在全息储存中既希望数据储存容量大又希望数据传输率高,而且全息图像还要稳定。Stanford大学Hesselink教授的研究组在2004年结合他们自己以及他人的HDSS,对此进行了较系统的分析和讨论[47,51]。下面本文分几个问题进行讨论。     

小型化牵动下的硬盘技术

逐一分析了硬盘中的磁头、盘片等主要构件以及飞行高度发展至今的小型化过程,从而显示出当今硬盘技术发展的概貌;分析讨论了超顺磁效应,指出硬盘小型化要想继续下去必须另辟新路。     

化学镀Co-P合金工艺研究

研究Co－P合金化学镀工艺，测定金属盐、还原剂和络合剂浓度、pH值以及温度对镀速的影响；测定了合金镀层的成分和结构。