PWM整流器高功率因数的实现

论述了交流斩波电路中控制部分的工作原理，并对该电路中电抗器的取值进行了计算。采用16位80C196KC单片机能使控制电路非常简单，并容易实现高频开关器件整流器的高功率因数。     

基于Level set方法的医学图像分割

本文引入了一种基于偏微分方程的曲线进化方法—Level set方法,通过与Fast marching方法的结合,可以实现运算速度的大大提高。同时引进了更有效的Kim提出的GMM(Group Marching Method)方法,减少了运算量,并给出了改进方法。最后,把该方法用于仿真图与医学图像分割中,获得了较好的效果。     

基于MPC860处理器的双PCMCIA以太网口实现

MPC860芯片因其丰富的按口和强大的通信处理能力而被广泛应用于通信领域。但是，它不能直接扩展出两个以上的10／100Mbps自适应以太网口，限制了应用。该文分析了实现中的关键问题，提出一种基于其PCMCIA接口扩展的双100Mbps以太网接口的实现方案。     

用VB实现局域网通信

程序员无须了解TCP或低级Winsock API调用实现的细节，只需通过设置控件的属性并调用其方法就可轻易连接到一台远程计算机中，并且实现双向交换数据。本文介绍在VB环境下如何使用Winsock控件实现局域网通信。     

熔融 NaCl-(Na,K)_2SO_4引起的 Fe-Cr 合金的热腐蚀

本文采用电化学方法研究了 Fe-Cr 合金在800℃、熔融 NaCl-(Na,K)_2SO_4中的腐蚀行为,并对腐蚀产物进行了观察和分析。结果表明,提高合金 Cr 含量可以改善合金耐蚀性能。氧化-硫化是Fe5Cr、Fe10Cr 合金腐蚀破坏的主要方式;氧化膜的熔融反应是 Fe20Cr、Fe25Cr 合金加速腐蚀的主要原因。同时,氧化膜的机械破裂也加速了合金的腐蚀。     

高温稀土永磁Sm2(Co,Cu,Fe,Zr)17 的制备和性能

制备了高温稀土永磁材料Sm(Coba1Fe0．26Cu0．05Zr0．026)7．0，研究了磁性能与工艺条件的关系．结果表明：提高烧结温度可使材料的Br和(BH)max增大，但是使Hci降低；适当提高真空预烧温度，可使材料在较低烧结温度下致密化，具有较高的Hci和(BH)max和温度稳定性．真空预烧温度过高使性能的急剧降低，其主要原因是Sm的析出．在最佳工艺条件下材料的磁性能参数分别为：Br1．08T3Hci2286kA／m，Hcb932kA／m，(BH)max220．8kJ／m^3；β20-200℃为-0．19％／℃．     

mc-Si:H/c-Si solar cell prepared by PECVD

Hetero-junction solar cells with an mc-Si:H window layer were achieved. The open voltage is increased while short current is decreased with increasing the mc-Si:H layer's thickness of emitter layer. The highest of V oc of 597 mV has obtained. When fixed the thickness of 30 nm, changing the N type from amorphous silicon layer to micro-crystalline layer, the efficiency of the hetero-junction solar cells is increased. Although the hydrogen etching before deposition enables the c-Si substrates to become rough by AFM images, it enhances the formation of epitaxial-like micro-crystalline silicon and better parameters of solar cell can be obtained by implying this process. The best result of efficiency is 13.86% with the V oc of 549.8 mV, J sc of 32.19 mA·cm-2 and the cell's area of 1cm2.     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.     

氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性研究

测试了氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性，讨论了颗粒形态，加热电压、环境气氛、气氛浓度和注入方式等因素对电阻响应-恢复特性的影响。结果表明，随着加热电压的升高，电阻响应-恢复的速度和程度明显加大；断续注入时颗粒膜电阻值的响应随着浓度的增加逐步减弱．