电信光网络的节能技术综述

对电信网中的核心网、城域网和接入网这三个部分的能耗进行了调研和总结,并对这三个网络部分的节能技术的发展现状进行了综述。最后,对光网络的节能技术的未来发展方向进行了展望。     

光网格计算的节能型业务调度

近年来节能问题成为了光网络研究领域的一个热点问题。基于光网络底层架构的光网格计算的资源由计算资源和通信资源两部分组成。提出了一种基于混合整数线性规划的综合优化这两部分资源能耗的业务调度方法,分析了其节能效果,并分析了业务并行程度与光网格总能耗的关系。     

GaInP/GaAs/Ge叠层太阳电池的研制及其温度依赖性分析

利用MOCVD方法制备了GaInP/GaAs/Ge叠层太阳电池。测试了I-V特性,并测试分析了该电池性能在30℃至170℃温度范围内的变化情况。测试结果表明,随着温度的升高,短路电流密度略微增大,温度系数为9.8 (μA/cm2)/℃;开路电压以系数-5.6mV/℃急剧下降;填充因子也随之下降（-0.00063 /℃）;电池的转换效率随温度升高线性减小,温度从30℃升高至 130℃时,效率从28%下降至22.1%。最后,本文对该叠层电池随着温度变化的特性给予了详细的理论分析。     

石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控

利用磁控溅射在石墨衬底上制备了非晶硅薄膜,并使用快速热退火对薄膜进行了晶化处理。XRD分析表明,直接溅射沉积在石墨衬底上的硅薄膜经过快速热退火后具有高度的(220)择优取向。通过在硅薄膜和石墨衬底界面处引入一定厚度的ZnO中间层,晶化后的多晶硅薄膜择优取向实现了从(220)向(400)的转变,从而非常有利于将成熟的制绒工艺应用于该材料体系的电池制备过程中。对于择优取向的转变提出了解释,认为Si(100)面和ZnO(001)面晶格匹配是主要原因。喇曼分析表明ZnO中间层的引入提高了多晶硅薄膜的晶体质量。     

大功率外腔半导体激光器的研究

介绍了一种用光栅作为外反馈元件，采用普通大功率半导体激光器管芯作为增益介质的方案。实验中实现了输出功率大于７０ｍＷ，边模抑制比大于３０ｄＢ。并对影响大功率外腔半导体激光器特性的参数进行了分析     

掺铒光纤放大器的新进展

从掺铒光纤放大器的放大原理、结构、放大特性和应用等方面，评述了其新进展。     

量子电子器件——谐振隧道热电子晶体管(RHET)

RHET是一种新型高速功能器件,在这种器件中,电子谐振隧穿量子阱谐振隧道势垒(RTB)从发射极注入到基极中,然后以准弹道方式传输到收集极。其主要特点是,高速的电荷传输和宽的负微分电阻。本文综述了RHET的研究与进展,并介绍了采用RHET构成的集成电路。     

改进泄漏项分割技术的二维/一维耦合方法

泄漏项是二维/一维耦合计算方法的关键要素.为了在不显著提高计算负担的同时提高精度,本文提出了改进的泄漏项分割技术来解决负角通量问题.采用了方位角傅里叶级数展开的方法处理各向异性泄漏项,泄漏项的存在可能导致二维输运计算的角通量为负值,进而导致迭代发散.该方法更好地解决了二维方程和一维方程的一致性问题,相比于传统修正方法具有更好的精度和收敛性.