贵金属修饰型TiO2 的催化活性及Fermi能级对其光催化性能的影响

采用自制纳米TiO2粉末,以磷酸铝为粘结剂,制备了负载型TiO2光催化剂。将Ag,Pt或Pd3种金属的盐溶液滴涂在负载TiO2的表面,从而得到修饰型负载光催化剂(M／TiO2)。通过甲基橙溶液降解实验研究了贵金属的掺杂种类和含量对TiO2光催化性能的影响。实验结果表明：适量掺杂Ag,Pt或Pd3种金属粒子均可提高TiO2的光催化活性,且3种金属粒子的最佳掺杂质量分数分别为0．5％,1．0％和1．0％。在最佳掺杂量时,Ag／TiO2[w(Ag)=0．5％]的光催化活性要高于Pt／TiO2[w(Pt)=1．0％]或Pd／TiO2[w(Pd)=1．0％]。另外,通过金属-半导体接触理论阐述了M／TiO2的光催化机理,并通过Ag,Pt,Pd金属的Fermi能级的不同,解释了Ag／TiO2,Pt／TiO2和Pd／TiO23种光催化剂催化性能的差别。     

铈掺杂对PSN-PZN-PMS-PZT压电陶瓷性能的影响

采用二次合成工艺制备PSN-PZN-PM S-PZT五元系压电陶瓷。研究准同型相界组成点处铈掺杂对压电陶瓷介、压电性能影响。结果发现随着C eO2的添加,介电常数增加,居里温度降低;压电常数增加;机械品质因数和机电耦合系数下降;铈掺杂在强场下对该系统介电性能的影响基本上和弱场下的变化趋势相近,随着外加场强的增加,介电常数和介电损耗增加。     

高分子型表面活性剂在氧化锆粉末制备过程中的作用(一)

本研究初步探索了高分子型表面活性剂的用量、添加过程和添加方式对氧化锆陶瓷粉末性能的影响。实验结果表明:在陶瓷粉末制备过程中,适当地利用高分子型表面活性剂代替醇脱水工艺,同样可以制取高活性、超细 ZrO_2、ZrO_2(Y_2O_3)粉末。适量的高分子型表面活性剂可以改善粉末制备过程中组分粒子的分散状态,对控制粉末的团聚状态,提高组分的均匀性有着积极的意义。而且在某种程度上,提高了粉末性能,缩短了制粉工艺周期,降低了成本。本文还就粉末性能的综合评价提出了一些看法。     

凝胶注模用高性能微米-纳米晶须氮化硅料浆的制备研究

首次采用PEG400为增润剂,制备了固相体积含量高达60%、粘度低于1 Pa·s、具有良好分散性的微米-纳米晶须氮化硅料浆,用于凝胶注模成型.考察了增润剂在微米-纳米晶须氮化硅凝胶注模体系中对料浆粘度以及稳定性的作用.通过测量增润剂在颗粒表面的接触角表征其润湿性,测定了增润剂在颗粒表面的吸附等温线表征其吸附特性,进而探讨了其润湿机理.增润剂作为表面活性剂,吸附于颗粒表面,从而提高颗粒与水介质的相客性,起到了增润作用.     

WO_3-SiO_2复合薄膜的烧结温度–相组成–气敏特性关系

以钨酸和正硅酸乙酯(tetraethyl orthosilicate,TEOS)为原料,采用改进的溶胶–凝胶工艺,在Al2O3基底上制备WO3–SiO2复合薄膜,重点考查复合薄膜的烧结温度、物相组成及气敏性三者之间关系。用X射线粉末衍射仪和场发射扫描电子显微镜表征复合薄膜的微观结构,结果表明:在烧结温度为500℃与650℃时,复合薄膜为立方相和正交相混合相,复合薄膜的晶粒尺寸为25～30nm,分布均匀。650℃烧结时,对还原性挥发性有机化合物(volatileorganiccompounds,VOCs)气体中丙酮具有较好的敏感性。750℃烧结时,复合薄膜只有单一的正交相,晶粒尺寸在30nm左右,此时复合薄膜对氧化性气体NO2具有很好的敏感性与选择性,最低响应浓度(体积)为10–7,响应时间为2s,恢复时间约为10s。     

PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷性能的研究

采用二次合成工艺得到了PSN—PZN—PMS—PZT五元系压电陶瓷。实验数据表明：组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳。在此基础上，分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。结果表明，在合成温度为860℃时可得到钙钛矿结构。烧结温度1260℃保温3h条件下，得到一种综合性能优良的压电材料。主要参数为：ε33^T/ε0=1390，tanδ=0．32％，d33=303pC／N，kp=55．1％，Qm=1180。定量Sr^2＋、Ba^2＋的加入使相界向富锆方向移动，性能参数为，ε33^T/ε0=1162，tanδ=0．30％，d33=307pC／N，kp=56．8％，Qm=1230。     

钛酸丁四酯-二乙醇胺-水-乙醇系溶胶制备TiO2薄膜

研究了钛酸四丁酯－二乙醇胺－水－乙醇系溶胶特性，表明二乙醇胺有抑制Ｔｉ（ＯＢｕ）４水解，稳定溶胶粘度的作用有利于制备ＴｉＯ２薄膜。该系溶胶浸涂制备ＴｉＯ２薄膜时易出现裂纹，加入干燥控制剂二甲基甲酰胺要有效地消除裂，得到均匀致密的ＴｉＯ２薄膜，这种薄膜与玻璃基片有很强的结合力。     

堇青石粉末合成及其烧结特性的研究

以热喷雾法制备的MgAl2.6(OH)x粉末、水玻璃和MgCb为原料,用沉淀包裹法制备堇青石前躯体粉末。通过控制沉淀过程中体系的pH值,在MgAl2.6(OH),粉末粒子上形成无定形连续包裹层。烧结过程中,在700℃之前,包裹层与被包裹粒子反应形成无定形相;在850℃,从无定形体系中析出的纳米尖晶石对致密化烧结过程没有影响,相反,方石英的析出将阻碍烧结。堇青石的烧结属液相烧结,其致密化过程发生在堇青石合成之前。700℃煅烧的堇青石前躯体在1250℃烧结2h,其相对密度可达96．4％。     

Cr2O3掺杂Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3压电陶瓷的性质

探讨了Cr2O3掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（简称PMSZT）压电陶瓷性能影响.通过X射线衍射,电子顺磁共振以及扫描电镜分析了PMSZT＋z Cr2O3（z=0.2%～0.8%,质量分数）陶瓷的相组成,元素价态以及显微结构.结果表明：合成温度900℃保温2 h后,可以得到钙钛矿结构.随着Cr2O3掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同相界向三方相移动.掺杂Cr2O3的质量分数为0.6%时：相对介电常数εr=1 650,介电损耗tanδ=0.006,压电常数d33=328 pC/N,机电耦合系数Kp=0.63,机械品质因数Qm=2 300,电性能优于Cr2O3掺杂量为0.2%,0.4%,0.8%的样品,但比未掺杂时的稍差.随着Cr2O3掺杂量的增加,PMSZT陶瓷的Curie温度降低,谐振频率变化率随温度变化由正变负.