多功能15％克霉灵弥散型烟剂成烟率的测定

本文介绍了以百菌清为主要成分的多功能15％克霉灵弥散型烟剂有效成分含量及成烟 率的测定方法。研究结果表明：利用该文设计的装置及气相色谱法，可获得较好准确度和精密度，并具有简便、快速等特点。     

如何提高我国IC陶瓷封装技术水平——浅谈建立我国的封装技术中心

本文依据我国发展半导体，集成电路外壳制造技术和封装技术的几十年实践经验，从当今国内，外封装技术的研究发展出发，对如何提高我国ＩＣ陶瓷封装技术水平进行了分析和探讨。本文首先阐明外壳与封装的关系，然后介绍我国陶瓷封装技术的现状和差距，提出建立我国陶瓷外壳封装技术中心的意义，作用和实施方案。     

优化工艺改善H型钢的横向冲击韧性的研究

研究了低碳含铌海洋石油平台用H型钢横向低温冲击韧性的影响因素，并通过优化生产工艺改善了成品的带状组织，从而保证了石油平台用H型钢的－20℃横向冲击韧性满足美国石油协会（API）Ⅱ类钢材的要求，研究工作为控制和稳定铌微合金化钢产品的性能，开发海洋石油平台用H型钢新产品提供参考。     

嘌啉与金属嘌啉

概述了嘌啉和金属嘌啉化合物及其结构、合成和用途。     

大规模集成电路的可靠性与失效机理

本文在介绍了大规模集成电路可靠性重要意义的基础上,阐明影响其可靠性的若干因素。并着重研究和分析了大规模集成电路尤其是超大规模集成电路的失效机理。     

干法腐蚀中的损伤效应

由定向干法腐蚀产生的半导体和绝缘体的损伤类型有内部的键损伤、杂质和腐蚀离子渗透!以及残渣涂层或薄膜形成物。这种损伤表明可以改变结构特性,化学特性和电特性。至今,克服这一问题的成功方法都集中在以液体为主的清洗步骤、湿法化学或炉子退火等方面。很显然,高温炉子退火和湿法清洗方法,在将来的器件制造过程中的应用将会更加困难。因此,人们正在把注意力转移到其它方法上。在这多方法之中有用来除去残渣、渗透层和键损伤层的各向同性(非定向的干法腐蚀和用来除去键损伤的快速热退火方法。     

CVD外延设备

在MOSLSI技术在持续飞速地向前发展中,由于用减压CVD法提高了膜厚均匀性,用等离子CVD法生长的膜提高了可靠性高等,由此观之,CVD技术在提高LSI性能中起着重要作用。目前,LSI的高速化,高集成度化在不断地向前发展,用各种CVD法生长成的薄膜不仅要求提高其质量,而且为了提高生产率要求装卸硅片自动化,要求硅片大直径化等。另一方面,由CVD法生成代替以前作为电极布线材料的多晶硅膜的高融点金属或其硅化物生成,由光学CVD法生长的薄膜等,这     

导流洞改建为孔板泄洪洞水力学问题研究

本文对导流洞改建为孔板泄洪洞时的孔板体型与阻力系数的关系、出口水流收缩系数的计算、泄流能力的计算、雷诺数对孔板初生空化数的影响、初生空化数与体型的关系等进行较深入的研究，提出了系统的计算公式和设计方法。文中提出的消涡环不仅抑制了孔板上游的角隅漩涡，并且还收到了增加阻力系数和结构强度的效果。     

选矿厂矿浆品位自动分析——载流X荧光分析仪

载流X荧光分析仪,是以X射线为一次辐射源,采用集中的进样装置,连续依次测定许多种矿浆品位的一种大型精密分析仪。现简要介绍其原理。一、X射线的产生及衍射图1是一种产生X射线的射线管。其中K是发射电子的热阴极,A是山钨、钼、铬、