涡轮LP-MOCVD研制高亮度红光发光二极管

采用涡轮LP MOCVD外延技术 ,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长 2 0对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管 (LED)。外延片解理成 30 0 μm× 30 0 μm管芯后 ,在 2 0mA的电流注入情况下 ,得到的发光波长峰值 6 48nm ,平均亮度 38.9mcd ,最高亮度达到4 9.8mcd ,封装成发射角为 15°的LED灯 ,平均亮度达到 2 0 0 0mcd。     

AlN/蓝宝石模板上生长的Al_(0.6)Ga_(0.4)N薄膜结构与光学性能研究

采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分Al0.6Ga0.4N薄膜,并采用高分辨率XRD(HRXRD)及阴极荧光(CL)方法对其进行了表征.结果表明,AlGaN薄膜产生了相分离,其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率.     

发光二级管照射对腰部理疗作用分析

发光二级管照射对腰部理疗的临床试验，并对理疗效果进行了分析。设计发光二极管阵列，通过理疗部位的调整，可以对与腰部相关的病症起一定的理疗效果。     

基于对数关系的多量子阱VCSELs阈值特性研究

采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系。为改善VCSELs阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。     

缓冲层用于改善硅基氮化镓外延薄膜质量

介绍了GaN材料的基本特性及重要意义,讨论了在Si衬底上外延GaN的可取之处以及存在的主要问题。详细阐述了各种不同材料以及不同结构的缓冲层应用于MOCVD方法在Si衬底上外延GaN,及其所取得的最新成果。对缓冲层降低应力的机制进行了说明。     

III-V族混合晶体的长波长光学声子

在修正的随机元素等位移——MREI模型的基础上建立了一个新模型，计算了AB1-xCx型III-V族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系。模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数，同时，运用离子晶体结合的重叠排斥能，估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化，而非常规的线性变化。最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAxx，和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据，两者符合较好。     

人工蛋白石光子晶体制备技术及改性研究进展

人工蛋工白石是一种极有前途的三维光子晶体带隙材料，介绍了二氧化硅人工蛋白石光子晶体在制备方面的研究进展及其改性研究的发展现状。     

高亮度发光二极管外量子效率的计算

本文对典型结构高亮度发光二极管（ＨＢ－ＬＥＤ）的注入电流扩展以及器件的光输出进行了详细的理论分析，结果表明具有较厚顶层的器件容易实现注入电流的扩展，而具有较厚的底层即具有透明衬底的器件容易实现光耦合输出，因此引入较厚顶层和底层是提高ＬＥＤ的外量子效率的有效手段．最后分别计算出不同顶层厚度下具有吸收衬底和透明衬底的ＬＥＤ的外量子效率，这两类ＬＥＤ 最大外量子效率分别为 １２．０５％和２０．１２％．     

MOCVD生长MgS薄膜

我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．     

高失配度ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格的界面应力和结构参数(英文)

In this paper,we discuss the interfacial strain in high mismatch (4.7%) ZnSe1-xSx-ZnSe SLS by elastic strain theory and angle positive of satellite peaks in X-ray diffraction pattern. We obtain the calculating formula on SLS' structural parameters.In SLS structure the lattice parameter a", parallel to the substrate plane, is different from the lattice constant of the substrate or the buffer layer. A compressive strain (e"Zns) is introduced in ZnSe layer, while a tensile strain(e"Zns) acts in ZnS layer. On the other hand, the lattice parameters normal to the wafer surface a1 and a2 are related to a". From the X-ray measurment of (400) diffraction we can get the SLS' period D and "zero-order diffraction" angle θ0, then solve every parameter including Lz, LB X, a", a1, a2, etc.