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低温制备透明导电膜SnO2:F及其结构和性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
SnO2:F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料。本文采用超声喷雾热解成膜技术,对沉积装置进行了改进,同时对反应液配方进行了优化,制备出透明SnO2:F导电薄膜。用XRD、UV/Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究。结果表明,在360℃沉积温度下制备的SnO2:F薄膜,其方块电阻为4.7Ω,(200)面择优取向明显,薄膜晶粒均匀,表面形貌有所改善,透明度有所提高。 相似文献
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碲化锌插入层对碲化镉太阳电池性能参数影响的分析 总被引:5,自引:1,他引:4
分析了有Zn Te/ Zn Te∶Cu插入层的Cd Te太阳电池在能带结构上的变化.通过对比有无插入层的Cd Te太阳电池在C- V特性、I- V特性、光谱响应上的不同,肯定了插入层对改善背接触特性的作用,发现它还可以改善器件前结Cd S/ Cd Te的二极管特性和短波光谱响应.实验结果还表明,不掺杂的Zn Te对提高器件的效率是必要的.恰当的不掺杂层厚度和退火温度能有效地改进Cd Te太阳电池的性能,而对填充因子的提高最为显著 相似文献