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41.
开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器(SRAM)大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4 300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内单粒子翻转39次,多单元翻转(MCU)在单粒子翻转中占比23%,最大的MCU为9位。对高能中子、热中子和封装α粒子的贡献比例进行了分析,并基于多地中子通量数据,推演得到北京地面和10 km高空应用时的单位翻转(SBU)和MCU失效率(FIT)。发现地面处软错误的主要诱因为封装α粒子,随着海拔的增高,大气中子对软错误的贡献比例明显增大;MCU全部由高能中子引起,北京10 km高空处的MCU FIT值明显增大,其占比由地面的8%增大至26%。结合器件版图布局,对MCU产生机理进行了深入分析。最后,提出一种目标导向的存储器软错误加固策略优化方法。 相似文献
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43.
44.
黄云 《陕西水利水电技术》2005,(2):28-33
本文针对新疆下坂地沥青混凝土心墙坝高地震、深厚覆盖层、坝基下覆粉细砂层等特点,专门对大坝进行了计算分析研究,并为提高坝体稳定采取了相应的工程措施。 相似文献
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46.
在对比水电站埋藏式压力钢管的受力分析方法的基础上,分别用一实际工程作为算例进行内水和外水作用下的受力分析,并与按规范方法所得的结果进行对比,表明本文的方法可行,可全面地分析埋藏式压力钢管分别在内水和外水作用下的工作特性. 相似文献
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48.
49.
电子元器件可靠性增长的分析技术 总被引:4,自引:3,他引:1
黄云 《电子产品可靠性与环境试验》2004,(3):13-17
从元器件可靠性物理分析技术角度,系统地阐述了失效信息的收集与分析、失效分析、破坏性物理分析、密封器件内部气氛分析、失效模式及机理与工艺的相关性分析、失效模式与影响分析等元器件的质量与可靠性分析技术。将元器件质量与可靠性分析技术融入元器件产品设计、制造过程是实现元器件可靠性增长的必然趋势。 相似文献
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