全文获取类型
收费全文 | 32598篇 |
免费 | 4213篇 |
国内免费 | 3064篇 |
专业分类
电工技术 | 3348篇 |
综合类 | 3226篇 |
化学工业 | 3985篇 |
金属工艺 | 2509篇 |
机械仪表 | 2182篇 |
建筑科学 | 2415篇 |
矿业工程 | 1169篇 |
能源动力 | 810篇 |
轻工业 | 3926篇 |
水利工程 | 1090篇 |
石油天然气 | 968篇 |
武器工业 | 421篇 |
无线电 | 3578篇 |
一般工业技术 | 2846篇 |
冶金工业 | 1306篇 |
原子能技术 | 626篇 |
自动化技术 | 5470篇 |
出版年
2024年 | 177篇 |
2023年 | 627篇 |
2022年 | 1370篇 |
2021年 | 1737篇 |
2020年 | 1214篇 |
2019年 | 915篇 |
2018年 | 840篇 |
2017年 | 965篇 |
2016年 | 913篇 |
2015年 | 1512篇 |
2014年 | 1791篇 |
2013年 | 2172篇 |
2012年 | 2683篇 |
2011年 | 2877篇 |
2010年 | 2681篇 |
2009年 | 2711篇 |
2008年 | 2729篇 |
2007年 | 2694篇 |
2006年 | 2374篇 |
2005年 | 1872篇 |
2004年 | 1350篇 |
2003年 | 817篇 |
2002年 | 835篇 |
2001年 | 731篇 |
2000年 | 662篇 |
1999年 | 245篇 |
1998年 | 76篇 |
1997年 | 53篇 |
1996年 | 41篇 |
1995年 | 27篇 |
1994年 | 31篇 |
1993年 | 22篇 |
1992年 | 17篇 |
1991年 | 22篇 |
1990年 | 13篇 |
1989年 | 13篇 |
1988年 | 8篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 5篇 |
1959年 | 5篇 |
1951年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
101.
102.
103.
用VB实现局域网通信 总被引:3,自引:0,他引:3
程序员无须了解TCP或低级Winsock API调用实现的细节,只需通过设置控件的属性并调用其方法就可轻易连接到一台远程计算机中,并且实现双向交换数据。本文介绍在VB环境下如何使用Winsock控件实现局域网通信。 相似文献
104.
105.
高温稀土永磁Sm2(Co,Cu,Fe,Zr)17 的制备和性能 总被引:5,自引:0,他引:5
制备了高温稀土永磁材料Sm(Coba1Fe0.26Cu0.05Zr0.026)7.0,研究了磁性能与工艺条件的关系.结果表明:提高烧结温度可使材料的Br和(BH)max增大,但是使Hci降低;适当提高真空预烧温度,可使材料在较低烧结温度下致密化,具有较高的Hci和(BH)max和温度稳定性.真空预烧温度过高使性能的急剧降低,其主要原因是Sm的析出.在最佳工艺条件下材料的磁性能参数分别为:Br1.08T3Hci2286kA/m,Hcb932kA/m,(BH)max220.8kJ/m^3;β20-200℃为-0.19%/℃. 相似文献
106.
XU Ying LIAO Xianbo DIAO Hongwei Li Xudong ZENG Xiangbo LIU Xiaoping WANG Minhua WANG Wenjing 《稀有金属(英文版)》2006,25(Z1)
Hetero-junction solar cells with an mc-Si:H window layer were achieved. The open voltage is increased while short current is decreased with increasing the mc-Si:H layer's thickness of emitter layer. The highest of V oc of 597 mV has obtained. When fixed the thickness of 30 nm, changing the N type from amorphous silicon layer to micro-crystalline layer, the efficiency of the hetero-junction solar cells is increased. Although the hydrogen etching before deposition enables the c-Si substrates to become rough by AFM images, it enhances the formation of epitaxial-like micro-crystalline silicon and better parameters of solar cell can be obtained by implying this process. The best result of efficiency is 13.86% with the V oc of 549.8 mV, J sc of 32.19 mA·cm-2 and the cell's area of 1cm2. 相似文献
107.
The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI. 相似文献
108.
测试了氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性,讨论了颗粒形态,加热电压、环境气氛、气氛浓度和注入方式等因素对电阻响应-恢复特性的影响。结果表明,随着加热电压的升高,电阻响应-恢复的速度和程度明显加大;断续注入时颗粒膜电阻值的响应随着浓度的增加逐步减弱. 相似文献
109.
110.
本文介绍了可靠性预计的目的,并对当前较为常见的可靠性预计模型或方法做了比较和说明,也对造成可靠性预计局限性的原因做了分析,最后对在可靠性工程工作中对待可靠性预计的态度做了探讨. 相似文献