部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻实验设计

文章对部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺源漏电阻产生影响的四个主要因素采用二水平全因子实验设计[1],分析结果表明在注入能量、剂量、束流和硅膜厚度因素中,硅膜厚度显著影响P+源漏电阻,当顶层硅膜厚度充分时,P+源漏电阻工艺窗口大。实验指出注入能量未处于合理的范围,导致源漏电阻工艺窗口不足,影响0.8μm SOI工艺成品率。通过实验优化后部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻达到小于200Ω/□,工艺能力显著提高到Ppk>2.01水平,充分满足部分耗尽0.8μm SOICMOS工艺P+源漏电阻需求。     

基于OLAP网络数据信息存储研究

联机分析处理是一项共享多维信息、针对某些特定问题进行联机数据访问和分析的计算机技术,是OLAP网络数据信息存储系统最主要的应用。它通过对信息不同的观察形式进行迅速、稳定和可交互的存取,协助管理决策者对历史数据进行深入观察。决策数据一般是面向多维的,多维数据是决策的主要内容。     

延迟焦化装置高温防结焦球阀的特点与应用

在延迟焦化装置高温、介质具有磨损与腐蚀性、粘结性和温度交变的苛刻工况条件下,焦炭塔底进料管线和焦炭塔顶大油气线均通过高温防结焦球阀来实现过程控制,目前该阀门大多依赖进口。结合延迟焦化装置对高温防结焦球阀的工况要求,从阀门设计、结构特点、高温热态试验、执行机构选择和工业应用等方面进行分析,阐述了所开发的高温防结焦球阀能够满足延迟焦化装置工况要求,通过工业应用验证了产品的安全可靠性,可以实现替代进口。     

热态炉渣循环利用技术在炼钢生产中的应用

通过对转炉终渣和精炼白渣的特性进行技术分析,转炉根据铁水硅含量采用“留渣＋单渣”法和“留渣＋双渣”法,精炼白渣采用空包热回收和出钢后热回收工艺,将转炉终渣和精炼白渣分别循环应用于转炉冶炼过程和转炉出钢过程及精炼过程.不但有利于钢水冶炼操作,降低生产成本,提高钢水质量,还减少了炉渣的排放和处理,有利于环境保护,取得了良好的经济效益和社会效益.     

GA615H-75织机吊综装置改造

分析了GA615H－75织机综框受力情况，对吊综进行的改造和所取得的效果作了介绍。     

高职院校学生运动损伤调查分析

通过对两所高职院校部分学生进行问卷调查,发现在校学生中有过运动损伤的比例较高,其中绝大多数运动损伤都发生在业余锻炼时段,这对学生参与锻炼的热情产生了一定影响。通过分析研究,提出了预防运动损伤的建议与对策。     

水电站地下厂房通风空调技术综述

1前言 20世纪70年代，因石油危机对全球能源供应的冲击，水电建设在世界上十分活跃。之后，由于公众对热力发电所产生的温室效应的深入认识，又进一步促进了包括水电在内的可再生能源的发展，为水电发展注入了新的活力。     

GPS地面控制网起算数据兼容性判别方法

全球定位系统(GPS)卫星定位技术的发展,已使测绘学科发生了巨大的变革,其惊人进展及其重大影响已出乎GPS设计者的最初预料。在GPS网约束平差前必须对约束的起算点进行兼容性分析,剔除起算点中的不兼容点或相对精度较低的点。选择兼容性好的一组已知点作约束数据进行约束平差,以保证测量的精度和可靠性。     

抗辐射SOI器件栅氧可靠性研究

对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性,发现SOI材料片的制备与抗总剂量加固过程中的离子注入工艺都会对顶层硅膜造成影响,进而影响栅氧可靠性。最后通过恒压应力法表征栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5 nm栅氧在125℃高温5.5 V工作电压下TDDB寿命达到14.65年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。     

铸管用型式试验机的研制开发

离心球墨铸铁管目前已普遍使用,常用接口为插入式柔性接口,接口承受载荷,工作状态下接口的密封性、可靠性是用户关注的问题.公司设计的型式试验机,为用户使用提供数据.