反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶

HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°～ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的夹角少于 5 4.7°,称为反偏籽晶。而采用大于 5 4.7°角生长的单晶切割比较困难 ,尤其是厚度小于 3 0 0 μm的晶片。为了减少切割难度 ,可生长反偏籽晶的单晶 ,但要保证单晶能割出Φ2″( 10 0 )圆片 ,必须增加单晶锭的截面积。由于GaAs的热导率小 ,大截面单晶生长要困难得多。通过改变固液截面附近的加热元件结构 ,在特定方向加强了散热 ,延伸了温度梯度的线性范围 ,使用反偏籽晶 ,成功地生长了Φ2″HB GaAs单晶。和正偏籽晶单晶相比 ,这些单晶锭的切割破损率减少了 2 4% ,每 10 0mm长度出片数增加了 3 0 %。     

深基坑支护方案多目标模糊优选决策研究

系统地分析了深基坑优选的影响因素,提出了方案评判的目标体系,运用模糊数学原理建立了深基坑方案优选的模糊多目标决策模型,并对定性目标量化与目标权重确定这两个影响模型决策结果准确程度的关键问题分别提出了合理的解决方法.实例说明模型是有效的、易操作的.     

浅谈小型水库的除险加固技术

文章分析了小型水库的现状,对于坝体滑坡的问题进行了深入的分析和详细的解释,根据国家制定的《碾压式土坝施工技术规范》来实施坝体的加固,从坝体的灌注粘土浆来加固技术以及坝体和坝基的密实加固技术两个方面,详细解释了如何实现对小型水库的除险加固。     

TD-LTE(F)系统干扰问题分析

TD-LTE采用F频段组网面临着较为复杂的干扰问题,异系统干扰将会导致系统吞吐能力的下降。本文对TD-LTE F频段的干扰原因进行分析,并通过现网测试确认相关干扰源,最后提出TD-LTE系统与其他各系统的隔离度要求及F频段天面规划设计流程。     

浅谈设计单位牵头的国内总承包项目的安全管理

本文主要论述了设计单位牵头的工程总承包模式下,在安全管理方面存在的安全生产费用提取及使用不规范、安全管理人员配备不足、安全管理基础薄弱、管理制度缺乏针对性和操作性不强等问题,以及针对这些问题应当采取的一些措施和方法,以便更好地有效实施EPC总承包模式。     

混合模板剂合成高硅铝比纳米HZSM-5分子筛及其MTP反应性能

以四丙基氢氧化铵与乙二胺作为混合模板剂,采用水热合成法制备高硅铝比纳米HZSM-5分子筛,对分子筛进行了XRD、FE-SEM、N_2低温吸附、NH_3-TPD等表征,考察了分子筛在MTP反应中的催化性能。结果表明,适量引入乙二胺作为模板剂可以调节分子筛晶粒尺寸、酸强度及酸量。当四丙基氢氧化铵与乙二胺等摩尔混合时,粒径为180nm,酸强度减弱,酸量减少,此时分子筛表现出最优催化性能,丙烯选择性达到45.72%。     

Y型分子筛的有机酸脱铝改性

利用有机酸对Y型分子筛进行改性,采用XRD、XRF、XPS和IR等对其进行表征,结果表明,分子筛经过离子交换降低钠含量,水热焙烧后,采用有机络合剂进行处理,更有利于得到结晶度高和非骨架铝含量低的分子筛;在相同柠檬酸或草酸比例下,采用柠檬酸处理的样品,其硅铝物质的量比和结晶度均高于草酸处理样品;有机酸处理有利于分子筛非骨架铝的脱除,尤其分子筛外表面非骨架铝的脱除,提高分子筛结晶度和硅铝物质的量比。m(柠檬酸)∶m(分子筛)=a∶1~(a+0.10)∶1时,晶胞尺寸变化不大;m(柠檬酸)∶m(分子筛)=(a+0.15)∶1时,分子筛晶胞进一步收缩,结晶度降低;随着柠檬酸比例增加,脱铝处理分子筛的B/L降低。     

立磨刮料仓浇注料的技改

我公司一线立磨采用ATOX50生料立磨，于2005年10月投产，在立磨运行过程中，刮料仓底板浇注料往往使用不到一个月就完全脱落，从而造成刮料板与刮料仓底部钢板间隙大于20mm（正常为10mm），导致刮料板与刮料仓底部钢板之间卡料，不仅使立磨主机负荷增大，主机电流增高，而且磨损刮料仓底部钢板，卡料还容易造成刮板螺栓断裂。在2015年大修中，由于刮板架磨损严重，趁更换8个刮料板架的机会，对刮料仓底板浇注料进行技改，使用后效果较好。     

中关村银谷大厦赢家商务中心

<正>赢家商务中心是赢家伟业公司的重点VIP服务中心,坐落于北京中关村商圈银谷大厦内。设计师在设计本案时,根据赢家VIP客户的定位及服务需求,进行了针对性的空间打造,整体空间轻松而富有现代感。尤其是完美融合室内、外灯光的设计手法,成为该项目的一大亮点。与传统办公空间不同的是,赢家商务中心在设计上打破了传统办公室格局的严谨,空间主要采用开放式办公形式,简约而不失活泼,极赋通透性。中心休闲办公区将灯光与造型相结合,营造出强烈的视觉冲击感,这一设计旨在象征创业思想的