Fe掺杂TiO2纳米多孔薄膜的制备及光学性质研究

将Fe掺杂的TiO2-PEG 2 000溶胶旋涂在玻璃基底上,经过退火处理后得到Fe掺杂TiO2纳米多孔薄膜。用场发射扫描电子显微镜、X-射线衍射仪、紫外可见分光光度计和荧光光谱仪分别对样品的形貌、物相结构以及光学特性进行了表征。结果表明:制备的Fe掺杂TiO2纳米多孔薄膜,表面微孔分布均匀,其光吸收边随着Fe掺杂浓度的增加发生了显著红移,当掺杂量为0.15 M时红移量达到最大,约150 nm,说明Fe掺杂可减小TiO2纳米多孔薄膜的光学带隙。此外,样品的光致发光测试结果显示,随着Fe掺杂浓度的逐渐增加,样品的发光强度呈先抑后扬的变化趋势,这说明Fe掺杂浓度对TiO2纳米薄膜光生电子-空穴对的复合几率亦有很大影响,只有当Fe掺杂浓度为0.10 M时,TiO2薄膜的光生载流子复合几率最低。可见,这是一个益于改善TiO2纳米多孔薄膜光电转换性能的优化参数。     

自持TiO2纳米管阵列薄膜与TiO2/FTO透明光电极制备工艺的研究

利用电化学阳极氧化法,采用三步氧化工艺,成功制备出大面积高度有序、孔洞分布均匀、孔道垂直取向且与金属钛基相分离的自持TiO2纳米管阵列膜。然后将其转移粘接至FTO导电玻璃上,形成高度有序的TiO2/FTO纳米管阵列透明光电极。利用场发射扫描电镜、X射线衍射仪、紫外-可见-近红外分光光度计分别对样品的形貌、晶相结构以及光学特性做了表征。研究表明,由三步阳极氧化工艺制备的自持TiO2纳米管阵列膜,其结构参数（如管径、管长及管壁厚度）在很大范围内可控,将其转移粘结至FTO导电玻璃上能制成多种用途的高质量透明光电极;另外,阳极氧化电压对TiO2纳米管阵列薄膜的光学能隙（Eg）也有较为明显的调制作用。显然,这项新工艺对基于TiO2纳米有序阵列复合结构的有机-无机光电器件的应用研究将是非常有益的。     

C~k连续的保形插值2k 1次样条函数

1．预备知识样条函数的保形插值已有很多研究工作[1-4]，以前主要研究C1连续保形插值二次和三次样条函数。［3］给出了一种C2连续的保形插值四次样条函数，并推广到C‘（k三2）连续的保形插值Zk次样条函数．遗憾的是对于保形插值Zk＋l次样条函数并没有加以讨论．本文首先构造了一种C’保形插值五次样条函数，并且推广到C‘连续的Zk＋1次保形插值样条函数，而在节点处的导数取法不同于［3］．这样得到的保形插值样条的计算量更小，且容易编程序上机计算．定义1．设／（。）在［a，b］上有定义，称n次多项式为函数f（）在［a；b］上的n次B…     

高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究

体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连.由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容,所以形成高深宽比的深隔离槽(宽约3 μm,深20～100 μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题.本文采用MEMS微加工的DRIE(Deep Reactive Ion Etching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术,形成了高深宽比的深电隔离槽(宽3.6 μm,深85 μm).还提出了一种改变深槽形状的方法,使深槽的开口变大,以利于多晶硅的填充,避免了空洞的产生.     

溢流型球磨机改制为格子型球磨机后的技术指标对比分析

对两例溢流型球磨机存在的问题进行了调查分析，提出了改造方案，并对改造前后的技术经济指带进行了对比分析，证明改造后磨矿效果提高。     

大型轴承圈炉外淬火矫形装置液压系统的设计与仿真

针对大型轴承圈炉外淬火产生的较大变形问题,设计了一种专用于大型轴承圈炉外淬火过程的新型矫形装置。预紧液压系统作为矫形装置的重要组成部分,其性能的好坏不仅关系着大型轴承圈炉外淬火矫形装置的工作效率,更关系着炉外淬火过程中大型轴承圈形变量合格率的高低。通过对炉外淬火矫形装置预期工况分析,确定了主要液压元件型号,设计出预紧液压系统原理图。通过AMESim软件仿真分析,结果表明:该系统响应较快,能较好地完成设计要求动作,为液压系统样机设计提供了参考。     

TD产业新机遇

日前,在中国移动终端产业链大会上,中国移动总裁李跃对外宣布了公司对TD终端发展的目标,这一消息对围绕着TD产业耕耘多年的诸多厂商来说是一个利好信号。不仅如此,多方信息显示TD产业将迎来新一轮发展机遇。本期《通信世界周刊》邀请了终端、芯片等厂商高层领导对TD的后续发展进行深入讨论。     

异构非编在同一网络系统中的应用

介绍了异构非编在同一网络系统中的应用情况.介绍了如何将不同地点、不同品牌、不同时期的零散非编(异构非编)进行透明组网,实现在线协同编辑,相当于在一座座“孤岛”之间架起了桥梁,实现了孤岛间相互连接.详细阐述了系统的概述、系统结构、应用范围和系统特点.     

Tm:Yb:KY(WO4)2晶体蓝光上转换

利用顶部籽晶提拉(TSSG)法生长了Yb3 ,Tm3 共掺KY(WO4)2晶体,在室温下测量了290～1200nm内晶体的吸收光谱。根据上转换模型研究了晶体中Yb3 向Tm3 进行能量传递的机制并对晶体中跃迁能级进行了指认,建立了简单的速率方程。计算得出Yb3 离子向Tm3 离子的能量传递效率接近于1。在974nm激光二极管抽运下观察到Tm3 离子的波长为476nm蓝色上转换发光。利用Fadenbrug-luechtbauer方法计算了1G4到3H6能级跃迁的发射截面积,其最大发射截面积约为1.51×10-20cm2。     

AAO及Co／AAO纳米阵列结构的光致发光特性研究

实验研究了氧化电压和氧化时间对多孔阳极氧化铝（AAO）及Co／AAO纳米有序阵列复合结构光致发光特性的影响，结果表明：AAO模板在350-550nm范围内存在较强的光致发光带；Co／AAO纳米有序阵列复合结构的光发射强度随Co沉积量的增加而迅速减弱。定性分析解释了上述现象发生的原因。