大尺寸TFT-LCD电视的彩色和图像增强

最近几年,薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)技术取得了快速而显著的进步,其性能超过了PDP、CRT以及投影显示。毫无疑问,TFT-LCD已经成为高清电视应用的最佳实现方案。本文将介绍进一步增强大尺寸LCD电视的彩色和图像性能的技术。     

一种基于不完全信息环境下多议题协商的最优化

文章探讨了Agent之间双边多议题的协商。主要以议程和协商程序这两个因素研究了其结果．并分析了不完全信息环境下不同议程和程序的协商过程，在此基础上，我们确定了逐一问题和一揽子交易两个协商程序的平衡策略，最后，给出了每个Agent所有可能议程和过程组合优化的协商结局。     

IKEv2在基于IP的无线自组网中的应用研究

无线自组网络没有专门的密钥管理协议,其安全性一直备受关注.IKEv2是目前IP网络中使用最广泛的密钥管理协议,但它不是专门为无线网络环境设计的.文章根据IKEv2使用的认证方法的不同提出了两个改进协议.这两个协议都使用无线自组网络认证方法-MANA证书来认证响应者,从而减少密码算法计算量,让IKEv2为无线自组网提供密钥管理服务.     

等离子淋浴在离子注入工艺中的应用

阐述了等离子淋浴技术的工作原理和特点。介绍了在离子注入工艺中采用等离子淋浴来中和晶片表面的电荷积累,可将晶片表面的电荷积累电压控制在安全范围;应用等离子淋浴实现低能离子束的电中性传输,可提高低能离子束的传输效率和束通道的最大传输束流。最后介绍了国外在这两方面的研究应用情况。     

一种新型2.4 GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器

基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器。采用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27 dB低噪声系数,11.5 dB正向增益;2 V工作电压下,其功耗仅为6.1 mW。研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。     

基于1.5 μm BiCMOS 工艺的SiGe HBT器件设计优化

基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。     

AMTIS单通道多角度热红外图像的大气订正

给出了在假定无大气廓线情况下,AMTIS单通道多角度热红外图像的大气订正算法.算法需要三个参数:其中大气等效温度,用“最小标准差法”从图像自身来估算;大气透过率通过地表的绝对湿度或者太阳辐射计得到的大气水汽含量参数来估算;像元的辐射率比由AMTIS得到的NDVI计算.通过将大气订正后的亮度温度与地面实测点亮度温度比较,两者相差约1.2K,这对于无大气廓线情况下单通道热红外图像的大气订正来说,结果是可以接受的.     

电能管理系统在工业企业供电系统中的应用

电能管理系统是利用新一代的智能电力测量装置,结合现场总线及以太网通信技术,运用计算机和软件技术,综合构成的管理系统.     

碳载Pt-Cr合金催化剂的制备及其性能比较

用铬作掺杂元素,通过液相均相沉淀--气/固高温还原两段反应方法制备了碳载Pt-Cr合金催化剂,采用热分析方法(TG-DSC)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)技术测试了合金催化剂的晶体结构和表面形貌.结果表明,用VulcanXC-72作载体,N(Pt):N(Cr)为1:1,热处理温度为950 ℃,催化剂的电化学活性表面积最大,催化活性最好.在电解液为0.5 mol/dm3硫酸溶液和2 mol/dm3甲醇/硫酸溶液中用循环伏安法测试,自制的碳载Pt-Cr合金催化剂比商业Pt/C催化剂甲醇氧化活性低,因为Cr的存在,降低了Pf活性点旁三个相邻Pt存在的概率,从而降低了甲醇的氧化活性.     

以改革创新精神加强党的建设

贯彻十七大新要求,努力把企业党组织建设成为贯彻"三个代表"、"科学发展观"等重要思想体系的组织者、推动者和实践者,成为坚决执行党的路线方针政策、推动电力企业改革发展稳定的坚强政治核心和战斗堡垒,显得尤为重要。一、以党建工作的有效经验促进改革创新近年来,曲靖供电局党委积极落实网、省公司党组的各项工作部署,坚持"融入中心做工作、进入管理起作用",围绕"保证安