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Two types of 5μm thick hybrid orientation structure wafers,which were integrated by(110)or(100) orientation silicon wafers as the substrate,have been investigated for 15-40 V voltage ICs and MEMS sensor applications.They have been obtained mainly by SOI wafer bonding and a non-selective epitaxy technique,and have been presented in China for the first time.The thickness of BOX SiO2 buried in wafer is 220 nm.It has been found that the quality of hybrid orientation structure with(100)wafer substrate is better than that with(110)wafer substrate by"Sirtl defect etching of HOSW". 相似文献
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一种NMOS型折叠和内插电路及其SPICE分析 总被引:1,自引:0,他引:1
将折叠和内插技术应用于高速A/D转换器中,以3μm器件参数,5V工作电压,分析了一种NMOS型折叠和内插电路在全温区范围的功能,以及NMOS管衬度偏置效应和误差的影响,结果表明,在通常的工艺条件下,折叠电路可处理2.4V1MHz的满幅输入信号,数字采样速度大于1MS/s包含第一级内插电阻的折叠电路功耗为14mW。 相似文献
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介绍了一种数字式全定制音乐集成电路设计原理。对伪音阶发生器、节拍发生器等子电路作了较详细的叙述。采用这种原理可设计出单芯片驱动压电陶瓷和发光二极管的音乐集成电路,该电路无须外接电阻、电容,可存储数首歌曲;另外,还可设计出一种数字音频程控频率合成器,时钟为f0时,可控频率范围为f02~f02N。 相似文献
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为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下60Co γ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流IB显著增大,而集电极电流IC变化不大;反偏偏置条件下,IB的辐射损伤效应在辐射后更严重;室温退火后,IB有一定程度的持续损伤。多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射对比试验结果表明,多晶硅发射极NPN管的抗辐射性能较好。从器件结构和工艺条件方面,分析了多晶硅发射极NPN管的辐射损伤机理。分析了多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射损伤区别。 相似文献
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基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。 相似文献
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