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X. X. Xi X. H. Zeng A. V. Pogrebnyakov A. Soukiassian S. Y. Xu Y. F. Hu E. Wertz Q. Li Y. Zhong C. O. Brubaker Z.-K. Liu E. M. Lysczek J. M. Redwing J. Lettieri D. G. Schlom W. Tian H. P. Sun X. Q. Pan 《Journal of Superconductivity and Novel Magnetism》2003,16(5):801-806
The recently discovered superconductor MgB2 with T c at 39 K has great potential in superconducting electronics. In this paper, we review the deposition techniques used for MgB2 thin films in the light of a thermodynamic study of the Mg-B system with the calculation of phase diagrams (CALPHAD) modeling technique. This thermodynamic study identifies a growth window in the pressure–temperature phase diagram, in which the magnesium pressure is very high for likely in situ growth temperatures. A Hybrid Physical–Chemical Vapor Deposition (HPCVD) technique that successfully achieves such a high Mg pressure is shown to produce in situ epitaxial MgB2 thin films with bulk superconducting properties. 相似文献
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RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性 总被引:4,自引:4,他引:0
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz. 相似文献
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本文提出一种基于本地缓存的弹性分组环保护倒换机制(WrapProtectionBasedOnLocalBuffers,简称WP-LB)。其主要思想是当环路上任何位于源节点和故障区域之间的中间节点接收到含有故障信息的控制信令后,就不再向下游转发数据分组,而是在本地缓存这些数据。等到保护通路建立好之后,再把缓存的数据分组经过保护通路发送给目的节点。分析计算表明,与原有的保护倒换(WrapProtection,简称WP)机制相比,WP-LB机制不仅提高带宽利用率,减少平均时延,并且还能避免数据包的丢失和失序。 相似文献
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97.
曾范华 《石油化工安全环保技术》2003,19(6):46-48
聚合反应器是无法检修设备,不允许打开,所以聚合反应器的制造质量必须严格控制,在设备制造过程中,严格按照设计图纸、技术要求及国家现行标准,进行控制设备制造、检验和验收,使制造质量达到规定要求。 相似文献
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The interfacial microstructures of 96 and 98% polycrystalline alumina joined with single crystal sapphire have been investigated in relation to the joining parameters. Joining has been evaluated based on either using a thin spin-on silica interlayer or by placing the alumina and sapphire in direct contact. The materials were joined by placing the coated or uncoated surfaces in contact and heating in the range of 1340–1475 °C with minimum external load. With the aid of a silica interlayer, sapphire and 98% polycrystalline alumina were successfully joined in 180 min at 1400 °C and above, while samples without a silica interlayer failed to join under these conditions. However, sapphire and 96% polycrystalline alumina were joined both with and without the use of silica interlayer. A variety of interfacial morphologies have been observed, including amorphous regions, fine crystalline alumina, and intimate contact between the sapphire and polycrystalline alumina. 相似文献
100.