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81.
以SnO2、Ta2O5和ZnO粉为原料,通过传统陶瓷固相反应烧结法制备了压敏变阻材料,实验中ZnO含量为0~2.00%(摩尔分数),烧结温度控制在1300~1500℃并保温2h。研究了ZnO掺杂量和烧结温度对材料的组成、微观结构和电学性能的影响。结果表明:在温度一定条件下,随着ZnO掺杂量的增加,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小;在ZnO含量一定时,随着烧结温度从1300℃升至1450℃,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小。ZnO掺杂量为0.50%时,在1450℃烧结得到的样品的非线性系数最高(6.2),漏电流最小(262vA/cm^2),压敏电压较高(83V/mm)。 相似文献
82.
以SnO2、Ta2O5和ZnO粉为原料,通过传统陶瓷固相反应烧结法制备了压敏变阻材料,实验中ZnO含量为0~2.00%(摩尔分数),烧结温度控制在1 300~1500℃并保温2 h。研究了ZnO掺杂量和烧结温度对材料的组成、微观结构和电学性能的影响。结果表明:在温度一定条件下,随着ZnO掺杂量的增加,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小;在ZnO含量一定时,随着烧结温度从1 300℃升至1 450℃,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小。ZnO掺杂量为0.50%时,在1450℃烧结得到的样品的非线性系数最高(6.2),漏电流最小(262μA/cm2),压敏电压较高(83V/mm)。 相似文献
83.
回顾了多组分硬质薄膜的发展,指出了多组分薄膜低温淀积时相组成研究与预测存在的问题。对多组分硬质薄膜,包括类质同晶体系与多组分共熔体,低共熔体系、转熔体系、亚稳定固熔体与非晶固熔体,化合物,梯度薄膜,多相薄膜材料,多层薄膜和超晶格薄膜等可能的相组成与相关性质进行了讨论。对淀积速率与薄膜厚度,相组成与薄膜均质性,超晶格薄膜硬度与超晶格周期等的计算模型进行了评述。 相似文献
84.
设计、制备了三个系列(不同Bi2O3与Sb2O3掺杂浓度)的ZnO基复合材料. 力学性能测试的结果表明, Bi含量(2%, 原子分数)保持不变, 随Sb含量(在合适的剂量范围内)的增大,由于基质ZnO晶粒减小, 陶瓷致密度增大, 所得材料的模量、抗弯强度以及断裂韧性均增大; Sb含量(3%, 原子分数)保持不变, 随Bi含量的增大, 由于基质ZnO晶粒增大、陶瓷致密度减小, 所得材料的模量、抗弯强度以及断裂韧性均减小.在设计组成范围内材料的最佳力学性能约为: 弹性模量114 GPa, 弯曲模量115 GPa, 抗弯强度120 MPa, 断裂韧性1.87 MPa×1/2. 相似文献
85.
86.
以自行研制的LPCVD设备所进行的工艺试验为基础,简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法和LPCVD法制备的Si3N4薄膜的特性以及低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺。通过调节淀积温度、工艺气体流量、工艺压力及片距等工艺参数,最终使批量生产的氮化硅薄膜在均匀性、应力、耐腐蚀等方面均达到了使用要求。 相似文献
87.
88.
以分析纯Fe_2O_3、NiO、ZnO、Al_2O_3为原料,并适量配以烧结助剂,掺杂试剂、粘接剂和分散剂,磨细过筛后干压成陶瓷素坯,并一次烧结合成Ni-Zn铁氧体.研究了不同浓度Al3+掺杂Ni-Zn铁氧体的合成与烧结制度.发现Al~(3+)掺杂Ni-Zn铁氧体的合成和烧结具有很强的组成依赖性:随着掺杂Al3+浓度升高,铁氧体形成和烧结的温度升高;含锌铁氧体在相同掺杂Al~(3+)浓度下比纯镍铁氧体更容易烧结,且在更高温度下后者易形成新的非尖晶石相结构.随Al~(3+)掺杂浓度不同,Al~(3+)掺杂Ni-Zn铁氧体在1150~1550 ℃范围内可分别实现一次合成和烧结. 相似文献
89.
本文研究了冷却速率对三星快速熔融冶炼厂炼矿渣浮选性能的影响,以及高温融炉渣在实验里以三种不同方式固化。所有的样品用化学分析和工艺矿物学分析的结果表示其特性,化学分析表明:由高温炉渣制成的样品中,含Cu0.9-1.0%、Fe40%、SiO230-32%。由老式淬坑的炉渣制成的样品中含Cu1-3%。显微结构分析表明:快速冷却的炉渣中晶粒呈细粒分布,粒状炉渣中铜晶粒的粒度为1-2μm,而缓慢冷却的炉渣 相似文献
90.
烧结机的边缘效应与抑制措施 总被引:2,自引:0,他引:2
对41个油样做了界面张力、介质损耗率测定。在对数据进行相关分析的基础上,提出了界面张力与介质损耗率不相关的结论。对新油及运行油界面张力标准的宽严性提出了一定的看法。 相似文献