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431.
核石墨作为慢化剂、反射层以及结构材料广泛应用于熔盐堆与气冷堆中,石墨构件的完整性对反应堆安全运行至关重要。脆性核石墨材料强度分散,相比于确定论方法概率论方法更适合对核石墨构件失效评定。本文基于ASME计算失效概率模型,改进了失效概率计算的分组标准,并运用有限元软件ABAQUS建立了NBG-18核石墨巴西圆盘劈裂模型加以验证。结果表明:与过于保守的ASME模型相比,改进的模型结果更接近于试验数据,同时比KTA3232规范更保守。改进后的模型对试件尺寸比较敏感,对网格敏感度不高。 相似文献
432.
433.
Li6Zr2O7是一种含锂量高的化合物,在锂离子电池、核反应堆用氚增殖材料以及捕集CO2的固体吸附剂等领域应用前景广泛。本文以水合氢氧化锂和水合硝酸氧锆为主要原料,采用高温固相法和静电纺丝法制备了锆酸锂材料。通过热重分析仪(TG)、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等手段对样品的合成过程和结构进行了表征和分析,研究了锂锆比、煅烧温度和煅烧时间对产物物相和组织结构的影响。采用高温固相法,在锂锆摩尔比为3:1~6:1,煅烧温度为750℃和850℃,煅烧时间为24 h的条件下均成功制备出了单斜相的Li6Zr2O7陶瓷粉体。采用静电纺丝法,在锂锆比为3:1,煅烧温度为800℃,煅烧时间为1 h的条件下制备出了纤维状Li6Zr2O7和Li2Zr O3两相共存的陶瓷粉体。 相似文献
434.
数值模拟技术广泛应用于真空沿面闪络机理及其抑制的研究中。文章回顾总结了真空沿面闪络全局模型与数值仿真所涉及的物理过程、常用建模方法、技术难点以及相应解决手段,并对真空闪络数值仿真的后续发展进行了讨论。首先介绍了基于二次电子发射雪崩理论的真空闪络全局模型,详细分析阴极三结合点处电子发射、介质表面二次电子倍增、介质表面气体解吸附以及最终沿面等离子体形成所包含的各物理过程,并按照闪络起始、发展和击穿,分3阶段介绍了对应粒子仿真所采用的建模理论、算法细节与仿真研究所得结果,主要包括阴极三结合点场致电子发射、介质二次电子发射、解吸附气体输运、电子-中性粒子碰撞等物理过程。文章随后回顾了基于全局模型的真空闪络抑制方法,主要包括通过电场优化降低场致发射,构造阻碍二次电子崩发展的表面微结构,以及抑制介质气体解吸附,并讨论了数值仿真在闪络抑制手段验证、开发中的重要作用。最后针对性地对其它非粒子模拟的分阶段闪络建模方法及其后续发展进行了讨论,包括动理学模型、流体模型、混合仿真模型以及体内体表联合模型。 相似文献
436.
通过光学显微镜、扫描电镜、拉伸试验机以及冲击试验机对不同热处理工艺下15CrMoR钢板的力学性能、显微组织以及断口形貌进行了分析。结果表明,回火温度680~700℃范围内,15CrMoR钢板的力学性能指标富余量适中,满足标准要求,显微组织为铁素体+珠光体+少量或极少量贝氏体;经680℃保温3~9 h模拟焊后热处理后钢板的常温和300~450℃高温力学性能均可满足标准和用户使用要求。 相似文献
437.
桥壳是汽车行驶系统的主要构件之一,实验室研制的650QK采用中碳系成分设计,且添加微量Nb、Ti、V合金元素,组织为细小均匀的铁素体、珠光体和贝氏体,晶粒度为12~13级,屈服强度在664~671 MPa,抗拉强度在762~794 MPa,延伸率为20.0%~21.5%,冷弯性能良好,低温冲击韧性良好,-60℃低温冲击韧性达到127 J,韧脆转变温度低于-60℃,疲劳极限强度为270 MPa,材料的综合机械性能良好,为工业化生产提供了材料的基础性能技术指标。 相似文献
438.
439.
随着大流量工业烟气净化对低气阻技术的迫切需求,负载型催化剂备受关注,然而涂敷浆液特性复杂、对负载的影响因素繁多,使催化剂制备带来挑战。针对铜锰基催化剂在堇青石载体上的真空涂敷制备,探究了固含量,粘结剂种类,pH值和粒径等浆液特性对催化剂负载量和粘附性的影响规律。结果表明:固含量的升高使得催化剂颗粒可以与增稠剂和硅溶胶形成的网状结构更紧密结合,提高了催化剂负载量和粘附性;硅溶胶可有效增加浆液电负性,使浆液内催化剂颗粒分散均匀;pH值的增大使浆液Zeta电位减小,减小浆液黏度并改善稳定性;而球磨会破坏浆液均匀稳定的网状结构,不利于催化剂粘附性。优选硅溶胶质量分数为30%、pH值为7.3、固含量为30%(质量分数)的未球磨浆液,得到负载量为216 kg?m–3、脱落率为0.6%,CO催化效率大于98%(7 200 h–1、120℃、8%H2O)的负载型催化剂。 相似文献
440.
航天器运行在恶劣的空间环境中容易引发充放电现象,而叠加电磁场会导致其在较低的充电电位下发生放电,严重威胁航天器的安全运行。为揭示强电磁场诱发真空沿面放电的机理并提出抑制方法,该文采用离子交换方法对聚酰亚胺(polyimide,PI)薄膜表面进行改性处理,并基于搭建的强电磁场诱发真空沿面放电平台,结合表面陷阱、二次电子发射系数(secondary electron emission yields,SEEY)等表征手段,系统分析表面改性对抑制强电磁场诱发PI薄膜沿面放电的机理。结果表明:改性后的PI表面引入大量浅陷阱,显著降低PI薄膜的表面电阻率和SEEY,并提升了材料表面电荷的积聚与消散速率。同时,浅陷阱的引入降低了PI薄膜的SEEY和直流场下的极化能,抑制气体的解吸附与电离及二次电子倍增过程,从而显著提升了PI薄膜在抑制强电磁场诱发真空沿面放电方面的能力。该研究有望为强电磁场诱发航天器表面沿面放电的防护设计提供参考。 相似文献