浅谈SDH技术及应用

SDH作为新一代理想的传输体系,具有路由自动选择能力,上下电路方便,维护、控制、管理功能强,标准统一,便于传输更高速率的业务等优点,能很好地适应通信网飞速发展的需要。迄今,SDH得到了空前的应用与发展。在标准化方面,已建立和即将建立的一系列建议已基本上覆盖了SDH的方方面面。在干线网和长途网、中继网、接入网中它开始广泛应用。且在光纤通信、微波通信、卫星通信中也积极地开展研究与应用。本文对SDH技术及应用做以探讨。     

PbF_2:Gd晶体的发光强度与发光均匀性研究

以Ｘ射线荧光光谱分析为手段,测试了用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长的ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中Ｇｄ离子沿生长方向的分布．发现该晶体在Ｘ射线激发下的发光强度与Ｇｄ在ＰｂＦ２晶体中的含量变化均从结晶开始端至结晶结束端逐渐降低,表明ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体的发光是不均匀的,这种不均匀性源于Ｇｄ离子在ＰｂＦ２晶体中的分布不均匀性．通过在ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中掺入一定量的碱金属离子,可以比较有效地改善Ｇｄ离子在ＰｂＦ２晶体中的不均匀分布,使晶体的发光均匀性和透光率得到明显提高,其中以Ｎａ离子的均匀化效果为最好．推测Ｎａ离子的作用是消除了ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中因Ｇｄ离子的掺杂而造成的间隙Ｆ离子,从而使晶体中的缺陷浓度大大降低．     

近化学计量比LiNbO3晶体电畴结构观察和机理探讨

采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长了各种不同成分的近化学计量比LiNbO₃晶体, 并用腐蚀法观察了其电畴结构. 结果表明, 化学成分对未经极化处理晶体的电畴结构起决定性作用, 当Li₂O 含量处于49.4mol%附近时, 晶体z面电畴呈现特殊的三次对称反畴; 当晶体中Li₂O含量为49.7mol%时, 晶体为完全单畴. 本文对其形成机理进行了探讨, 认为在由顺电相向铁电相转变 时, 局部铁电畴的极性方向与该处沿z轴方向的温度梯度正负密切相关, z轴生长晶体时, 由于相变发生所处位置离生长界面的距离受LiNbO₃晶体计量比影响, 所处温场固有温梯也 随之不同, 在此基础上解释了不同成分晶体的电畴结构形成原因. 最后讨论了控制铁电畴结构的工艺措施.     

缬沙坦对自发性高血压大鼠心肌抑癌基因PTEN 表达的影响

目的: 观察缬沙坦对自发性高血压大鼠(SHR) 心肌肥厚的影响, 以及对肿瘤抑制基因PTEN表达的影响。方法: 取20 只12 周龄自发性高血压大鼠, 随机分为2 组, 每组10 只:缬沙坦干预组, 给予缬沙坦30 mg·kg^-1·d^-1 溶于饮水灌胃治疗;SHR阳性对照组给予正常饮水。另有10 只同龄同源雄性正常血压Wistar-kyoto 大鼠(WKY 组) 作为正常对照组。实验周期8 周, 测量血压、左室重量 体重(LVW/BW), 应用免疫组化方法检测各组大鼠左心室心肌PTEN 的表达。结果: SHR 阳性对照组血压、LVW/BW 均高于正常对照组, 但低于缬沙坦组, SHR阳性对照组PTEN 的表达明显低于正常对照组, 而缬沙坦组PTEN 的表达显著高于SHR 阳性对照组。结论: 缬沙坦能抑制自发性高血压大鼠心肌肥厚, 并能提高PTEN 的表达, 提示PTEN 可能在心肌肥厚发展过程中起了一定的作用。     

掺铈硅酸镥(Lu2SiO5:Ce)晶体的生长与闪烁性能

用Czochralsky方法和铱坩埚感应加热技术生长出了尺寸为φ35mm×40mm的掺铈硅酸镥(LSO:Ce)闪烁晶体.透射光谱表明,由于铈离子的掺入,使晶体的吸收边由纯LSO晶体的195nm红移至380nm.LSO:Ce晶体的紫外激发波长按强度递减的顺序依次为380、333、319和216nm,其光发射为带状谱,波长覆盖范围从390nm至560nm.X射线激发的发射谱具有典型的双峰特征,峰值波长为393nm和.426nm.这些特征与Ce³⁺离子基态能级⁴f₁因自旋-轨道耦合而产生的两个分裂能级和Ce⁺离子在LSO晶体中占据两个不同的结晶学格位有关.     

莺歌C51-3-RC型彩电亮度故障处理

故障现象:光栅很亮(无回扫线)且失控。将加速极电压调至最低,荧屏也只有模糊失真的彩色图像。字符显示为黑色,伴音正常。分析检修:由于有彩色图像,说明注入IC201(TA7698CP)第(39)脚的彩色全电视信号正常,还表明输入到IC201第(38)脚的行逆程脉冲正常。(否则IC内部的双稳态触发器无触发脉冲,亦不能产生色选通脉冲,使消色器动作,不会有彩色)。     

彩电逃台故障的分析与检修

彩电的逃台故障是一种常见故障。该故障有两种现象:1.所有频段的节目均逃台;2.只有某一频段的节目出现逃台。检修逃台故障的步骤可按附图所示进行。一、高频头VT端电压不稳所致因高频头调谐电压不稳而造成的逃台故障是最常见的原因。其主要故障点有: 1.33V稳压电源电压不稳; 2.调谐板上频道预选开关、调谐电位器接触不良(指非遥控彩电); 3.CPU不良(含存储集成块); 4.调谐板自身漏电; 5.接口电路(指VT输出至高频头VT端子)有关元件存在漏电现象; 6.高频头内调谐回路存在漏电现象。     

大型超导Tokamak装置纵场线圈强度的有限元分析

本文介绍了大型结构有限元分析程序COS-MOS/M在大型超导Tokamak装置机械结构设计中的应用.通过HT—7U大型超导Tokamak装置纵场线圈机械强度的有限元分析,对初始设计方案中的不合理结构进行了改进.     

延时电源插座

本文介绍的延时电源插座,具有延迟时间可调、自身耗电小、体积小、成本低廉、制作容易等优点。广泛适用于一般家庭需延时关或延时开的用电设备。如电灯、电饭锅、电视机、电风扇、家用水泵等家用电器。如配接一只中间继电器,还可以驱动更大功率的工业设备。     

挖掘装载装置机构参数的优化设计

本文探讨液压挖掘机挖掘装载装置机构优化数学模型的建立,利用拟牛顿乘子法进行优化运算,得到较满意的结果。所编程序可在 IBM PC/XT 微机上运行,便于工厂推广应用。