堆浸法从某低品位难选含铀钼矿中回收钼

针对某低品位含铀钼矿钼浸处率不高、常规强化搅拌浸出固液分离困难等问题,研究了拌酸熟化-堆浸工艺,提出一种适合处理该矿石的工艺方法。试验考察了堆浸工艺参数矿石粒度、喷淋强度、浸出剂酸度、氧化剂用量和浸出时间对钼浸出率的影响,结果表明：在矿石粒度-3.2 mm、喷淋强度40~60 L/(m2?h),浸出剂酸度5 g/L、浸出时间6~8 d的条件下,矿堆渗透性较好,钼浸出率可达73%。     

MMC-BESS电池荷电状态三级均衡控制策略

基于模块化多电平变换器拓扑的电池储能系统(Modular Multilevel Monverter based Battery Energy Storage System, MMC-BESS)可以同时输出有功、无功功率,适用于中高压、大功率的新能源并网场合。为解决储能单元的差异导致其荷电状态(State of Charge, SOC)不均衡的问题,提出了一种电池SOC三级均衡控制策略。首先针对各相间SOC差异,通过控制桥臂环流直流分量改变每相功率,实现了各相SOC均衡。其次针对同相内上下桥臂SOC差异,通过控制桥臂环流基波分量改变上下桥臂功率,实现了每一相内上下桥臂SOC均衡。最后针对同一桥臂内子模块SOC差异,通过重构调制波改变子模块功率,实现了所有子模块SOC均衡。实验结果验证了该控制策略的有效性。     

氧压酸浸法从铌钛铀矿中选择性提取铀

采用氧压酸浸工艺选择性提取铌钛铀复杂多金属矿石中的铀,并对浸出过程铀、铌、钛、铁等元素的溶出行为进行了研究。结果表明,在硫酸用量240g/kg、矿浆液固体积质量比1.5mL/g、浸出反应温度180℃、氧气分压0.5MPa、反应时间6h条件下,铀浸出率可达到97.2%,而铌、钛、铁等则留于浸出残渣中。实现了从复杂难破解多金属矿石中高效选择性提铀的目的。     

功率器件功率循环测试技术的挑战与分析EI北大核心CSCD

功率循环测试被称为考核功率器件封装可靠性最重要的实验,尤其是碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)功率器件的快速发展,是近几年的研究热点。与其他可靠性测试不同的是,功率循环测试原理虽然简单,但测试技术、测试方法和数据处理却涉及到半导体物理、电磁学、传热学、结构力学和信号分析等多学科交叉,处理不当将得到错误的结论。文中基于功率循环测试基本原理,从测试技术、测试方法和数据处理3个大方面对其存在的挑战进行深入分析,并提出相应的解决方案。测试技术主要包括电气测量噪声、结温测量延时和数据采集点,电气测量噪声和测量延时影响功率循环测试中结温的准确性,数据采集点则是影响器件的失效模式判定和寿命。测试方法主要包括结温测试方法、电流激励方法和宽禁带器件SiC MOSFET的相关测试方法,其中电流激励方法会影响器件的失效机理和寿命,需要特别关注。数据处理部分则是从可靠性数理统计角度出发,探究测试样本数量和对测试结果的修正,以得到准确的测试结果。该文可以为功率循环测试技术和设备的发展奠定一定理论和方法基础,为功率循环测试和数据分析提供一些借鉴。     

曲折结构钴基非晶薄带巨磁阻抗效应及其仿真分析

建立了曲折结构钴基非晶薄带近横向各向异性场巨磁阻抗效应的理论计算模型，通过Maxwell方程组以及带阻尼项的Landau-Lifshitz进动方程，对其巨磁阻抗效应(GMI)进行理论分析。着重讨论了曲折结构钴基非晶薄带的长度、宽度、线条间距以及工作频率和外加磁场等参数对GMI性能的影响。结果表明，在考虑非晶薄带微型化尺寸以及理想的GMI性能的情况下，曲折结构钴基非晶薄带的长度、宽度和线条间距之间存在一个比较理想的比例。根据理论计算结果，较为理想的结构参数分别为长度8 mm、间距60μm、宽度240μm，在工作频率为20 MHz的情况下，GMI比高达175%，理论计算结果为后续开展微型化薄带传感器的研制以及相关生物传感检测研究提供了一定的理论依据。     

某铀钼萃余液的絮凝预处理试验研究

针对国内某铀钼矿萃余液浊度和有机相含量高、影响返回利用问题，进行了絮凝预处理降浊及脱除其中有机相的试验研究。研究结果表明：使用阳离子絮凝剂C6140对萃余液进行预处理，在C6140用量2.0 g/m³萃余液、搅拌转速60 r/min、搅拌时间10 s、搅拌后静置40 min条件下，可将萃余液浊度从1 500 NTU降低至0 NTU,有机相质量浓度从294 mg/L降低至44.8 mg/L。研究得到的工艺参数对萃余液浊度变化有较强的适应性，絮凝预处理工艺参数可应用于生产。