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系统地论述了氧气底吹熔炼氧枪的结构、工作原理、设计计算方法、材质及蚀损机理.指出了延长氧枪使用寿命的措施。 相似文献
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文章介绍了一种新型的短波跳频通信技术——差分跳频,分析了差分跳频技术区别于常规跳频技术的主要特点。针对按序列检测的信号接收方法,对差分跳频通信系统在AWGN信道下的性能进行了理论分析,同时做出相应的计算机仿真,证实了差分跳频通信技术和按序列检测方法的结合,使通信系统在AWGN信道下的性能得到了比较显著的提升。 相似文献
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低阻VDMOSFET的优化设计与制造 总被引:1,自引:1,他引:0
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。 相似文献
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Na+、K+离子交换对Co-Mo/MCM-41加氢脱硫催化剂的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
用偏硅酸钠和正硅酸乙酯作硅源制备了MCM-41(分别记作MCM-41(S)和MCM-41(T))分子筛,并用Na2C2O4和K2C2O4对MCM-41(S)进行了碱金属离子交换改性。以质量分数0.8 %的二苯并噻吩(DBT)的十氢萘溶液为模型化合物,考察了不同MCM-41担载的Co-Mo硫化物催化剂对DBT的加氢脱硫反应性能。结果表明,MCM-41担载的Co-Mo催化剂加氢活性较低,DBT主要通过直接脱硫反应路径脱硫。其活性顺序为:Co-Mo/MCM-41(T)>Co-Mo/MCM-41(S)>Co-Mo/MCM-41(K)>Co-Mo/MCM-41(Na)。UV-Vis结果表明,部分Co与MCM-41(S)中少量Al发生相互作用,生成了CoAl2O4,是造成Co-Mo/MCM-41(S)活性降低的重要因素。而在Co-Mo/MCM-41(K)和Co-Mo/MCM-41(Na)中,除CoAl2O4物种之外,碱金属的引入还促进了Co3O4物种的形成,使其活性进一步降低。 相似文献