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MEMS器件中电极制作工艺的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了常用的国产BP212正型紫外光刻胶和光学曝光机在利用剥离工艺制备电极中的适用性.结果表明,采用国产的光刻胶和曝光设备完全可以得到实用性的带有凹面的光刻胶剖面和线条均匀性达到微米级的金属线条,简化了lift-off工艺,降低了成本,改进了金属电极的制备方法. 相似文献
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94.
下一代曝光(NGL)技术的现状和发展趋势 总被引:1,自引:1,他引:0
通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战 ,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状。通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光 )的特点、开发现状和有待解决的关键技术 ,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米 /纳米级图形的制备。 相似文献
95.
安利在中国的风雨之行最早应追溯到1990年,那时最早进入中国的外资直销企业只有雅芳公司。雅芳公司的直销模式是以销售员推销产品为主,当时未引起中国政府很大的关注,因此直销立法在中国还处于缺位状态。直到1991年8月,安利获中国政府有关部门批准立项,1992年8月签订合同,于1993年开始在广州经济技术开发区建设厂房,首期工程于1995年1月竣工。历经五年的岁月,安利终于在中国安营扎寨了。 相似文献
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97.
针对干涉测量实验中采集到的带有分割遮拦的环形干涉图,采用Zernike环多项式作为基底函数系对波面数据进行拟合,并对拟合结果进行了理论分析和实验验证。首先,利用相关矩阵,在理论上分析了Zernike环多项式在带有分割遮拦的单位环形区域内的交叉耦合现象。其次,分别采用Zernike圆多项式和Zernike环多项式对实验得到的中心遮拦比ε≈0.504,且带有分割遮拦的环形干涉图进行波面拟合,从拟合残余误差、各项Zernike系数的稳定性、传递矩阵的条件数三个方面,对比分析了两种多项式的拟合精度、可靠性以及抗扰动能力。实验结果表明,对于带有分割遮拦环形波面的拟合,当环形区域中分割遮拦较小时,Zernike环多项式具有较高的拟合精度、可靠性和抗扰动能力,可以达到很好的拟合效果。 相似文献
98.
99.
针对分辨力100nm的ArF光刻机,在环形照明和四极照明下,对4种曝光图形结构光刻性能进行了仿真研究。仿真结果表明,如果光刻物镜在加工装调后的光波像差为6nm,杂散光为2%,工件台运动标准偏差为8nm,曝光量控制在10%,CD≤±10%CD,利用四级照明,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4~0.5μm)实现满足器件要求的100nm密集线条、半密集线条的光刻成像。当曝光剂量更精确控制到7%,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4~0.5μm)实现满足器件要求的100nm孤立线条的光刻成像。 相似文献
100.
以二乙胺和四乙基氢氧化铵为混合模版剂,采用水热法合成了SAPO6和SAPO-34分子筛,并用XRD,SEM,XRF,NH3-TPD等手段对其表征,以氧化苯乙烯重排反应为探针反应评价其活性.分别讨论了加料顺序和晶化升温模式对合成SAPO-5和SAPO-34的影响.结果表明,改变加料顺序和晶化升温模式时,在原料和合成物料配比不变的条件下可以分别合成出纯相的SAPO6和SAPO-34分子筛.在氧化苯乙烯重排反应中,由于SAPO-34含有强酸位,会产生大量聚合物,使得苯乙醛的选择性较低,而只含有弱酸位的SAPO-5表现出较好的活性和选择性. 相似文献