工会要在推进国有企业改革和发展中积极发挥作用

学习贯彻四中全会精神,工会要做的工作的确很多,最重要的是用四中全会作出的《中共中央关于国有企业改革和发展若干重大问题的决定》统一工会干部和职工群众的思想,引导大家把力量凝聚到实现国有企业改革和发展的目标任务上来。四中全会作出的《决定》明确把“全心全     

重点项目紧急性测绘任务的优化管理

以宁夏沿黄经济带开发建设项目永宁段1：500地形图测绘项目为例,就重点项目紧急性测绘任务的优化管理进行介绍,探讨如何快速、高效地为重点项目建设提供测绘服务。     

对甲氧基苯乙酮缩氨基硫脲Sn(Ⅱ)、Pb(Ⅱ)配合物的直接电化学合成

用电化学金属阳极氧化法在非水溶剂中合成了对甲氧基苯乙酮缩氨基硫脲 ( HL)与 Sn( )、Pb( )的配合物 ,通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、摩尔电导等对配合物进行了表征。     

数字播控技术探讨

1引言当前,广播电视业已进入数字技术时代,许多国家都制定了数字电视广播时间表,不久的将来,高清晰度电视(HDTV)广播必将得以普及。而中国也于1999年国庆由中央电视台首次试播数字高清晰度电视广播,并获圆满成功,这也标志着中国业已进入数字电视应用时代。而作为电视台最能集中体现当代电视技术发展的播出部门,数字播控已不再是空中楼阁。2两种数字播控系统方案目前,数字播控有两种实现方案。一种是延续传统播控系统设计方法,以数字切换台为核心,自动播控软件也是以它作为主控制对象来搭建数字播控系统,系统内信号源为数字录像机(见图1)。…     

打基础 严管理 强素质 塑形象 谋发展——宁夏电力科技教育工程院2005年工作会议暨一届二次职代会隆重召开

工程院2005年工作会议暨一届二次职工代表大会于2005年3月2日4日隆重召开。宁夏电业工会主席高凤林、电力公司总工程师邓永辉出席了会议，并作重要讲话。     

小议新形势下中职数学课堂教学改革

中职数学课堂教学改革迫在眉睫，本文从注重初中与中职教育数学课程的衔接，教学过程中教师要与学生的真诚交流，分层次教学，适当调整数学教学内容，改革对学生数学成绩的评议方法几个方面加以阐述。     

东非海岸Davie构造带的构造演化特征及其成因机制

以东非海岸Davie构造带为研究对象,通过东非海岸地形、自由空气重力及磁异常等资料的综合分析,确定了Davie构造带的南北展布范围;通过对地震资料的精细解释,明确了Davie构造带不同部位的构造特征;利用层拉平、生长指数及平衡剖面等方法,结合区域动力学分析,对Davie构造带不同时期的构造特征进行了详细的解剖。结果表明:①在平面上,Davie构造带南北展布范围为4°S~22°S;剖面上,构造特征具有南北分段的特点,南段可见构造脊,伴随典型的底劈构造,北段可见正反转构造。②受东非海岸地区板块差异活动的影响,Davie构造带在不同时期具有不同特点,在晚石炭世—早侏罗世,主要受拉张应力影响,在层拉平后的地震剖面中可见典型的地堑结构;在中侏罗世—早白垩世,受马达加斯加向南漂移影响转变为走滑性质;晚白垩世以来,进入被动大陆边缘阶段,Davie东断层基本停止活动,而Davie西断层仍持续活动。③Davie构造带发育演化具有继承性,其南北构造差异是由于热传导与板块应力转变共同作用产生的结果,由此建立了“南段构造脊持续活动、北段扩张后局部挤压”的构造变形模式。该研究成果为Davie构造带油气地质研究奠定了理论基础。     

苯乙酮双缩硫代对称二氨基脲与ZnCl_2、NiAc_2、CoAc_2配合物及其抗癌活性研究

合成了苯乙酮双缩硫代对称二氨基脲 ( HL)及其与 Zn Cl2 、Ni Ac2 、Co Ac2 的配合物 ,通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、磁化率、摩尔电导等对配体和配合物进行了表征。测试了配体和配合物的抗癌活性。     

探析小容量自动化检测软件编程设计与应用

根据计量测试是一门专业技术工作，它对标准器具偏离真值程度做全面过程分析，不应当把它看作单纯的测试示值。提交高质量的工作结果需要每个计量人员付出辛勤的劳动，但是人们在测试过程中会遇到更多的问题，更多复杂的环节，这就意味着需用更多的时间去探索、研究和解决。     

Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜的磁控溅射制备及电学性能

采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量。同时,对所得薄膜材料的电流-电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻;ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体;Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10～10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通。