创意设计众包研究综述

目的 在群体创新视角下，分析众包的运作机制及其应用现状，为在创意设计领域推动群体工作、加强集体智慧提供思路。方法 首先，从众包的概念出发，分析众包与复杂科学、管理学、社会学、计算机科学之间的关系，收集整理众包应用领域;其次，分析众包系统构成、影响因素以及收发包操作流程，总结质量控制的框架;最后，分析组织内外部群体合作形式，指出众包与设计团队、设计招投标、竞赛、社会创新之间的关系与区别，概述研究存在的挑战。结论 众包是一种通过网络对接外部开放智力资源的模式，通过将设计任务分解、工作者特征建模，可以更为有效地将两者结合产生创新涌现。随着人工智能技术的普及，众包逐步向群智创新范式演化。     

桃林口水土保持自动化监测系统的开发与应用

<正>河北省桃林口水土保持监测分站位于青龙县境内桃林口水库大坝下游2.5km处,于2004年建成,是河北省6个水土保持监测分站之一。该站包括监测小区、气象站和控制站,桃林口水土保持自动化监测系统于2006年建成并投入运行,被列为河北省水土保持自动化监测试点项目。通过建设水土保持试验观测设施,完善配套监测设备,建立数据采集、分析处理和信息传输自动化系统,实现了水土保持监测的自动化、智能化和网络化。     

永磁无刷直流电动机计算机辅助设计

考虑到永磁无刷直流电动机的气隙波形和驱动方式,采用面向对象的编程软件C＋＋Builder6．0,设计和开发出可视化永磁无刷直流电动机计算机辅助设计软件。介绍了该软件关键程序窗口设置和功能实现,将软件设计值与实例值进行了比较,验证了该软件的可靠性。     

浅谈McWiLL技术在电力通信中的应用

本文对电力负荷管理系统通信需求的特殊性及现有负荷管理终端产品进行了分析,针对现有负荷控制终端产品中存在的价格较高、体积庞大、数据安全性考虑不多等不足,给出了在McWiLL无线Modem中电力负荷通信规约的实现方案。     

临近历史保护建筑的深基坑设计与施工

介绍了历史保护建筑的结构特点及对变形的控制要求,以及深基坑围护设计中如何根据变形控制要求进行有针对性的设计方案及施工措施.以上海半岛酒店工程为例,根据以上技术重点,同时根据时空效应理论,采取分期施工的方法,在实施过程中依据基坑信息化施工的监测数据进行施工过程控制,较成功的实现了邻近历史保护建筑的深基坑设计与施工.该工程的实践,可为类似工程提供一定的经验与参考.     

基于三维测量系统的手机天线性能测试

介绍了一种符合CTIA OTA测试标准的球面三维远场测量系统,着重分析了基于该测量系统的具体测试方法,重点研究TRP、TIS的测试与计算.根据手机天线测试需求,讨论了测试系统的配置,并分别在自由空间和人头模型两种条件下,模拟手机Pifa天线辐射性能的测试过程,包括仿真天线的3D方向图、效率、增益、总辐射功率等参数,得到的结果符合要求,说明该测量系统和测试方法是正确有效的.     

氮化铝与可伐封接件有限元应力分析

陶瓷金属封接件内残余应力主要是由热膨胀系数不匹配造成的,受各种因素的影响．其应力大小、分布影响着封接件的可靠性。对微波管内复杂氮化铝陶瓷-可伐金属结构运用有限元法计算封接件的应力。计算的结果表明,实际断裂方式与有限元分析相吻合。在此基础上,优化了封接结构,提出改进工艺,取得成功。     

纳米碳管复合陶瓷微波衰减材料的研究

采用无压烧结工艺,以AlN和镁橄榄石（M2S）粉作为基体制备了纳米碳管（CNT）复合陶瓷。制备了热导率高、衰减量大及频率匹配特性良好的AlN—CNT复合微波衰减陶瓷。制备出的致密的M2S-CNT复合微波衰减材料有希望替代用在真空电子器件中的氧化铝多孔渗碳微波吸收材料。     

工艺参数对α-Al_2O_3粉体性能的影响

以440℃预烧后的AlOOH或无定形Al2O3为原料,乙醇为分散剂,采用机械球磨和常压焙烧法制备α-Al2O3粉体,探讨矿化剂AlF3及机械球磨对α-Al2O3性能的影响,利用扫描电镜、X射线衍射、X射线圆盘式离心粒度分析仪等手段对α-Al2O3粉体分散性、颗粒形貌和物相进行表征。结果表明,焙烧后得到纯α-Al2O3相粉体,且随着AlF3用量的增加,α-Al2O3粉体的分散性变差,α-Al2O3的形貌由多维向二维转化,从而形成片状α-Al2O3;由于机械力化学及F-的作用,球磨4 h出现六方片状α-Al2O3,且随着球磨时间的延长,六方片状α-Al2O3数量增多,粒径增大。     

SOI工艺下NMOS管的热载流子效应研究

摘要：本文研究了SOI工艺下环形栅NMOS和双边栅NMOS（H型栅NMOS、T型栅NMOS和普通条形栅NMOS）的热载流子效应。基于热载流子退化的化学反应方程式和一种与器件几何结构相关的反应扩散方程,提出了环形栅NMOS和双边栅NMOS的热载流子退化模型。根据此模型得出,热载流子退化的时间指数与NMOS的栅结构密切相关,且环形栅NMOS与双边栅NMOS相比,热载流子退化更加严重。通过对0.5 PD SOI 工艺下这几种不同栅结构的NMOS管的设计、流片和热载流子试验,验证了结论。