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31.
为了提升激光钎焊的连接质量,从激光参数、送丝过程、钎料类型与尺寸等方面分析了影响激光钎焊的各种因素,综述了激光钎焊质量影响因素的研究成果。研究表明,影响激光钎焊质量的因素是综合性的,应通过正交方法做实验,依据统计数据作出分析,从而得到激光钎焊的最佳参数。 相似文献
32.
离子辅助制备碳化硅改性薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果.对样品进行了表面散射及反射的测量.通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松.在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃.温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好. 相似文献
33.
应用SiC反射镜表面改性技术提高TMC光学系统信噪比 总被引:2,自引:1,他引:1
为了消除SiC反射镜的固有缺陷,提高反射式光学系统的信噪比,使用SiC表面改性技术对同轴三反射(TMC)光学系统的SiC反射镜进行了处理.首先,应用等离子体辅助沉积(PIAD)技术沉积了一层Si改性层,接着对改性层进行精密抛光,然后在反射镜表面镀制Ag膜和增强膜,最后获得了表面改性对TMC光学系统信噪比的影响.Wyko轮廓仪测试表明,SiC反射镜的粗糙度R_a由10.42 nm降低到了0.95 nm;镀制高反射膜后,主镜、次镜、三镜及折叠镜在0.5~0.8 μm可见光波段的反射率>98%.计算结果表明,应用了表面改性技术后TMC反射式光学系统的信噪比提高了5%以上,说明SiC表面改性技术是一种提高TMC光学系统信噪比的有效方法. 相似文献
34.
废杂铜火法精炼生产光亮铜杆现状浅析 总被引:1,自引:0,他引:1
阐述了国内外利用废杂铜火法精炼生产低氧光亮铜杆技术及装备的现状,总结了国内该技术存在的问题,并对国内废杂铜火法精炼直接生产铜杆技术前景进行展望。 相似文献
35.
【摘要】 目的 综合分析肝动脉化疗栓塞(TACE)联合经皮消融(PA)与单独行TACE治疗不可手术切除的肝细胞癌(HCC)生存率、肿瘤缩小率的差异,为HCC的治疗提供理论依据。方法 收集比较TACE联合PA与单独行TACE治疗不可手术切除的HCC患者生存率差异的随机对照试验(RCT),从中提取相关数据,按照Cochrane手册标准对纳入文献进行质量评价。结果 共纳入15篇RCT,859例患者。meta分析显示:TACE联合PA组1、2、3年生存率、肿瘤缩小率均优于TACE单独治疗组[1年生存率:RR=1.454,95% CI(1.333,1.586),Z=8.56,P<0.001;2年生存率:RR=1.781,95% CI(1.511,2.099),Z=6.88,P<0.001;3年生存率:RR=2.351,95% CI(1.808,3.059),Z=6.37,P<0.001;肿瘤缩小率:RR=1.314,95% CI(1.190,1.452),Z=5.38,P<0.001]。敏感性分析揭示两组生存率、肿瘤缩小率的差异结果可靠。结论 与单独行TACE相比,TACE联合治疗组的患者1、2、3年生存率、肿瘤缩小率均较高。
相似文献
相似文献
36.
王彤彤 《激光与光电子学进展》2014,51(9):93102
反应烧结碳化硅(RB-SiC)是一种性能良好的反射镜镜胚材料,但其固有的一些缺陷导致未经特殊处理无法获得光滑的光学表面。使用X射线衍射(XRD)测试了反应烧结碳化硅试片的晶体结构,结果表明其主要成分为多晶态碳化硅和多晶态硅。扫描电子显微镜和原子力显微镜的测试结果指出镜胚表面残留的孔洞及抛光形成的台阶是造成散射降低光学性能的原因。通过等离子辅助沉积技术在反应烧结碳化硅表面镀制了一层硅改性层,消除了缺陷,再精细抛光硅改性层,获得了质量良好的光学表面。自行搭建的总积分散射仪对镀制硅改性层前后的反应烧结碳化硅表面进行了测量,总积分散射分别为9.37%和1.84%,改性后数值降低到改性前的1/5。反应烧结碳化硅反射镜光学性能得到了明显提高,接近抛光良好的K9玻璃。 相似文献
37.
38.
引入参数激励摆的非线性机制,应用于波浪能发电装置,并根据实际波浪低频、低幅值激励特性,提出浸没式单摆波能转换装置,研究其在规则波中的能量俘获情况。基于势流理论,针对垂荡运动,建立非线性运动方程,进行数值求解,分析摆球质量比、激励频率、幅值和系统阻尼对能量俘获效率的影响,并与空气中单摆的能量俘获效率进行对比。结果表明:合理选取质量比,可降低浸没式参数激励摆固有频率;与空气中单摆相比,浸没式参数激励摆在低频、小振幅的波浪激励环境下,俘获能量频谱带宽更宽,发电功率更高。 相似文献
39.
传统的入侵检测系统只提供大量独立的、原始的攻击报警信息,不利于用户和入侵响应系统对攻击及时作出响应,迫切需要根据低层的报警信息,建立高层的攻击场景。本文提出一种利用有色Petri网理论实时、动态构造攻击场景的方法。该方法首先用有色Petri网描述攻击场景,然后用扩展关联矩阵的比值快速匹配、构造攻击对应的攻击场景;并根据已构造的子攻击场景网,验证和检查漏报的攻击,预测下一步可能的攻击;同时,利用子攻击场景合并的方法构造新的攻击场景模式。 相似文献
40.
RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱 总被引:2,自引:0,他引:2
应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Get1-xCx薄膜.制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了C含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜.X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构.用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ce1-xCx薄膜中C的化学键合变化.研究结果表明;当x>0.78时,成键为C-H键;当x为0.53~0.62时,成键为C-C键;当x<0.47时,成键为Ge-C键. 相似文献