染料木苷纯度标准物质定值及不确定度评估

建立纯度标准物质的2种定值方法并对染料木苷的纯度定值和不确定度进行评估。方法 首先,采用液相色谱质谱法和核磁氢谱法对原料进行定性确证。质量平衡法中主要采用液相色谱-面积归一化法对原料的主成分进行定量分析,然后采用微量水分测定仪测定原料中的水分,采用顶空气相色谱法测定挥发性杂质,采用电感耦合等离子质谱测定金属元素杂质。定量核磁法采用一级纯度标准物质苯甲酸为内标,经过方法优化,通过不同位移上氢峰的面积比进行纯度定值。结果 2个方法定值结果均为99.72%,质量平衡法的不确定度评估为0.19%,定量核磁法的不确定度评估为0.09%。结论 建立的两种染料木苷纯度标准物质的定值方法准确、可靠,不确定度评估合理,适合大豆异黄酮类纯度标准物质的准确定值。     

RB-SiC基底反射镜表面改性工艺的改进

为了满足空间用大口径、复杂轻量化结构RB-SiC基底反射镜对高性能表面质量的需求,针对RB-SiC基底的特性,提出了改进表面改性工艺的方法.采用高能量考夫曼离子源辅助,预先对基底进行碳化和加镀C缓冲层,并制备Si改性涂层的方法对RB-SiC基底进行了表面改性.测试结果表明:与单纯霍尔离子源辅助方法相比,该工艺方法制备的Si改性涂层生长得更加致密、均匀,抛光特性良好;改性抛光后表面粗糙度(rms)降低到0.635 nm,达到了S-SiC基底的水平;改性后RB-SiC基底的反射率明显提高,达到了抛光良好的微晶玻璃的水平.结果表明,该工艺方法是提高RB-SiC基底表面改性效果的一种合理有效的方法.     

恩诺沙星纯度标准物质的定量核磁定值研究及其不确定度评估

采用定量核磁法对恩诺沙星标准物质进行纯度定值研究,考察了定量核磁中选择不同定量峰的定值结果,并系统评估了定量核磁法引入的定值不确定度。同时采用质量平衡法对恩诺沙星纯度进行定值。结果表明,恩诺沙星纯度标准物质核磁定值结果为99.7%,核磁定值不确定度为0.5%。     

离子辅助制备碳化硅改性用硅膜的研究

本文介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发，在碳化硅（Silicon Carbide: SiC）材料上制备硅改性薄膜的方法，研究了不同沉积速率下改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知硅膜层在沉积速率增大条件下结构趋于疏松。通过精细抛光改性的反应烧结碳化硅（Reaction Bonded Silicon Carbide: RB-SiC）样品表面散射系数减小到1.46%，反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明硅膜无龟裂和脱落，性质稳定，与碳化硅基底可以良好的结合。     

基于API监控的服务程序防御技术

目前大多数因特网应用都采用服务器／客户机模式，服务器程序安全对网络安全至关重要。本文提出了一种新的针对服务进程的防御技术，通过对关键API的拦截和安全性检查，可以发现大多数针对服务器程序的攻击．这种方法具有鲜明的特色：效率高，通用性好，漏报率低，误报率为零。实验表明，该方法能够防范一大类针对服务器程序的已
知和未知攻击。本文给出了该技术在Microsof IIS上的实现。     

南水北调工程受水城市生态效益发挥的方式探讨

南水北调东中线一期工程自通水以来,在城市生态补水、地下水压采、水环境改善等方面发挥了巨大生态效益。本文立足于南水北调工程面临的新形势新要求,针对目前南水北调生态效益实际发挥情况,分析了受水城市在发挥生态效益方面存在的问题和不足,并探索了生态效益发挥的方式。     

甲硝唑标准物质的纯度定值分析与不确定度评估研究

首次采用定量核磁法与质量平衡法两种不同原理的高准确度方法对甲硝唑标准物质进行纯度定值分析。对样品分装、定性分析、定值条件优化、均匀性检验、稳定性考察以及不确定度评估进行了系统、全面的研究。结果表明,甲硝唑标准物质纯度质量分数为99.8%,扩展不确定度为0.4%,均匀性良好,4℃条件下至少稳定6个月,已获得国家二级标准物质证书(编号为GBW(E)090755)。甲硝唑纯度标准物质将广泛应用于仪器校准、方法评价等化学计量领域,尤其为农产品质量安全例行监测与风险评估项目提供溯源保障。     

Web挖掘技术研究

信息挖掘技术是当代计算机领域的热门话题，Internet／Web技术的快速普及和迅猛发展，产生出了海量的信息，如何在这个全球最大的数据集合中发现有用信息成为数据挖掘研究的热点。作为从浩瀚的Web信息资源中发现潜在的、有价值知识的一种有效技术，Web挖掘正悄然兴起，备受关注。目前，Web挖掘的研究正处于发展阶段，尚无统一的结论，本文结合当前Web挖掘的状况，介绍了一个基于Agent的Web挖掘模型，重点分析了Web挖掘的方法，概要介绍了Web数据挖掘在三个研究领域的研究现状及发展。     

霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜的初步研究

应用电子枪蒸发硅,霍尔离子源电离甲烷,并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅（Reaction Bonded Silicon Carbide: RB SiC）基底上沉积了碳化硅（SiC:H）改性薄膜。XRD测试表明制备的碳化硅改性薄膜为α相。通过控制沉积速率,制备了硬度从9.781 GPa-13.087 GPa,弹性模量89.344 GPa-123.413 GPa的碳化硅改性薄膜。比较同样条件下都镀制银膜的抛光良好微晶玻璃和经过精细抛光的改性反应烧结碳化硅,两者有相近的反射率。附着力实验表明制备的薄膜和基底有良好的结合。在温度冲击实验下,制备的薄膜无龟裂和脱落。