PTA压力离心机转子的改造

介绍了PTA压力离心机的主要性能参数、工作原理、分离效果的影响因素。为了增大沉渣在过渡区及脱水区滞留的时问，同时为达到在过渡区及脱水区对沉渣加入纯净水进行再冲洗的目的，对螺旋送料转子、挡液环、进料管进行了改造。改造后，沉渣在脱水区的停留时间由0．44a增至0．72s，2．5～3t／h的冲洗水对脱水区的沉渣进行冲洗效果较好。产品中的杂质质量分数较改造前减少15％，产品优等品率提高到99％。     

7-（3-氨基-3-芳基丙酰）-3-三氟甲基-5,6,7,8-四氢[1,2,4]三唑并[4,3-α]哌嗪的合成

以2-氯吡嗪和3-氨基-3-芳基丙酸为原料,经肼解、三氟乙酰化、闭环、氢化、缩合、脱保护等一系列反应合成了标题化合物,通过IR、1HNMR、13CNMR、MS对所得化合物的结构进行了表征.     

一台循环流化床锅炉U型二次分离的改进对过热器爆管的影响

文章通过对一台循环流化床锅炉U型二次分离装置的改进，减少了过热器爆管的介绍，给出了采用多次离心分离技术，改善和提高烟尘分离效率，从而改善过热器外部工作条件，达到减少爆管发生的措施，相应提出了一些有关的建议。     

均匀设计法分析制备过程对钴钼硫化物催化剂机械强度的影响

建立了CoMoP/Al2O3加氢精制催化剂机械强度及其可靠性在制备过程中的数学模型,采用均匀设计考察了浸渍、干燥、煅烧、硫化4个制备过程中,浸渍时间、干燥温度、干燥时间、煅烧温度、煅烧时间、硫化温度和硫化升温速率7个实验因子对催化剂强度均值、Weibull模量的影响,同时考察了这些因素对颗粒密度的影响。方差分析表明所有模型都是充足的。实验结果表明,硫化过程是影响催化剂强度均值的主要过程。在实验范围内提高硫化温度、降低硫化时的升温速率有利于提高催化剂的强度。影响催化剂Weibull模量的因素主要为各个制备过程的交互效应。要提高催化剂强度的可靠性就必须全面考虑催化剂制备的各个过程,特别是各个制备过程的交互效应。     

徐州市造纸工业水污染综合治理的产业政策

概述了徐州市造纸工业的现状,指出了当前徐州市造纸企业存在的问题,并对徐州市造纸工业所面临的形势进行了分析,最后从行政角度研究了适合徐州市造纸企业水污染综合治理的产业政策.     

苏里格低渗强非均质性气田开发技术对策探讨

鄂尔多斯盆地苏里格气田储集层具有低渗、强非均质性、中强压敏的特点，气井产能低，稳产期短。根据单井模拟及生产动态分析，气井低产量生产可以降低压敏效应的影响，加强气井低产量生产阶段的管理，有利于合理利用地层能量，提高井控外围低渗区储量动用程度；分层压裂、多层合采可以在纵向上充分动用气井控制储量，增加气井最终累计产气量和稳产时间；地质研究与地震相结合，是提高储集层预测精度和钻井成功率的技术关键；降低成本，争取优惠政策也是提高经济效益的有效途径。     

离子束辅助沉积制备高功率激光薄膜的研究

综述了离子束辅助沉积技术在高功率激光薄膜制备中的应用研究进展.指出该技术在制备高激光损伤阈值的薄膜中存在的问题,即出现过高的堆积密度,会给薄膜带来杂质缺陷、化学计量比缺陷、损伤缺陷、晶界缺陷,制备薄膜的残余应力存在着压应力增加的趋势,会改变薄膜的晶体结构等.并指出了该研究领域的研究方向.     

Quasi-Chun-Ching Shih''''s Fractional Fourier Transform with Periodicity of 2,3 and M

Based on Chun-Ching Shih's idea, the basic transform was substituted and the quasi-ChunChing Shih's fractional Fourier transform with periodicity of 2, 3 and M was deduced. The two former transforms and the Chun-Ching Shih's fractional Fourier transform were only the particular cases of quasiChun-Ching Shih's fractional Fourier transform with periodicity of M.     

基于非均匀星座的改进ARQ方案及其性能分析

本文针对调制阶数大于4的MPSK和MQAM调制，在重传中采用非均匀星座图和符号比特重新排序，提出了一种改进的ARQ方案。通过对AWGN信道下ARQ方案进行理论分析和数值仿真，表明基于非均匀星座的新方案在信道条件较差时能有效地提高重要比特的可靠性，若重传中结合符号比特重排和分组合并，则可使接收端解调合并后的比特可靠性趋于均匀且总体得到提高，从而有效地减少重传次数，提高系统的吞吐率。由于本文所提方案并不改变调制解调规则和数据分组长度，故容易实现和控制。     

Analysis and Simulation of S-shaped Waveguide in Silicon-on-insulator

The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively.