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991.
系统地介绍了SSJ-3060计算机监控系统,说明了系统的结构、功能、特点,并着重介绍了该系统在宝珠寺电站运行情况及使用效果。 相似文献
992.
993.
994.
995.
提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析. 相似文献
996.
咪唑封端扩链脲改性环氧树脂E-51/酸酐MTHPA体系性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以端羟基聚环氧丙烷1000,甲苯二异氰酸酯(TDI),2-甲基咪唑为原料,合成了扩链脲TI,利用DSC,动态热机械分析仪DMA,冲击试验机及扫描电镜(SEM)等手段对TI改性的环氧树脂E-51/甲基四氢化邻苯二甲酸酐(MTHPA)固化体系的反应活性,动态力学行为,冲击性能,断裂面形态结构进行了系统研究,结果表明,改性后的E-51/MTHPA体系反应活性明显提高,固化反应峰顶温度较未改性体系降低160℃-200℃,固化反应的表观活化能由未改性体系的160.3kJ/mol降至63kJ/mol-87kJ/mol,同时与未改性体系相比,经过改性的环氧树脂固化体系冲击强度有较大的提高,在TI含量为5%时体系的玻璃化转变温度Ts达到最高,各改性体系冲击断面呈韧性断裂。 相似文献
997.
连续小波变换VLSI实现综述 总被引:13,自引:2,他引:11
小波变换是信号处理、图像压缩和模式识别等诸多领域中一个非常有效的数学分析工具。然而,实时小波变换计算量大,需要专用硬件来实现。连续小波变换的VLSI实现在处理速度、功耗及适用频率范围方面部具有较明显的优势,且实现方法灵活。本文对近年来有关该领域的研究情况作了综合评述,讨论了其中存在的问题,并指出了今后的若干发展方向,特别是瞬时缩展电路技术是实现低电压低功耗小波变换芯片的重要途经之一。 相似文献
998.
999.
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。 相似文献
1000.