TiAlN涂层刀具对不同调质状态40Cr钢切削性能研究

为了更好地指导TiAlN涂层刀具在金属切削加工中的应用,采用物理气相沉积法制备了TiAlN涂层刀具,应用TiAlN涂层刀具和未涂层刀具对不同调质状态的40Cr钢进行了干式切削试验。通过对切削过程中切削力和切削温度检测,考察了TiAlN涂层刀具的切削性能。结果表明,与YTl5硬质合金刀具相比,TiAlN涂层刀具适合切削高硬度的金属材料,且优越性更明显。     

改进型高镍铬轧辊的切削性能分析

目前改进型高镍铬无限冷硬铸铁轧辊以其高的耐磨性在国外得到普遍使用,本文通过对改进型高镍铬轧辊的切削分析,选择合理切削参数,实现轧辊的高效加工,对于今后的轧辊生产具有一定的帮助。     

一起熔融尿素致使多人烫伤事故分析

一、事故经过 2009年11月22日9时,豫北一化肥厂尿素车间因造粒系统皮带电机故障,蒸发系统短时停运,85％尿液经尿液熔融泵P106直接送入熔融尿液储槽T101。10时10分造粒系统故障处理完毕,85％尿液由尿液熔融泵P106送入蒸发系统,走大循环提温提真空,10时25分达到造粒条件后送造粒。熔融尿液储槽T101的液位控制室DCS显示,由9时的3．9％上升到10时26分的86．7％。为防止尿液结晶,10时30分当班班长通知蒸发岗位启动尿液回收泵P109A打循环。     

萨曼杰佩气田集输系统安全控制与应急管理浅析

近几年川西气田须家河组气藏试采力度加大,产出地层水量大幅上升,高矿化度地层水处理难度大,处理外排面临着较大环保隐患。目前对气田水最有效的处理方式是异层回注处理。但对不同气藏的气田水,同时进行回注时,要保证回注成功和回注系统正常运行,必须对水质进行配伍实验。针对中国石化西南油气分公司川西气田须家河气藏地层水与蓬莱镇气藏水的水质特征,进行了水质、储层配伍性实验,从而了解影响回注的因素,并提出注意事项与解决措施。     

750 kV单相三绕组双体组合式变压器工程应用研究

围绕750 kV组合变压器,介绍了750 kV单相三绕组双体组合变压器的应用背景,阐述了750 kV组合变压器的设备方案、布置方案和控制保护方案,重点比较了常规变压器与组合变压器的设备尺寸和运输尺寸、空载和负载损耗、变电站布置方案。最后,结合西北地区电网的发展对750 kV组合变压器的未来进行了展望。     

环境中羰基化合物分析方法研究进展

作为环境中重要的挥发性有机污染物,羰基化合物受到了广泛的关注,多种分析技术被应用于其相关环境样品的监测.笔者从羰基化合物的前处理技术研究和仪器分析进展两个方面,概述了近年来国内外的相关研究成果.从研究前景来看,高灵敏、高选择性的液相双质谱结合特殊衍生试剂分析空气、水、食品及植物中的痕量高分子量羰基化合物前景较好,而一些新型羰基化合物前处理技术的研制方面也有较大的研究空间.     

铜抛光液对片内非均匀性影响的研究

对于低介电常数材料和铜互连结构在低压化学机械抛光中,研发新的抛光液和调整工艺参数是非常必要的。抛光液的研发是减少抛光表面划伤和解决磨料剩余的关键。抛光液组成由片内非均匀性和铜抛光去除速率特性来优化。氧化剂浓度1Vol%;磨料浓度0.8Vol%;螯合剂浓度2Vol%。工作压力1kPa。抛光后表面缺陷减小并且表面干净无污染。去除速率289nm/min,片内非均匀性0.065。化学机械抛光后用原子力测量粗糙度为0.22 nm。     

Effect of copper slurry on polishing characteristics

The composition of the polishing solution is optimized by investigating the impact of the WIWNU (the so-called within-wafer-non-uniformity WIWNU) and the removal rate(RR) on the polishing characteristics of copper.The oxidizer concentration is 1 Vol%;the abrasive concentration is 0.8 Vol%;the chelating agent of the solution is 2 Vol%.The working pressure is 1 kPa.The defect on the surface is degraded and the surface is clean after polishing.The removal rate is 289 nm/min and the WIWNU is 0.065.The surface roughness measured by AFM after CMP(chemical mechanical planarization) is 0.22 nm.     

Effect of alkaline slurry on the electric character of the pattern Cu wafer

For process integration considerations,we will investigate the impact of chemical mechanical polishing (CMP) on the electrical characteristics of the pattern Cu wafer.In this paper,we investigate the impacts of the CMP process with two kinds of slurry,one of which is acid slurry of SVTC and the other is FA/O alkaline slurry purchased from Tianjin Jingling Microelectronic Material Limited.Three aspects were investigated:resistance,capacitance and leakage current.The result shows that after polishing by the slurry of FA/O,the resistance is lower than the SVTC.After polishing by the acid slurry and FA/O alkaline slurry,the difference in capacitance is not very large. The values are 0.1 nF and 0.12 nF,respectively.The leakage current of the film polished by the slurry of FA/O is 0.01 nA,which is lower than the slurry of SVTC.The results show that the slurry of FA/O produced less dishing and oxide loss than the slurry of SVTC.     

可见光诱导TiO2光催化及其机理研究进展

简述了二氧化钛的光催化机理。针对其禁带宽度较大,只能被小于387nm的紫外光所激发的缺点,综述了近年来国内外针对纳米TiO2可见光催化的改性方法和改性机理研究进展,包括离子掺杂、半导体复合、表面光敏化等方法。最后展望了提高纳米TiO2可见光光催化活性研究的前景。