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51.
用M06/6-31+G*方法和PCM(polarized continuum model)溶剂模型研究了CnCu+/2+和CnZn2+配合物在气液两相中的稳定性顺序,重点从溶剂效应和电荷分布等方面讨论分析了与生物环境相关的液相中各配合物的稳定性。结果表明,CnCu+受溶剂效应和电子转移的影响不大,气液两相中最稳定的配合物均为C1Cu+,后面的配合物稳定性顺序基本一致;CnCu2+在气相中最稳定的也是C1Cu2+,受溶剂效应和电子转移的影响(溶液中C4CuII+→C4CuII2+过程比C1Cu+→C1Cu2+进程有更多的电荷转移(0.14 vs 0.07)),液相中最稳定的配合物变为C4CuII2+。CnZn2+在气液两相中最稳定的配合物均为C1Zn2+,这与CnCu+最稳定的配合物规律一致,但后面的配合物稳定性顺序变化较大,其中稳定性顺序中排第二位和第三位的配合物由气相中的C7ZnI2+和C6ZnI2+变为液相中的C4ZnII2+和C5ZnI2+。C4MII+/2+和C5MI+/2+因结构对称且电荷分布相似,稳定性基本一致。 相似文献
52.
利用自制的电热爆炸超高速喷涂装置在GH3039高温合金基体上制备了NiAl-TiC复合涂层,采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱分析仪(EDS)对涂层的相组成、形貌和组织成分进行了分析,对涂层与基体的结合强度进行了测定,并利用显微硬度计测定了涂层硬度.结果表明,涂层仅由NiAl和TiC两相组成,没有新的相和氧化物生成;涂层致密均匀,没有分层现象,基体与涂层间发生了元素扩散现象,为扩散-冶金结合.涂层与基体的结合强度大于112.25 MPa,涂层的硬度平均在900 HV0.5左右. 相似文献
53.
54.
The radiation response of 90 nm bulk silicon MOS devices after heavy ion irradiation is experimentally investigated. Due to the random strike of the incident particle, different degradation behaviors of bulk silicon MOS devices are observed. The drain current and maximum transconductance degrade as a result of the displacement damage in the channel induced by heavy ion strike. The off-state leakage current degradation and threshold voltage shift are also observed after heavy ion irradiation. The results suggest that the radiation induced damage of sub-100 nm MOS devices caused by heavy ion irradiation should be paid attention. 相似文献
55.
通过机织面料的各种性能分析再在相同款式之间进行对比,从中总结出服装款式造型设计运用面料的规律,给服装设计的面料选择提供更多的参考。 相似文献
56.
57.
采用物理发泡的方法研究影响轻质水泥基材料制备的因素,在水灰比为0.3、PCS-2速凝剂掺量14%、CaCl2掺量2.0%时,可制得轻质水泥基材料,其28d表观密度为85.9kg/m3时,抗压强度为0.063MPa;28d表观密度为97.7kg/m3时,抗压强度为0.077MPa;28d表观密度为113kg/m3时,抗压强度为0.12MPa;28d表观密度为144.5kg/m3时,抗压强度为0.25MPa。并探讨水泥基材料的表观密度对其收缩开裂性能的影响。结果表明:在一定范围内表观密度的下降可抑制其塑性收缩开裂;但密度低于276kg/m3,其收缩开裂程度严重。掺入0.6kg/m3的PP纤维,减裂率可达89.2%。 相似文献
58.
采用正交试验设计方法优化反应条件制备了纯1阶结构的钾 四氢呋喃 石墨插层化合物(K THF GIC),研究了1阶K THF GIC在空气中放置、溶剂洗涤以及加热处理时的稳定性,并对K、THF嵌入石墨层间以及从石墨层间脱嵌的过程进行了探讨。结果表明:制备K THF GIC时,插层剂浓度和插层反应时间对产物结构的影响很大,较大的插层剂浓度,较长的反应时间有利于石墨反应完全;1阶K THF GIC的稳定性较差,K、THF容易从层间脱嵌,使得阶结构由1阶向高阶变化,高阶K THF GIC的稳定性相对1阶K THF GIC来说要好一些,即形成高阶K THF GIC后,K、THF从层间脱嵌的速率要慢些。 相似文献
59.
60.
研究了在不同温度下的3种不同处理状态的多元Al-7Si-0.3Mg铝合金热疲劳性能,提出了用积分方法及割线法计算热疲劳裂纹扩展寿命,并对合金的热疲劳裂纹生长行为进行了分析。结果表明:温度变化对多元Al-7Si-0.3Mg铝合金的热疲劳裂纹扩展速率有直接的影响,添加了Cu、Mn、Ti等元素的多元Al-7Si-0.3Mg合金在细化变质处理和直接细化变质处理后的热疲劳性能优于铸态Al-7Si-0.3Mg合金。热疲劳裂纹的萌生需经历一定的孕育期,裂纹萌生于V型缺口处,当交变热应力超过合金的屈服强度σs时,沿着V型缺口的应力集中部位或缺陷处会出现不同类型的热疲劳裂纹,但有且只有1条主裂纹。当裂纹尖端扩展路径与第二相颗粒长轴方向形成小于45°的夹角时,裂纹扩展将沿着第二相颗粒的边缘继续向前扩展;当裂纹尖端扩展路径与第二相颗粒短轴方向形成小于45°的夹角时,裂纹将穿过第二相颗粒,继续向前扩展。 相似文献