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针对柔模混凝土、高水充填沿空留巷存在支护材料成本较高、人员占用多及后期修巷工程量较大等问题,根据何满潮院士的"110工法",依托聚能水压光面爆破技术,结合采空区上覆岩层垮落规律和采空区的压力显现规律,在实验室进行了"巷道底板岩层应力分布区域"技术研究;掌握了巷道原岩应力区、应力集中区、卸压区、应力恢复区4个区域的分布地点和受力状况;总结出切顶卸压无充填沿空留巷技术的技术原理,并制定了无充填留巷技术的支护方案。利用切顶卸压无充填沿空留巷技术,留巷断面、支护强度符合相关要求,生产成本大大降低,经济社会效益较为显著。 相似文献
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采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN;薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响,且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。 相似文献
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采用低温酸刻蚀,通过优化HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比及相关工艺参数,在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,并进行SEM表面形貌分析和反射谱的测试。结果表明,低温刻蚀比常温刻蚀在生产工艺中更有利于控制反应速度,从而得到效果较好的绒面结构。研究中发现,在不同HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比中,温度对反应速率的影响有较大差异,当HNO3含量相对较低时,低温刻蚀工艺有较好的效果。所得最佳绒面制备方案为:酸腐蚀溶液体系配比为VHF∶VHNO3∶VH2O=1∶4∶2,温度为3℃,反应速率控制为2.6μm/min。该方案已在25MW多晶硅太阳电池生产线上实施,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。 相似文献
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随着抗滑桩应用的日益广泛,利用单桩承载力或是通过经验进行抗滑桩间距估计的方法已经不能满足抗滑桩设计的安全和经济需求。而在桩土相互作用过程中,土拱效应往往起着极其重要的作用。鉴于土拱效应对于抗滑桩间距计算的重要性,对基于土拱效应的抗滑桩间距计算方法进行了总结。分别根据静力平衡条件,大小主应力理论和土拱强度条件,介绍了三大类不同计算方法,并分析了各自主要特点,由此提出了今后利用土拱效应计算合理桩间距时应注意的问题及相关建议。 相似文献
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随着计算机技术和仿真技术在建筑行业的结合应用,这种代表世界最先进科技的虚拟仿真技术已经打破了我国众多的传统设计、施工手段。这种技术在建筑施工中的应用具有诸多好处和优点,它既降低了施工的成本和风险,又提高了施工的质量,减少工期,在整体上提高了施工效益。凭借着技术上的优势,它可以进行无数次重复高仿真试验。根据笔者的工作经验和了解情况,本文就虚拟仿真技术进行了简要概述和应用分析。 相似文献