楼梯踏步钢模板施工法

高层建筑剪力墙清水混凝土结构施工中，楼梯踏步多采用定型钢模板，其优点是操作简便，易于拆除，模板可多次周转使用，支撑效果好，并能有效防止踏步产生空鼓。我单位在北京市昌平区健康家园32层剪力墙结构施工中，采用定型钢模施工楼梯踏步，效果很好，现将具体作法介绍如下。     

DuPont 1090B热分析仪温度测量电路

<正> 1 前言 热分析所研究的是物质受热所引起的各种物理和化学变化过程。探讨这些过程,形成了种类繁多的热分析技术。如:TG、DTA、DSC……。这些技术共同的特点是:测量都是在程序温度控制条件下进行的,结果都以试样的温度为变量。足见温度测量在热分析技术中的重要性。本文主要介绍DuPont 1090B热分析仪的温度测量电路、     

贵州省辣椒产业加工现状及发展建议

贵州作为我国最早种植辣椒的食辣大省,2020年辣椒生产及销售规模已达全国第一。依靠“香辣协调·品味温醇”的独特品质和依托全国食辣文化的发展潮流,近年来,贵州辣椒加工产业发展势头迅猛。该文从贵州辣椒加工业的发展现状即辣椒企业及优势产品的分布、产值情况等分析当前辣椒加工业存在的主要问题,旨在为推动辣椒加工业高质量发展提供建议参考。     

5,6-二羟基吲哚的发展与合成现状

5,6-二羟基吲哚具有无毒、副作用的永久性染发剂,正逐步取代苯胺类化合物作为合成染发剂的最佳选择。但是由于5,6-二羟基吲哚对氧、过渡金属、PH值较为敏感,性质很不稳定。目前已有的生产方法主要包括苯甲醛法、苯乙腈法、苯乙胺法以及电化学法,这些方法由于收率不高以及操作条件苛刻等原因,提纯比较困难,一直难以制备出高纯度的5,6-二羟基吲哚,使得一直难以进行5,6-二羟基吲哚的大型化生产。     

70 m3聚合釜聚氯乙烯生产装置节能降耗研究

研究了聚氯乙烯(PVC)70 m3聚合釜生产装置的节能降耗措施,对降低电耗、蒸汽耗、物耗进行了具体分析.提出了综合降耗的措施,使之达到国内同类生产装置先进水平.     

低损耗As-S玻璃光纤的制备与应用研究

采用反复蒸馏提纯技术和开放式动态蒸馏相结合的工艺, 制备了高纯As-S玻璃, 基本消除了玻璃在2.9、4和6.3 μm处的杂质吸收。利用旋转法制备出壁厚均匀、表面质量优异的硫系玻璃套管。采用棒管法拉制出丝径50 μm, 芯径40 μm具有芯包结构的硫系玻璃光纤。拉制的As-S光纤机械性能和光学性能优异, 光纤丝径波动小于1%, 弯曲半径优于4 mm, 中红外波段损耗基线小于0.5 dB/m。制备出像元呈正方形排列, 出端规格64×9, 入端规格192×3, 用于线-面转换的红外传像束, 像束断丝率为2.7%。利用该异型传像束成功实现了长线阵的红外推扫成像。     

马兰中酚类的分离纯化及其抑制蛋白糖基化的研究

采用大孔吸附树脂对马兰粗提物进行分离,得到4 组含有多酚的洗脱组分（F1、F2、F3、F4）。用Sephadex LH-20色谱柱对F2进一步纯化,得到3,5-二咖啡酰奎宁酸和3,4,5-三咖啡酰奎宁酸。通过建立牛血清白蛋白-甲基乙二醛（bovine serum albumin-methylglyoxal,BSA-MGO）和牛血清白蛋白-乙二醛（bovine serum albuminglyoxal,BSA-GO）的蛋白质糖基化反应模型,分析各所得组分抑制蛋白质糖基化的能力。结果表明：多酚含量依次为F2＞F1＞F3＞F4,马兰各组分对两种模型引起的蛋白质糖基化均具有良好的抑制效果。在BSA-GO的反应模型中,抑制蛋白质糖基化效果为3,5-二咖啡酰奎宁酸＞F2＞F3＞F1＞马兰粗提取物＞F4,BSA-MGO的反应模型中,抑制蛋白质糖基化效果为3,5-二咖啡酰奎宁酸＞F2＞马兰粗提取物＞F1＞F4＞F3,此结果与F2组分中分离得到的3,5-二咖啡酰奎宁酸具有良好的抑制效果一致。结论：马兰中分离得到的多酚类物质--3,5-二咖啡酰奎宁酸具有很强的抑制MGO/GO引发的蛋白糖基化功能。     

面向复杂产品协同开发的供应商数据建模技术

针对复杂产品协同开发过程中供应商数据管理困难、发生工程更改时供应商数据难以同步维护等问题,以主制造商创建的工程BOM为源头,提出了供应商BOM的构建方法;以供应商BOM为核心建立了供应商数据模型;并基于PLM软件进行了系统开发,实现了主制造商对供应商数据的一致性管理。目前,系统已应用于某型号民用飞机研制过程。     

AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计

采用一维传递矩阵法模拟计算了AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器(发射波长为396.6nm)的波导特性.以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量,获得激光器的优化结构参数为:3周期量子阱In0.02Ga0.98N/In0.15Ga0.85N(10.5nm/3.5nm)作为有源层,90nm In0.1Ga0.9N为波导层,120周期Al0.25Ga0.75N/GaN(2.5nm/2.5nm)为限制层.     

多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结果表明改进的缓冲层法能提高 MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量