气体中微量甲醛的脱除研究进展

主要阐述了去除甲醛气体的常用材料（吸附材料、催化氧化材料、光催化降解材料和生物技术材料）的研究进展,文中指出碳基材料、分子筛、有机金属骨架常常被用作吸附挥发性有机气体,它们具备丰富的孔道结构和较大的比表面积,碳基材料和分子筛表面存在大量丰富的基团能够有效地增大甲醛的吸附容量,提高甲醛的吸附效率;有机金属骨架表面的金属与甲醛结合成键,有效提高材料的化学吸附;以金属氧化物为载体的材料常被用作催化氧化甲醛分子,将甲醛分子转化为无毒性的二氧化碳和水;半导体材料TiO₂常被用作光催化降解材料去除甲醛;除此之外还有一些利用生物技术来去除甲醛气体。本文对比了不同材料去除甲醛的优劣性,对不同的去除材料改性研究进行了归纳总结。     

SQ401催化剂在100kt/a固定床异丁烷脱氢装置上的工业应用

介绍了由中国石油大学（北京）自主开发、东营科尔特新材料有限公司生产的SQ401催化剂在山东鲁深发化工有限公司100 kt/a固定床异丁烷脱氢装置的应用和运行情况。结果表明：SQ401催化剂具有较高的异丁烷转化率、异丁烯选择性和脱氢稳定性,异丁烷转化率为16.56%、异丁烯选择性为92.59%、异丁烯收率为15.34%,生产的异丁烯能够满足下游MTBE装置的生产需要;对催化剂的再生过程进行了改进,催化剂再生时间从4天降为2天,有效提高了生产效率。     

基于改进蚁群算法的分布式电源容量优化配置

以实现配电网经济成本最低和环境污染最小为目的,设计了基于改进蚁群算法的分布式电源容量优化配置方法。首先,考虑节点环境不同因素搭建含多类分布式电源的配电网综合运行模型,明确了系统运行约束以及功率约束;其次,通过对信息素进行约束提出了改进型蚁群算法,以提高蚁群算法的收敛精度以及速度;之后,设计了基于改进型蚁群算法的配电网容量优化配置流程;最后,在Matlab平台上实现了中压配电网系统的容量优化以及选址,与相关案例结果对比分析验证了所提出方法的有效性。     

水热处理对电化学沉积HA涂层物相的影响

采用电化学沉积在碱处理Ti6Al4V钛合金基体上生成羟基磷灰石（HA）涂层,研究了水热处理对该涂层物相的影响。结果表明,电化学沉积HA涂层结晶度低、晶粒尺寸较小,经120 ℃和160 ℃水热处理后,HA结晶度和晶粒尺寸显著增大,且随水热处理温度的增加,结晶度和晶粒尺寸增加。     

Design of a 40-GHz LNA in 0.13-μm SiGe BiCMOS

A low-noise amplifier(LNA)operated at 40 GHz is designed.An improved cascode configuration is proposed and the design of matching networks is presented.Short-circuited coplanar waveguides(CPWs)were used as inductors to achieve a high Q-factor.The circuit was fabricated in a 0.13-μm SiGe BiCMOS technology with a transistor transit frequency fT of 103GHz.The chip area is 0.21mm2.The LNA has one cascode stage with a-3dB bandwidth from 34 to 44GHz.At 40GHz,the measured gain is 8.6dB;the input return loss,S11,is...     

Ternary logic circuit design based on single electron transistors

Based on the I-V characteristics and the function of adjustable threshold voltage of a single electron transistor （SET）, we design the basic ternary logic circuits, which have been simulated by SPICE and their power and transient characteristics have been extensively analyzed. The simulation results indicate that the proposed circuits exhibit a simpler structure, smaller signal delay and lower power.     

一种X波段GaAs单片单刀双掷开关

采用0.2μmGaAsPHEMT工艺设计了一种X波段单刀双掷开关单片集成电路。在片测试结果为8～11GHz范围内,隔离度>30dB,在中心频率9.5GHz能够达到45dB,插损<1.2dB。芯片结构非常简单紧凑,仅用了两个并联的PHEMT管。     

20－44GHz 宽带倍频器单片集成电路的设计研究

摘要：本文采用0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了输出信号带宽为20~44GHz的宽带倍频器。倍频器由三部分组成：将单端信号转换成差分信号的有源巴仑, 产生倍频信号的推－推结构的平衡倍频器和分布式放大器。输出信号功率在整个频段为12～17dBm。基波抑制比的典型值为－20dBc左右,该倍频器的偏置电压为±3.5V,直流电流为200mA。芯片的面积为1.5mm ×1.8mm。     

基于SET/MOS混合结构的只读存储器设计

结合单电子晶体管的I-V特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想,设计实现了4×4位的只读存储器电路.该电路各主要组成部分均由单电子晶体管和MOS管的混合结构构成,通过对该电路进行SPICE仿真分析,验证了电路设计的正确性.研究表明,只读存储器的取数时间达到了纳秒级;该电路与纯SET实现的电路相比,驱动能力得到了提高;与传统晶体管实现的电路相比,具有高集成度、低功耗等优点.     

基于SET/MOS混合结构的译码器电路的设计

基于SET的I-V特性以及SET与MOS管互补的特性,以MOS管的逻辑电路为设计思想,首先提出了一个SET/MOS混合结构的反相器,进而推出或非门电路,并最终实现了一个唯一地址译码器.通过SET和MOS管两者的混合构建的电路与纯SET实现的电路相比,电路的带负载能力增强;与纯MOS晶体管实现的电路相比,电路同样仅需要单电源供电,且元器件数目得到了减少,电路的静态功耗大大降低.仿真结果验证了电路设计的正确性.