全文获取类型
收费全文 | 103篇 |
免费 | 5篇 |
国内免费 | 25篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
化学工业 | 2篇 |
金属工艺 | 41篇 |
机械仪表 | 26篇 |
建筑科学 | 1篇 |
矿业工程 | 4篇 |
能源动力 | 5篇 |
轻工业 | 4篇 |
水利工程 | 1篇 |
石油天然气 | 16篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 4篇 |
一般工业技术 | 16篇 |
冶金工业 | 6篇 |
原子能技术 | 4篇 |
自动化技术 | 1篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 3篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 4篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 5篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 9篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 1篇 |
2011年 | 1篇 |
2010年 | 3篇 |
2009年 | 2篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 4篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 11篇 |
2000年 | 7篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 5篇 |
1991年 | 1篇 |
1989年 | 7篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 2篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有133条查询结果,搜索用时 375 毫秒
21.
近海大气中耐侯钢和碳钢抗腐蚀性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
通过大气曝晒腐蚀试验研究了碳钢和耐候钢的腐蚀情况 ,通过金相观察和EPMA分析 ,讨论了合金元素对耐候钢的抗大气腐蚀能力的影响。根据碳钢和耐候钢的电化学交流阻抗谱特征 ,提出了钢在近海大气中腐蚀的等效电路模型 ;同时通过对上海地区碳钢和耐候钢腐蚀数据的回归分析 ,得出两类材料的腐蚀深度和腐蚀时间的关系方程 相似文献
22.
为解决大佛寺煤矿特厚煤层透气性和瓦斯赋存差异性较大而导致的矿井抽掘采接替问题,提出“分段压裂延展裂隙+整体压裂沟通网络”的定向长钻孔水力压裂技术,通过增加煤层渗透性来提高矿井瓦斯抽采效率,并在40103工作面进行工程应用试验。共完成4个定向长钻孔分段水力压裂施工,累计压裂工程量2 190 m,最大泵注压力17.83 MPa,累计压裂注水量4 535 m3,总压裂时间10 853 min。相比于未压裂的预抽钻孔,压裂后瓦斯抽采浓度提高了2.20~4.22倍,百米抽采流量提高了4.93~11.03倍。试验结果表明,通过水力压裂后煤层渗透特性增加,瓦斯抽采效果显著提升,初步证实了长钻孔水力压裂强化瓦斯抽采技术的适用性,为彬长矿区的矿井瓦斯高效抽采提供了技术支撑。 相似文献
23.
通过宏观和微观观察与分析 ,对制钡盐蒸发器的 1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢列管开裂原因进行了讨论。认为列管开裂起源于内壁的点蚀坑 ,裂纹的扩展方式为腐蚀疲劳和应力腐蚀开裂。指出消除加工过程的残余应力可防止SCC的发生 ,同时可选用双相钢 ,Cr5Mo、ND钢或 0 8Cr2AlMo做为列管材料。 相似文献
24.
奥氏体不锈钢SUS316及SUS316L在含Cl-的饱和H2S水溶液中的应力腐蚀行为研究 总被引:3,自引:3,他引:0
采用U型弯曲试样研究了固溶及敏化奥氏体不锈钢SUS31 6和SUS31 6L在四种不同的含Cl- 的饱和H2 S水溶液中的应力腐蚀开裂 (SCC)行为。研究结果表明Cl- 的加入和pH值的降低会增大实验钢种的应力腐蚀敏感性 ,而微量的Na2 CO3则可降低其SCC敏感性。 相似文献
25.
本文根据摆锤材料试验机的结构特点,提出一种不用更换测力度盘(采用公斤力度盘读牛顿)的改装换制方法。一、改制原理当试样受拉伸(或压缩)时,测力摆带动触接在摆杆上的测力丝杠作水平移动,带动测力指针,而测力指针转动的角度与丝杠的水平移动成正比,这样就可以用测力指针旋转的角度直接读出试样受力的大小。根据摆锤式试验 相似文献
26.
27.
锦西炼油厂催化裂化装置吸收解析塔上的一个φ219mm的不锈钢短接(图1),在使用中发生穿透性开裂。为查清开裂原因,对该工件进行了失效分析。 相似文献
28.
29.
30.
研究了全固态源分子束外延(MBE)生长InGaAs/InP异质结界面扩散对InGaAs外延薄膜电学和光学性质的影响.通过X射线衍射、变温霍尔测试和变温光致发光等方法对InGaAs薄膜样品进行细致研究.发现在InGaAs/InP界面之间插入一层利用As_4生长的InGaAs过渡层,能够显著改善上层InGaAs(利用As_2生长)外延薄膜的电学性能,其低温迁移率显著提高.同时荧光峰反常蓝移动消失,光学性质有所改善.研究表明利用As_4生长InGaAs过渡层,可显著降低As在InP中反常扩散,获得陡峭的InGaAs/InP界面,从而提高InGaAs材料电学和光学性能. 相似文献