重离子成角度入射导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应三维数值仿真

针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBTs),采用TCAD仿真,建立SiGe HBT单粒子效应三维损伤模型,研究重离子成角度入射SiGe HBT时单粒子效应电荷收集的关键因素。选择几个典型入射位置和不同入射角度进行数值仿真,通过分析器件结构和仿真结构来研究电荷收集机制。结果表明,无论是离子入射位置如何,只要离子径迹穿过器件的灵敏体积,就会引起大量电荷收集。电荷收集量不仅与离子径迹在SiGe HBT敏感体积内的长度有关,同时也受到浅槽隔离以及离子径迹和电极之间的距离的影响。此项工作对SiGe HBT空间实际应用,并进一步提出加固方案提供了理论依据。     

超薄和超薄绒面Si太阳电池的1-MeV电子辐照特征

对国产超薄背场Si太阳电池和超薄绒面背场Si太阳电池的电参数和光谱响应的1-MeV电子辐照损伤进行了研究。实验结果表明,超薄和超薄绒面背场Si太阳电池与常规背场Si太阳电池相比不但具备更好的抗辐射能力,而且电池电参数也有了明显提高。     

基于云模型的健康体育建筑评价方法研究

提升全民健康水平作为当代体育建筑发展的重要目标已成为共识，健康体育建筑评价倡导以人的身心健康作为核心价值，这也成为实现这一目标的关键路径。文章介绍了将不确定性人工智能研究范畴的云模型，引入建筑研究领域，建立统筹考虑主观感受模糊性与个体差异随机性的健康体育建筑评价方法，并以国家游泳中心为例，检验了方法的适用性及科学性，分析结果表明，该方法有助于深入挖掘评价数据，提升评价准确性，可为出台健康体育建筑评价标准提供支撑。     

100 keV质子辐照InGaAs单结太阳电池性能退化机理研究

为研究太阳电池光电参数由低能质子辐照产生的辐射损伤机制，对In_0.53Ga_0.47As单结太阳电池开展100 keV质子辐照及退火试验研究，分析太阳电池电参数和光谱响应在辐照及退火前后的变化规律，结合SRIM仿真计算结果对辐照引起的位移损伤进行讨论。结果表明，当质子辐照累积注量为5×10¹²p/cm²时，In_0.53Ga_0.47As单结太阳电池的短路电流、开路电压和最大输出功率分别衰减到其初始值的88.8%、88.3%、72.3%；太阳电池光谱响应在短波区的衰减比长波区更严重。SRIM仿真结果表明，上述结果是由于100 keV的质子能量沉积在In_0.53Ga_0.47As单结太阳电池发射区和基区顶部而产生位移损伤缺陷导致的。对辐照后的太阳电池样品进行150℃退火处理，太阳电池电学参数因辐射感生缺陷的湮灭而产生了不同程度的恢复。