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用TOF-SIMS研究半导体芯片铝键合点上的有机沾污 总被引:1,自引:1,他引:0
铝键合点的表面沾污增强了对铝合金化表面的腐蚀,并导致微芯片的失效.过去大量的工作多集中在由等离子工艺引起的含氟的无机沾污;很少接触到键合点的有机沾污.飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)提供了一个探测和分析微芯片键合点上有机沾污的有力武器.作者比较了两个TOF-SIMS的正离子谱,一个是经目检发现键合点有沾污点的芯片,另一个是无沾污芯片.根据对TOF-SIMS特征谱线和离子像的研究,认为沾污点是由某些以CHx和NHy结构组成的有机化合物造成的,并对铝有腐蚀作用.经分析发现这些有机沾污来源于微芯片的工艺 相似文献
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对FDM快速成型工艺的填充轨迹进行了分析,提出了在Z方向采用混合填充的算法:基于AutoCAD二次开发工具ObjectARX和VC++6.0开发平台实现平行线和轮廓线2种填充轨迹在Z方向混合填充。该算法简单有效,可以应用于扩展或开发快速成型机中。 相似文献
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任翀 《数字社区&智能家居》2006,(5)
虽然目前的CDN技术与传统的内容发布模式相比显示出了很大的优势,但是随着IP网上用户数和对丰富媒体数据需求的大规模增长,CDN在发送体系、资源模型、发送机制等各方面显示出很多不足之处。而随着网络应用和服务的日益丰富,多媒体数据的传输将占越来越大的比重,多媒体分发在广域网范围内的进一步发展需要新一代可扩展的、高效,灵活的中间件平台的支持,本文的提出的P2P分发技术,有助于解决服务器内容分发的资源共享问题,避免了CDN技术所产生的问题。 相似文献
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